Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (143211) > Сторінка 1135 з 2387

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1130 1131 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1190 1428 1666 1904 2142 2380 2387  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NCP1237AD65R2G onsemi ncp1237-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 233324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+54.6 грн
Мінімальне замовлення: 396
FCPF600N65S3R0L FCPF600N65S3R0L onsemi fcpf600n65s3r0l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 184955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
463+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 463
4N25SM 4N25SM onsemi 4n37m-d.pdf Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 9294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+ 34.32 грн
100+ 22.85 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 15.93 грн
2000+ 14.87 грн
5000+ 13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
4N25TVM 4N25TVM onsemi 4n37m-d.pdf Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
NSBA144WDP6T5G NSBA144WDP6T5G onsemi DTA144WD-D.PDF Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBA143EDXV6T1G NSBA143EDXV6T1G onsemi dta143ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1G NSBA143EDXV6T1G onsemi dta143ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1G NSBA143EDXV6T1G onsemi dta143ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5362+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 5362
NSBA144WDXV6T1G NSBA144WDXV6T1G onsemi dta144wd-d.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA144WDXV6T1G NSBA144WDXV6T1G onsemi dta144wd-d.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSVBA143ZDXV6T1G NSVBA143ZDXV6T1G onsemi dta143zd-d.pdf Description: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.92 грн
8000+ 5.45 грн
12000+ 4.71 грн
28000+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBA143ZDXV6T1G NSVBA143ZDXV6T1G onsemi dta143zd-d.pdf Description: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.68 грн
14+ 22.18 грн
100+ 11.19 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.36 грн
2000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
BAV74 BAV74 onsemi bav74-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товар відсутній
BAV74 BAV74 onsemi bav74-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BAV74 BAV74 onsemi bav74-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товар відсутній
BAV74 BAV74 onsemi bav74-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.12 грн
19+ 15.81 грн
100+ 7.72 грн
500+ 6.04 грн
1000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTH4L045N065SC1 NTH4L045N065SC1 onsemi nth4l045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 88422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.61 грн
30+ 670.75 грн
120+ 631.3 грн
510+ 536.91 грн
1020+ 492.47 грн
NTH4L025N065SC1 NTH4L025N065SC1 onsemi nth4l025n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1403.74 грн
10+ 1190.35 грн
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 onsemi nth4l080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 117405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.15 грн
30+ 444.74 грн
120+ 412.1 грн
NTH4L060N090SC1 NTH4L060N090SC1 onsemi nth4l060n090sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.92 грн
30+ 434.7 грн
NRVTS860PFST3G NRVTS860PFST3G onsemi NRTS860PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.41 грн
10000+ 20.87 грн
25000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NRVTS860PFST3G NRVTS860PFST3G onsemi NRTS860PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.36 грн
10+ 54.32 грн
100+ 37.57 грн
500+ 29.46 грн
1000+ 25.07 грн
2000+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
NRTS1260PFST3G NRTS1260PFST3G onsemi NRTS1260PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NRTS1260PFST3G NRTS1260PFST3G onsemi NRTS1260PFS-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.81 грн
10+ 55.97 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 28.22 грн
2000+ 26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
NZT6717 NZT6717 onsemi FAIRS01147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
NZT6717 NZT6717 onsemi FAIRS01147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
FDS6681Z-G onsemi Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB016N04AL7 FDB016N04AL7 onsemi fdb016n04al7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.13 грн
10+ 243.52 грн
100+ 196.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NC7SZ38P5X-L22057 NC7SZ38P5X-L22057 onsemi nc7sz38-d.pdf Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SC88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Open Drain
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
FDS8978-F40 onsemi Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
LB1848M-TRM-H LB1848M-TRM-H onsemi SSCLS02324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIDIRECTIONAL MOTOR DRIVER
Packaging: Bulk
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 296
LB1845-E LB1845-E onsemi Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HDIP
Packaging: Box
Package / Case: 28-SDIP (0.500", 12.70mm) Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 10V ~ 44.5V
Supplier Device Package: 28-HDIP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4
на замовлення 47054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+254.4 грн
Мінімальне замовлення: 83
LB1845L-E LB1845L-E onsemi Description: IC MOTOR DRIVER 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SDIP (0.500", 12.70mm) Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: 28-DIP
на замовлення 12517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 286
MC79M15CT MC79M15CT onsemi mc79m00-d.pdf Description: IC REG LINEAR -15V 500MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Voltage - Input (Max): -35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -15V
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NCP1215DR2 NCP1215DR2 onsemi NCP1215-D.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Start Up: 12.5 V
товар відсутній
NCP1215DR2G NCP1215DR2G onsemi NCP1215-D.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Start Up: 12.5 V
товар відсутній
NCP1215ASNT1G NCP1215ASNT1G onsemi ncp1215a-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9V ~ 18V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Start Up: 12.5 V
товар відсутній
AR0130CSSM00SPCA0-DPBR AR0130CSSM00SPCA0-DPBR onsemi AR0130CSSM00SPCA0.pdf Description: CMOS IMAGE SENSOR 1.2 MP 1/3"
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, 2.5V ~ 3.1V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-PLCC (11.43x11.43)
Grade: Automotive
Frames per Second: 45.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1575.7 грн
10+ 1201.14 грн
25+ 1137.9 грн
80+ 919.57 грн
440+ 860.24 грн
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR AR0130CSSC00SPCA0-DPBR onsemi AR0130CS.pdf Description: IMAGE SENSOR RGB CMOS
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Frames per Second: 45
товар відсутній
LC824204-13YB-VH onsemi Description: IC MICRO-USB SWITCH DETECT 25WLP
Packaging: Bulk
Features: OVP
Package / Case: 25-WFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 5Ohm
Supplier Device Package: 25-WLCSP (2.07x2.07)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Number of Channels: 2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+94.35 грн
Мінімальне замовлення: 222
LC824206XA-VH onsemi Description: IC MICRO-USB SWITCH DETECT 25WLP
Packaging: Bulk
Features: OVP
Package / Case: 25-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 4.7Ohm
Supplier Device Package: 25-WLCSP (2.17x2.17)
Voltage - Supply, Single (V+): 3.1V ~ 4.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 5:1
Number of Channels: 2
на замовлення 418630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 243
NOIP1FN1300A-QTI NOIP1FN1300A-QTI onsemi noip1sn1300a-d.pdf Description: IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Pixel Size: 4.8µm x 4.8µm
Supplier Device Package: 48-LCC (14.22x14.22)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11071.16 грн
5+ 8993.61 грн
10+ 8358.73 грн
25+ 7121.17 грн
40+ 6776.61 грн
80+ 6501.63 грн
NOIP1SE5000A-QTI NOIP1SE5000A-QTI onsemi noip1sn5000a-d.pdf Description: IC IMAGE SENSOR 5MP LVDS 84LCC
Packaging: Tray
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Pixel Size: 4.8µm x 4.8µm
Active Pixel Array: 2592H x 2048V
Frames per Second: 100.0
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21765.71 грн
5+ 17682.11 грн
10+ 16434.59 грн
25+ 14002.06 грн
40+ 13932.51 грн
AR0144CSSM20SUKA0-CPBR AR0144CSSM20SUKA0-CPBR onsemi ar0144cs?pdf=Y Description: 1MP 1/4 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 69-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 69-ODCSP (5.55x5.57)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.36 грн
5+ 774.18 грн
10+ 773.58 грн
25+ 725.3 грн
40+ 724.98 грн
80+ 724.48 грн
440+ 711.38 грн
AR0147ATSC00XUEG5-DRBR AR0147ATSC00XUEG5-DRBR onsemi BRD8044-D.PDF Description: 1MP 1/4 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 89-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1344H x 968V
Supplier Device Package: 89-IBGA (8x7)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1820.81 грн
5+ 1478.08 грн
10+ 1373.63 грн
25+ 1170.06 грн
40+ 1113.39 грн
80+ 1034.78 грн
440+ 850.22 грн
AR0330CM1C12SHKA0-CP AR0330CM1C12SHKA0-CP onsemi AR0330.pdf Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Active Pixel Array: 2304H x 1296V
Supplier Device Package: 64-CSP (6.28x6.65)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1616.94 грн
10+ 1232.91 грн
25+ 1168.02 грн
80+ 943.92 грн
440+ 883.02 грн
AR0134CSSM00SPCA0-DPBR AR0134CSSM00SPCA0-DPBR onsemi ar0134cs-d.pdf Description: IMAGE SENSOR MONO CMOS
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Frames per Second: 54.0
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2233.22 грн
10+ 1792.34 грн
25+ 1587.51 грн
80+ 1441.77 грн
440+ 1345.65 грн
AR0135CS2M25SUEA0-DPBR AR0135CS2M25SUEA0-DPBR onsemi ar0135cs?pdf= Description: IMAGE SENSOR 1MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
на замовлення 132205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1660.52 грн
10+ 1340.28 грн
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522SRSC09SURA0-DP onsemi AR0522_Web.pdf Description: IMAGE SENSOR CMOS 5MP 52PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LCC
Type: CMOS
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 38054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2532.8 грн
5+ 2056.99 грн
10+ 1911.63 грн
25+ 1628.4 грн
40+ 1549.52 грн
80+ 1440.16 грн
440+ 1211.82 грн
AR0234CSSM00SUKA0-CP AR0234CSSM00SUKA0-CP onsemi ar0234cs?pdf=Y Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2659.63 грн
10+ 2134.1 грн
25+ 1890.2 грн
80+ 1716.66 грн
AR0234CSSM28SUKA0-CP AR0234CSSM28SUKA0-CP onsemi ar0234cs?pdf=Y Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2756.12 грн
10+ 2211.65 грн
25+ 1958.89 грн
80+ 1779.05 грн
AR0234CSSC28SUKA0-CR AR0234CSSC28SUKA0-CR onsemi ar0234cs?pdf=Y Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2658.08 грн
5+ 2158.6 грн
10+ 2006.12 грн
25+ 1708.93 грн
40+ 1691.92 грн
NOIP2SN1300A-QTI NOIP2SN1300A-QTI onsemi noip1sn1300a-d.pdf Description: IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Pixel Size: 4.8µm x 4.8µm
Active Pixel Array: 1280H x 1024V
Supplier Device Package: 48-LCC (14.22x14.22)
Frames per Second: 43.0
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8380.41 грн
10+ 6725.09 грн
25+ 6500.95 грн
NFVA35065L42 NFVA35065L42 onsemi nfva35065l42-d.pdf Description: ASPM27 V3 650V/50A (FOR TICO)
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 50 A
Voltage: 650 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2661.19 грн
10+ 2362.94 грн
60+ 2256.72 грн
120+ 1806.4 грн
300+ 1719.2 грн
NSV60101DMTWTBG NSV60101DMTWTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60101DMTWTBG NSV60101DMTWTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.58 грн
10+ 36.34 грн
100+ 25.15 грн
500+ 19.73 грн
1000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
NB3V60113G00MTR2G NB3V60113G00MTR2G onsemi Description: IC CLOCK GEN PLL 200MHZ 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVDS, HCSL
Frequency - Max: 200MHz
Input: LVCMOS, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.9 грн
10+ 461.05 грн
25+ 439.57 грн
100+ 358.2 грн
250+ 342.1 грн
500+ 311.91 грн
1000+ 267.21 грн
EFC6601R-TR EFC6601R-TR onsemi ENA2151-D.html Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 692464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
876+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 876
NGTB75N60SWG NGTB75N60SWG onsemi NGTB75N60SWG.pdf Description: IGBT 75A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+262.09 грн
Мінімальне замовлення: 80
KSC3265OMTF KSC3265OMTF onsemi ksc3265-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
NCP1237AD65R2G ncp1237-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 80%
Frequency - Switching: 65kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 28V
Supplier Device Package: 7-SOIC
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 12 V
на замовлення 233324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
396+54.6 грн
Мінімальне замовлення: 396
FCPF600N65S3R0L fcpf600n65s3r0l-d.pdf
FCPF600N65S3R0L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 184955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
463+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 463
4N25SM 4n37m-d.pdf
4N25SM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 9294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.14 грн
10+ 34.32 грн
100+ 22.85 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 15.93 грн
2000+ 14.87 грн
5000+ 13.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
4N25TVM 4n37m-d.pdf
4N25TVM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor with Base
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.18V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 500mV
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товар відсутній
NSBA144WDP6T5G DTA144WD-D.PDF
NSBA144WDP6T5G
Виробник: onsemi
Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5900+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBA143EDXV6T1G dta143ed-d.pdf
NSBA143EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1G dta143ed-d.pdf
NSBA143EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1G dta143ed-d.pdf
NSBA143EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5362+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 5362
NSBA144WDXV6T1G dta144wd-d.pdf
NSBA144WDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA144WDXV6T1G dta144wd-d.pdf
NSBA144WDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSVBA143ZDXV6T1G dta143zd-d.pdf
NSVBA143ZDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.92 грн
8000+ 5.45 грн
12000+ 4.71 грн
28000+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSVBA143ZDXV6T1G dta143zd-d.pdf
NSVBA143ZDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.68 грн
14+ 22.18 грн
100+ 11.19 грн
500+ 8.57 грн
1000+ 6.36 грн
2000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
BAV74 bav74-d.pdf
BAV74
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товар відсутній
BAV74 bav74-d.pdf
BAV74
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BAV74 bav74-d.pdf
BAV74
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товар відсутній
BAV74 bav74-d.pdf
BAV74
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.12 грн
19+ 15.81 грн
100+ 7.72 грн
500+ 6.04 грн
1000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTH4L045N065SC1 nth4l045n065sc1-d.pdf
NTH4L045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 88422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+860.61 грн
30+ 670.75 грн
120+ 631.3 грн
510+ 536.91 грн
1020+ 492.47 грн
NTH4L025N065SC1 nth4l025n065sc1-d.pdf
NTH4L025N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1403.74 грн
10+ 1190.35 грн
NTH4L080N120SC1 nth4l080n120sc1-d.pdf
NTH4L080N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 117405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+578.15 грн
30+ 444.74 грн
120+ 412.1 грн
NTH4L060N090SC1 nth4l060n090sc1-d.pdf
NTH4L060N090SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+564.92 грн
30+ 434.7 грн
NRVTS860PFST3G NRTS860PFS-D.PDF
NRVTS860PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.41 грн
10000+ 20.87 грн
25000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NRVTS860PFST3G NRTS860PFS-D.PDF
NRVTS860PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 870pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.36 грн
10+ 54.32 грн
100+ 37.57 грн
500+ 29.46 грн
1000+ 25.07 грн
2000+ 22.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
NRTS1260PFST3G NRTS1260PFS-D.PDF
NRTS1260PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NRTS1260PFST3G NRTS1260PFS-D.PDF
NRTS1260PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1180pf @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 60 V
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.81 грн
10+ 55.97 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 28.22 грн
2000+ 26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
NZT6717 FAIRS01147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NZT6717
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
NZT6717 FAIRS01147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NZT6717
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
FDS6681Z-G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товар відсутній
FDB016N04AL7 fdb016n04al7-d.pdf
FDB016N04AL7
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+301.13 грн
10+ 243.52 грн
100+ 196.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NC7SZ38P5X-L22057 nc7sz38-d.pdf
NC7SZ38P5X-L22057
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SC88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Open Drain
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
FDS8978-F40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
LB1848M-TRM-H SSCLS02324-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LB1848M-TRM-H
Виробник: onsemi
Description: BIDIRECTIONAL MOTOR DRIVER
Packaging: Bulk
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
296+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 296
LB1845-E
LB1845-E
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 28HDIP
Packaging: Box
Package / Case: 28-SDIP (0.500", 12.70mm) Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 10V ~ 44.5V
Supplier Device Package: 28-HDIP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4
на замовлення 47054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
83+254.4 грн
Мінімальне замовлення: 83
LB1845L-E
LB1845L-E
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER 28DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SDIP (0.500", 12.70mm) Exposed Pad
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: 28-DIP
на замовлення 12517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 286
MC79M15CT mc79m00-d.pdf
MC79M15CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR -15V 500MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Voltage - Input (Max): -35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -15V
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NCP1215DR2 NCP1215-D.pdf
NCP1215DR2
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Start Up: 12.5 V
товар відсутній
NCP1215DR2G NCP1215-D.pdf
NCP1215DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Start Up: 12.5 V
товар відсутній
NCP1215ASNT1G ncp1215a-d.pdf
NCP1215ASNT1G
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 9V ~ 18V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Start Up: 12.5 V
товар відсутній
AR0130CSSM00SPCA0-DPBR AR0130CSSM00SPCA0.pdf
AR0130CSSM00SPCA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: CMOS IMAGE SENSOR 1.2 MP 1/3"
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, 2.5V ~ 3.1V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-PLCC (11.43x11.43)
Grade: Automotive
Frames per Second: 45.0
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1575.7 грн
10+ 1201.14 грн
25+ 1137.9 грн
80+ 919.57 грн
440+ 860.24 грн
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR AR0130CS.pdf
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR RGB CMOS
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Frames per Second: 45
товар відсутній
LC824204-13YB-VH
Виробник: onsemi
Description: IC MICRO-USB SWITCH DETECT 25WLP
Packaging: Bulk
Features: OVP
Package / Case: 25-WFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 5Ohm
Supplier Device Package: 25-WLCSP (2.07x2.07)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Number of Channels: 2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+94.35 грн
Мінімальне замовлення: 222
LC824206XA-VH
Виробник: onsemi
Description: IC MICRO-USB SWITCH DETECT 25WLP
Packaging: Bulk
Features: OVP
Package / Case: 25-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 4.7Ohm
Supplier Device Package: 25-WLCSP (2.17x2.17)
Voltage - Supply, Single (V+): 3.1V ~ 4.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 5:1
Number of Channels: 2
на замовлення 418630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
243+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 243
NOIP1FN1300A-QTI noip1sn1300a-d.pdf
NOIP1FN1300A-QTI
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Pixel Size: 4.8µm x 4.8µm
Supplier Device Package: 48-LCC (14.22x14.22)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11071.16 грн
5+ 8993.61 грн
10+ 8358.73 грн
25+ 7121.17 грн
40+ 6776.61 грн
80+ 6501.63 грн
NOIP1SE5000A-QTI noip1sn5000a-d.pdf
NOIP1SE5000A-QTI
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENSOR 5MP LVDS 84LCC
Packaging: Tray
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Pixel Size: 4.8µm x 4.8µm
Active Pixel Array: 2592H x 2048V
Frames per Second: 100.0
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+21765.71 грн
5+ 17682.11 грн
10+ 16434.59 грн
25+ 14002.06 грн
40+ 13932.51 грн
AR0144CSSM20SUKA0-CPBR ar0144cs?pdf=Y
AR0144CSSM20SUKA0-CPBR
Виробник: onsemi
Description: 1MP 1/4 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 69-WFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1280H x 800V
Supplier Device Package: 69-ODCSP (5.55x5.57)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+805.36 грн
5+ 774.18 грн
10+ 773.58 грн
25+ 725.3 грн
40+ 724.98 грн
80+ 724.48 грн
440+ 711.38 грн
AR0147ATSC00XUEG5-DRBR BRD8044-D.PDF
AR0147ATSC00XUEG5-DRBR
Виробник: onsemi
Description: 1MP 1/4 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 89-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1344H x 968V
Supplier Device Package: 89-IBGA (8x7)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1820.81 грн
5+ 1478.08 грн
10+ 1373.63 грн
25+ 1170.06 грн
40+ 1113.39 грн
80+ 1034.78 грн
440+ 850.22 грн
AR0330CM1C12SHKA0-CP AR0330.pdf
AR0330CM1C12SHKA0-CP
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Active Pixel Array: 2304H x 1296V
Supplier Device Package: 64-CSP (6.28x6.65)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1616.94 грн
10+ 1232.91 грн
25+ 1168.02 грн
80+ 943.92 грн
440+ 883.02 грн
AR0134CSSM00SPCA0-DPBR ar0134cs-d.pdf
AR0134CSSM00SPCA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR MONO CMOS
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 48-ILCC (10x10)
Frames per Second: 54.0
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2233.22 грн
10+ 1792.34 грн
25+ 1587.51 грн
80+ 1441.77 грн
440+ 1345.65 грн
AR0135CS2M25SUEA0-DPBR ar0135cs?pdf=
AR0135CS2M25SUEA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR 1MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 3.75µm x 3.75µm
Active Pixel Array: 1280H x 960V
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
на замовлення 132205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1660.52 грн
10+ 1340.28 грн
AR0522SRSC09SURA0-DP AR0522_Web.pdf
AR0522SRSC09SURA0-DP
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR CMOS 5MP 52PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 52-LCC
Type: CMOS
Pixel Size: 2.2µm x 2.2µm
Active Pixel Array: 2592H x 1944V
Supplier Device Package: 52-PLCC (12x12)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 38054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2532.8 грн
5+ 2056.99 грн
10+ 1911.63 грн
25+ 1628.4 грн
40+ 1549.52 грн
80+ 1440.16 грн
440+ 1211.82 грн
AR0234CSSM00SUKA0-CP ar0234cs?pdf=Y
AR0234CSSM00SUKA0-CP
Виробник: onsemi
Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2659.63 грн
10+ 2134.1 грн
25+ 1890.2 грн
80+ 1716.66 грн
AR0234CSSM28SUKA0-CP ar0234cs?pdf=Y
AR0234CSSM28SUKA0-CP
Виробник: onsemi
Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2756.12 грн
10+ 2211.65 грн
25+ 1958.89 грн
80+ 1779.05 грн
AR0234CSSC28SUKA0-CR ar0234cs?pdf=Y
AR0234CSSC28SUKA0-CR
Виробник: onsemi
Description: 2MP 1/3 CIS SO
Packaging: Tray
Package / Case: 83-VFBGA, CSPBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3µm x 3µm
Active Pixel Array: 1920H x 1200V
Supplier Device Package: 83-ODCSP (5.6x10)
Frames per Second: 120.0
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2658.08 грн
5+ 2158.6 грн
10+ 2006.12 грн
25+ 1708.93 грн
40+ 1691.92 грн
NOIP2SN1300A-QTI noip1sn1300a-d.pdf
NOIP2SN1300A-QTI
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENSOR 1.3MP 48LCC
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LCC
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Pixel Size: 4.8µm x 4.8µm
Active Pixel Array: 1280H x 1024V
Supplier Device Package: 48-LCC (14.22x14.22)
Frames per Second: 43.0
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8380.41 грн
10+ 6725.09 грн
25+ 6500.95 грн
NFVA35065L42 nfva35065l42-d.pdf
NFVA35065L42
Виробник: onsemi
Description: ASPM27 V3 650V/50A (FOR TICO)
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 50 A
Voltage: 650 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2661.19 грн
10+ 2362.94 грн
60+ 2256.72 грн
120+ 1806.4 грн
300+ 1719.2 грн
NSV60101DMTWTBG nss60101dmt-d.pdf
NSV60101DMTWTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV60101DMTWTBG nss60101dmt-d.pdf
NSV60101DMTWTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.58 грн
10+ 36.34 грн
100+ 25.15 грн
500+ 19.73 грн
1000+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
NB3V60113G00MTR2G
NB3V60113G00MTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC CLOCK GEN PLL 200MHZ 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS, LVDS, HCSL
Frequency - Max: 200MHz
Input: LVCMOS, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Ratio - Input:Output: 1:3
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+529.9 грн
10+ 461.05 грн
25+ 439.57 грн
100+ 358.2 грн
250+ 342.1 грн
500+ 311.91 грн
1000+ 267.21 грн
EFC6601R-TR ENA2151-D.html
EFC6601R-TR
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 692464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
876+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 876
NGTB75N60SWG NGTB75N60SWG.pdf
NGTB75N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 75A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+262.09 грн
Мінімальне замовлення: 80
KSC3265OMTF ksc3265-d.pdf
KSC3265OMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 238 476 714 952 1130 1131 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1190 1428 1666 1904 2142 2380 2387  [ Наступна Сторінка >> ]