Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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Ціна без ПДВ |
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NCP13992AADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Resonanz-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1399AIDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 100kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Halbbrücke Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Isolation: 0 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP13992ABDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 750kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Halbbrücke Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Nicht isoliert Nennstrom Leistungsschalter: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP13992ACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992ACDR2G - AC/DC-Wandler, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 750kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Halbbrücke Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP13992ACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992ACDR2G - AC/DC-Wandler, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 750kHz rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 0 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: - Topologie: Halbbrücke Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1399APDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Resonanz-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1399APDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Resonanz-Controller rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: NSOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1399AIDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP13992AFDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992AFDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP13992AHDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP13992AHDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1399AGDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399AGDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1399AHDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399AHDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1399ATDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1399AFDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1399ANDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCP1399BADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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FSB50550AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM5Q-023 Nennspannung (Vces / Vdss): 500V Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR Nennstrom (Ic/Id): 2A Produktpalette: Motion SPM 5 Series IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM5 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSB50550AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM5Q-023 Nennspannung (Vces / Vdss): 500V Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR Nennstrom (Ic/Id): 2A Produktpalette: Motion SPM 5 Series IPM-Leistungsbaustein: MOSFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM5 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DVK-SFAZ-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek tariffCode: 84733020 Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne euEccn: NLR Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP121G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP125G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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DAN222T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DAN22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 35400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD7351HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOD-323 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 150mW usEccn: EAR99 Produktpalette: ESD7351 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD7351HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOD-323 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 150mW usEccn: EAR99 Produktpalette: ESD7351 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1013AP133G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7 AC-Eingangsspannung, max.: 250 Nennleistung: - Betriebstemperatur, min.: -40 Bauform - AC/DC-Wandler: DIP Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - AC-Eingangsspannung, min.: 100 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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S310 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S310 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S310FA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 5562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSC3503DS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SK3703-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 25 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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KSC2073H2TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSC2073 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSC2073TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 25 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NCV7471BDQ5R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Unterstützte Protokolle: CAN, LIN Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 28V Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP Betriebstemperatur, max.: 150°C Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV7471BDQ5R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Unterstützte Protokolle: CAN, LIN Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 28V Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP Betriebstemperatur, max.: 150°C Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NL17SZ17DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5 Logik-IC-Sockelnummer: - Logik-IC-Familie: 17SZ Bauform - Logikbaustein: SOT-353 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: - Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NLV17SZ17DFT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FJL4215OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 150W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 30MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 17A |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTP7N60A4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 34 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG30N60B3D.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9 DC-Kollektorstrom: 60 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 208 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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HGTD1N120BNS9A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-252AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 5.3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 14740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTD1N120BNS9A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt DC-Kollektorstrom: 5.3 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-252AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 14740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG18N120BND | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG40N60B3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 DC-Kollektorstrom: 70 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 290 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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HGTG5N120BND | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 21 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 167 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товар відсутній |
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HGTG30N60C3D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8 DC-Kollektorstrom: 63 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Verlustleistung Pd: 208 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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HGTG30N60B3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 16153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG27N120BN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 DC-Kollektorstrom: 72 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Verlustleistung Pd: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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HGTP7N60A4-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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FDD8447L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: 0 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 11556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD8447L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: PowerTrench SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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FDD8447L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 50 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
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TIP126TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Zweifach pnp DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SECO-RSL10-TAG-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0 tariffCode: 84715000 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: Cortex-M3 Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0 usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: ARM SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
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FCH023N65S3L4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 595 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCH043N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 592 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SUPERFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCH029N65S3-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FCH023N65S3-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20084DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20084DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20084DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20084DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP13992AADR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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7+ | 123.79 грн |
10+ | 100.92 грн |
100+ | 77.98 грн |
500+ | 72.04 грн |
NCP1399AIDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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5+ | 189.23 грн |
10+ | 136.4 грн |
100+ | 99.35 грн |
500+ | 71.53 грн |
NCP13992ABDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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5+ | 181.35 грн |
10+ | 131.67 грн |
100+ | 94.62 грн |
500+ | 84.93 грн |
NCP13992ACDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992ACDR2G - AC/DC-Wandler, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP13992ACDR2G - AC/DC-Wandler, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 87.52 грн |
500+ | 78.34 грн |
NCP13992ACDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992ACDR2G - AC/DC-Wandler, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP13992ACDR2G - AC/DC-Wandler, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 146.65 грн |
10+ | 113.54 грн |
100+ | 87.52 грн |
500+ | 78.34 грн |
NCP1399APDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 89.1 грн |
500+ | 78.34 грн |
2500+ | 68.26 грн |
NCP1399APDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 169.52 грн |
10+ | 128.52 грн |
100+ | 89.1 грн |
500+ | 78.34 грн |
2500+ | 68.26 грн |
NCP1399AIDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 99.35 грн |
500+ | 71.53 грн |
NCP13992AFDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP13992AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP13992AHDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP13992AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1399AGDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AGDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399AGDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1399AHDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1399ATDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1399AFDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1399ANDR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCP1399BADR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FSB50550AS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 499.88 грн |
100+ | 391.87 грн |
FSB50550AS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 693.06 грн |
10+ | 499.88 грн |
100+ | 391.87 грн |
DVK-SFAZ-1-GEVK |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6545.02 грн |
TIP121G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 74.04 грн |
14+ | 57.64 грн |
TIP125G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
DAN222T1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
58+ | 13.64 грн |
82+ | 9.62 грн |
205+ | 3.86 грн |
500+ | 3.51 грн |
ESD7351HT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 150mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD7351
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 150mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD7351
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 27.6 грн |
43+ | 18.45 грн |
100+ | 10.09 грн |
500+ | 6.97 грн |
3000+ | 5.73 грн |
9000+ | 5.21 грн |
ESD7351HT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 150mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD7351
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 150mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD7351
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.09 грн |
500+ | 6.97 грн |
3000+ | 5.73 грн |
9000+ | 5.21 грн |
NCP1013AP133G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
S310 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S310
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S310
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 64.02 грн |
15+ | 53.3 грн |
100+ | 32.56 грн |
500+ | 25.26 грн |
S310FA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.77 грн |
KSC3503DS |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 47.07 грн |
20+ | 40.29 грн |
100+ | 25.86 грн |
500+ | 20.87 грн |
2SK3703-1E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
KSC2073H2TU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 77.74 грн |
13+ | 62.05 грн |
100+ | 45.42 грн |
500+ | 36.83 грн |
KSC2073TU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCV7471BDQ5R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 208.94 грн |
NCV7471BDQ5R2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 208.94 грн |
NL17SZ17DFT2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NLV17SZ17DFT2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 33.19 грн |
33+ | 24.21 грн |
100+ | 14.51 грн |
500+ | 11.13 грн |
1000+ | 7.7 грн |
3000+ | 6.61 грн |
6000+ | 6.58 грн |
FJL4215OTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 30MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 17A
Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 30MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 17A
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 395.81 грн |
10+ | 298.83 грн |
100+ | 234.17 грн |
HGTP7N60A4 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 138.77 грн |
HGTG30N60B3D.. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
HGTD1N120BNS9A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 5.3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 5.3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 14740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 116.69 грн |
500+ | 73.95 грн |
HGTD1N120BNS9A |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 5.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 5.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 14740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 160.06 грн |
10+ | 136.4 грн |
100+ | 116.69 грн |
500+ | 73.95 грн |
HGTG18N120BND |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 376.88 грн |
10+ | 369 грн |
HGTG40N60B3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
HGTG5N120BND |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
HGTG30N60C3D |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
HGTG30N60B3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 216.04 грн |
10+ | 166.37 грн |
100+ | 146.65 грн |
HGTG27N120BN |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
HGTP7N60A4-F102 |
товар відсутній
FDD8447L |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: 0
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: 0
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 74.9 грн |
14+ | 57.48 грн |
100+ | 41.95 грн |
500+ | 36.17 грн |
FDD8447L-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD8447L-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
TIP126TU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SECO-RSL10-TAG-GEVB |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
FCH023N65S3L4 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1118.04 грн |
5+ | 1105.42 грн |
FCH043N60 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1352.21 грн |
5+ | 1271.79 грн |
10+ | 1191.37 грн |
50+ | 1041.11 грн |
100+ | 900.2 грн |
250+ | 800.18 грн |
FCH029N65S3-F155 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1401.88 грн |
5+ | 1293.08 грн |
10+ | 1183.48 грн |
50+ | 1066.73 грн |
100+ | 954.94 грн |
FCH023N65S3-F155 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1063.63 грн |
5+ | 1042.35 грн |
NCV20084DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 177.4 грн |
10+ | 133.25 грн |
100+ | 93.83 грн |
500+ | 83.46 грн |
2500+ | 73.66 грн |
NCS20084DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 94.62 грн |
11+ | 75.77 грн |
100+ | 48.02 грн |
500+ | 42.1 грн |
2500+ | 36.49 грн |
NCV20084DTBR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 124.58 грн |
10+ | 98.56 грн |
100+ | 65.6 грн |
NCS20084DTBR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 89.1 грн |
11+ | 71.91 грн |
100+ | 47.39 грн |
500+ | 41.66 грн |
2500+ | 36.29 грн |