EFC6601R-TR onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 692464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 876+ | 23.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC6601R-TR onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020, Part Status: Active.
Інші пропозиції EFC6601R-TR за ціною від 20 грн до 69.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC6601R-TR | Виробник : onsemi |
MOSFET N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mOhm, Dual EFCP |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EFC6601R-TR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EFC6601R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 684263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| EFC6601R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
EFC6601R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 13A 6-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
EFC6601R-TR | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
EFC6601R-TR | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020 Part Status: Active |
товар відсутній |