BSC106N025SG
Виробник:
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC106N025SG
Description: MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC106N025SG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC106N025S G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V |
товар відсутній |