Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTH4L080N120SC1
NTH4L080N120SC1

NTH4L080N120SC1 ON Semiconductor

nth4l080n120sc1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+469.67 грн
Мінімальне замовлення: 450
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L080N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTH4L080N120SC1 за ціною від 329.13 грн до 1275.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : onsemi nth4l080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 117405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.75 грн
30+ 443.67 грн
120+ 411.11 грн
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+598.12 грн
5+ 524.06 грн
10+ 450 грн
50+ 358.05 грн
100+ 329.82 грн
250+ 329.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : onsemi NTH4L080N120SC1_D-2318595.pdf MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+802.87 грн
10+ 756.75 грн
25+ 548.25 грн
100+ 510.21 грн
250+ 505.19 грн
450+ 477.92 грн
900+ 434.15 грн
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L080N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 125A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1062.6 грн
2+ 808.05 грн
3+ 763.94 грн
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1064.22 грн
10+ 976.74 грн
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : ONSEMI NTH4L080N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 125A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1275.12 грн
2+ 1006.95 грн
3+ 916.73 грн
30+ 881.75 грн
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній