Продукція > ONSEMI > HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A onsemi

hgtd1n120bns-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.62 грн
5000+ 40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGTD1N120BNS9A onsemi

Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns, Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A, Power - Max: 60 W.

Інші пропозиції HGTD1N120BNS9A за ціною від 42.84 грн до 121.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi hgtd1n120bns-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 5.3A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 7873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.29 грн
10+ 85.02 грн
100+ 66.1 грн
500+ 52.58 грн
1000+ 42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : onsemi / Fairchild HGTD1N120BNS_D-2314438.pdf IGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 64330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.8 грн
10+ 94.34 грн
100+ 64.17 грн
500+ 54.3 грн
1000+ 44.29 грн
2500+ 43.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+120.27 грн
102+ 118.62 грн
126+ 96.3 грн
250+ 90.49 грн
500+ 68.86 грн
1000+ 55.72 грн
Мінімальне замовлення: 101
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+121.64 грн
10+ 111.68 грн
25+ 110.15 грн
100+ 86.23 грн
250+ 77.8 грн
500+ 61.38 грн
1000+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor hgtd1n120bns-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A Виробник : ON Semiconductor 3673159124577899hgtd1n120bns.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HGTD1N120BNS9A Виробник : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.7A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
HGTD1N120BNS9A Виробник : ONSEMI hgtd1n120bns-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.7A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
товар відсутній