Результат пошуку "18n-50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 169
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 98
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 69
Мінімальне замовлення: 197
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 Монтаж: THT |
у наявності: 10 шт
10 шт - склад
|
|
|||||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50005T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 5V TAB PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 5V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50005T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50005W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 5V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 5V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N500120T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 120V TAB PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 120V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Green Ratings: AC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N500120T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N500120W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 120V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 120V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: AC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50012T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50012T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 12V TAB PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 12V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50012W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 12V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 12V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50028T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB |
на замовлення 46 шт: термін постачання 115-124 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50028W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 28V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 28V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDA18N50 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 239W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 5093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50T | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50T | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQH18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF18N50V2SDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G18N50T | Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHF18N50D-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP18N50C-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 6846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP18N50C-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRFB18N50K 17A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AV218N50 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDA18N50 | ON Semiconductor |
на замовлення 56250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDA18N50 | FAIRCHILD | 09+ TO3P |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FPQF18N50V2 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQH18N50V2 |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQP18N50V2 | FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQPF18N50 |
на замовлення 4463 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQPF18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF18N50V2 | FAIRCHILD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MDF18N50TH |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF18N50TH=FQPF18N50C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP18N50GTH |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP18N50TH |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP18N50TH=FQP18N50C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDQ18N50G |
на замовлення 38545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
10 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 210 грн |
10+ | 195 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 117.03 грн |
10+ | 86.5 грн |
18+ | 49.53 грн |
48+ | 46.58 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.44 грн |
10+ | 107.79 грн |
18+ | 59.44 грн |
48+ | 55.89 грн |
2000+ | 54.12 грн |
CNX718N50005T |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 5V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 5V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1074.81 грн |
10+ | 792.37 грн |
100+ | 784.83 грн |
CNX718N50005T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1704.02 грн |
10+ | 1315.67 грн |
50+ | 1068.12 грн |
100+ | 999.28 грн |
200+ | 964.5 грн |
500+ | 916.24 грн |
1000+ | 887.85 грн |
CNX718N50005W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 5V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 5V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1553.86 грн |
10+ | 1171.69 грн |
CNX718N500120T |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 120V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 120V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1553.86 грн |
10+ | 1171.69 грн |
CNX718N500120T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1675.04 грн |
10+ | 1316.48 грн |
50+ | 1101.48 грн |
100+ | 994.31 грн |
200+ | 990.76 грн |
500+ | 916.24 грн |
CNX718N500120W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 120V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 120V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1553.86 грн |
10+ | 1171.69 грн |
CNX718N50012T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1704.02 грн |
10+ | 1316.48 грн |
50+ | 1047.54 грн |
100+ | 998.57 грн |
200+ | 987.92 грн |
500+ | 916.24 грн |
CNX718N50012T |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 12V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 12V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1553.86 грн |
10+ | 1171.69 грн |
100+ | 1023.44 грн |
CNX718N50012W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 12V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 12V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1074.81 грн |
10+ | 792.37 грн |
100+ | 784.83 грн |
CNX718N50028T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
на замовлення 46 шт:
термін постачання 115-124 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1174.93 грн |
10+ | 1021.03 грн |
CNX718N50028W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 28V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 28V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 28V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 28V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1553.86 грн |
10+ | 1171.69 грн |
100+ | 1023.44 грн |
FDA18N50 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
169+ | 124.93 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 159.69 грн |
8+ | 121.98 грн |
20+ | 115.33 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 228.34 грн |
3+ | 198.99 грн |
8+ | 146.38 грн |
20+ | 138.39 грн |
250+ | 133.07 грн |
FDP18N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 232.67 грн |
10+ | 208.12 грн |
50+ | 108.59 грн |
100+ | 99.36 грн |
500+ | 89.42 грн |
1000+ | 86.59 грн |
FDP18N50 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.73 грн |
50+ | 113.27 грн |
100+ | 103.62 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 127.94 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.55 грн |
3+ | 180.39 грн |
7+ | 138.25 грн |
18+ | 130.85 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.86 грн |
3+ | 224.79 грн |
7+ | 165.9 грн |
18+ | 157.02 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 228.01 грн |
50+ | 120.37 грн |
100+ | 110.21 грн |
500+ | 86.48 грн |
1000+ | 86.26 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-CH MOSFET
MOSFETs 500V N-CH MOSFET
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 250.06 грн |
10+ | 210.57 грн |
25+ | 117.81 грн |
100+ | 107.88 грн |
500+ | 102.91 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 164.55 грн |
FDPF18N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 256.36 грн |
6+ | 153.77 грн |
16+ | 144.9 грн |
50+ | 139.72 грн |
FDPF18N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 307.63 грн |
6+ | 191.62 грн |
16+ | 173.88 грн |
50+ | 167.67 грн |
FDPF18N50T |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 343.62 грн |
10+ | 224.45 грн |
50+ | 178.14 грн |
100+ | 138.39 грн |
250+ | 132.01 грн |
500+ | 114.26 грн |
1000+ | 113.55 грн |
FDPF18N50T |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 264.86 грн |
50+ | 141.19 грн |
100+ | 129.59 грн |
500+ | 104.65 грн |
FQA18N50V2 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
98+ | 216.17 грн |
FQH18N50V2 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 212.66 грн |
FQP18N50V2 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
69+ | 306.71 грн |
FQPF18N50V2SDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
197+ | 107.38 грн |
G18N50T |
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 180.41 грн |
50+ | 93.5 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 150.08 грн |
8+ | 119.76 грн |
20+ | 113.11 грн |
250+ | 110.89 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.96 грн |
3+ | 187.02 грн |
8+ | 143.72 грн |
20+ | 135.73 грн |
250+ | 133.07 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 349.31 грн |
50+ | 189.7 грн |
100+ | 174.83 грн |
500+ | 143.93 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 357.7 грн |
10+ | 296.27 грн |
25+ | 180.27 грн |
100+ | 169.62 грн |
250+ | 168.91 грн |
500+ | 149.75 грн |
1000+ | 149.04 грн |
SIHF18N50D-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 209.59 грн |
10+ | 138.84 грн |
100+ | 100.58 грн |
SIHP18N50C-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 225.22 грн |
10+ | 121.61 грн |
100+ | 97.23 грн |
500+ | 87.29 грн |
SIHP18N50C-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.52 грн |
50+ | 108.14 грн |
100+ | 98.81 грн |
500+ | 77.13 грн |
WMJ18N50D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 103.5 грн |
5+ | 76.89 грн |
10+ | 57.66 грн |
21+ | 41.4 грн |
58+ | 39.18 грн |
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 124.99 грн |
Транзистор польовий IRFB18N50K 17A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 174.32 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]