Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BFR31,215
BFR31,215

BFR31,215 NXP Semiconductors

BFR30-31-1126041.pdf Виробник: NXP Semiconductors
JFET TAPE7 FET-RFSS
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR31,215 NXP Semiconductors

Description: JFET N-CH 10MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V, Current Drain (Id) - Max: 10 mA, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Power - Max: 250 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V.

Інші пропозиції BFR31,215 за ціною від 9.69 грн до 31.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFR31 Виробник : NXP/Nexperia/We-En N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 5 mA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+31.2 грн
100+ 9.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR31.215 BFR31.215
Код товару: 33889 		Виробник : NXP bfr30-31-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,01 A
Монтаж: SMD
товар відсутній
BFR31,215 BFR31,215 Виробник : NXP USA Inc. BFR30%2C31.pdf Description: JFET N-CH 10MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
товар відсутній
BFR31,215 BFR31,215 Виробник : NXP USA Inc. BFR30%2C31.pdf Description: JFET N-CH 10MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
товар відсутній
BFR31 Виробник : NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors BFR31/TO-236AB///REEL 11 Q3/T4*STANDARD MARK SMDL
товар відсутній