SIHF18N50D-E3 Vishay / Siliconix
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.06 грн |
| 10+ | 123.67 грн |
| 100+ | 85.75 грн |
| 500+ | 80.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHF18N50D-E3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.23 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHF18N50D-E3 за ціною від 75.02 грн до 253.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHF18N50D-E3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHF18N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.23 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHF18N50D-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
SIHF18N50D-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SIHF18N50D-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SIHF18N50D-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SIHF18N50D-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SIHF18N50D-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 53A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |