Продукція > SQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ1.5TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; with flap,with battery compartment; ABS
Enclosure series: SQUID1
Dimension Y: 100mm
Dimension X: 60mm
Dimension Z: 21mm
Version: with battery compartment; with flap
Type of enclosure: with panel
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
товар відсутній
SQ1.5TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; with flap,with battery compartment; ABS
Enclosure series: SQUID1
Dimension Y: 100mm
Dimension X: 60mm
Dimension Z: 21mm
Version: with battery compartment; with flap
Type of enclosure: with panel
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ1.9TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; with flap,with battery compartment; ABS
Enclosure series: SQUID1
Dimension Y: 100mm
Dimension X: 60mm
Dimension Z: 21mm
Version: with battery compartment; with flap
Type of enclosure: with panel
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ1.9TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; with flap,with battery compartment; ABS
Enclosure series: SQUID1
Dimension Y: 100mm
Dimension X: 60mm
Dimension Z: 21mm
Version: with battery compartment; with flap
Type of enclosure: with panel
Enclosure material: ABS
Body colour: black
товар відсутній
SQ100Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Packaging: Bulk
Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SQ100IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ100 - Logikanalysator, 4, 8kB, 100 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
Stromverbrauch: -
hazardous: false
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 100
Außenbreite: 50
Außentiefe: 50
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 8kB
Außenhöhe: 15
Produktpalette: ScanaQuad
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
SQ100A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1012,131102720075010
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1012.131102720075010
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ10A-R33MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 330NH 33A 1.3MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 50A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 33 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+51.7 грн
900+ 35.14 грн
Мінімальне замовлення: 450
SQ10A-R33MHF-CTITG Electronics, Inc.Description: 0.33uH, 20%, 1.3mOhm, 50Amp Max
Packaging: Strip
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Molded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 50A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 33 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.48 грн
5+ 66.77 грн
10+ 60.11 грн
50+ 53.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQ10A-R47MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 470NH 25A 2.3MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.327" W (12.50mm x 8.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 2.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 40A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 25 A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+95.42 грн
900+ 69.92 грн
Мінімальне замовлення: 450
SQ113-A3
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ113-A3.1
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ113C
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ12-12D250
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ12-12S500-V21ASIA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ12-5S1000
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1202************
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1213
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1218
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ124.5TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; SQUID1; X: 60mm; Y: 100mm; Z: 21mm; ABS
Type of enclosure: with panel
Version: with battery compartment; with button; with flap
Enclosure series: SQUID1
Dimension X: 60mm
Dimension Y: 100mm
Dimension Z: 21mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+917.77 грн
2+ 713.47 грн
5+ 649.26 грн
SQ124.5TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; SQUID1; X: 60mm; Y: 100mm; Z: 21mm; ABS
Type of enclosure: with panel
Version: with battery compartment; with button; with flap
Enclosure series: SQUID1
Dimension X: 60mm
Dimension Y: 100mm
Dimension Z: 21mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+764.81 грн
2+ 572.54 грн
SQ124.9TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; SQUID1; X: 60mm; Y: 100mm; Z: 21mm; ABS; black
Enclosure series: SQUID1
Dimension Y: 100mm
Dimension X: 60mm
Dimension Z: 21mm
Version: with battery compartment; with button; with flap
Type of enclosure: with panel
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ124.9TEKOCategory: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; SQUID1; X: 60mm; Y: 100mm; Z: 21mm; ABS; black
Enclosure series: SQUID1
Dimension Y: 100mm
Dimension X: 60mm
Dimension Z: 21mm
Version: with battery compartment; with button; with flap
Type of enclosure: with panel
Enclosure material: ABS
Body colour: black
товар відсутній
SQ124C-L
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1303-101KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1303-330KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1303-470KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1355Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #1 3.5"
товар відсутній
SQ1420EEH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
товар відсутній
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+30.99 грн
50+ 25.7 грн
100+ 20.42 грн
500+ 12.67 грн
1500+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 322096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.8 грн
12+ 27.08 грн
100+ 18.49 грн
500+ 15.6 грн
1000+ 12.65 грн
3000+ 10.4 грн
9000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
товар відсутній
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 33.82 грн
100+ 25.25 грн
500+ 18.62 грн
1000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
товар відсутній
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.15 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 14.67 грн
3000+ 13.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYSQ1431EH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SQ1431EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
на замовлення 16830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.3 грн
10+ 33.24 грн
100+ 23.11 грн
500+ 16.94 грн
1000+ 13.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.13 грн
50+ 32.72 грн
100+ 25.23 грн
500+ 14.86 грн
1500+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
SQ1431EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1431EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 181898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.2 грн
10+ 36.37 грн
100+ 22.49 грн
500+ 17.5 грн
1000+ 14.27 грн
3000+ 12.02 грн
9000+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ1431EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
6000+ 12.45 грн
9000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
6000+ 12.45 грн
9000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1440EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.3 грн
10+ 33.24 грн
100+ 23.11 грн
500+ 16.94 грн
1000+ 13.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ1440EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.22 грн
19+ 41.79 грн
100+ 28.15 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 14.67 грн
3000+ 14.46 грн
6000+ 12.64 грн
12000+ 12.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
SQ1464EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 430mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.42 грн
500+ 12.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
на замовлення 10480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.57 грн
12+ 28.21 грн
100+ 13.64 грн
1000+ 9.28 грн
3000+ 8.15 грн
9000+ 7.31 грн
24000+ 7.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.4 грн
6000+ 8.68 грн
9000+ 7.81 грн
30000+ 7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1464EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 430mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.93 грн
33+ 24.28 грн
100+ 17.42 грн
500+ 12.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 37794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.97 грн
12+ 26.06 грн
100+ 15.62 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.89 грн
13+ 23.72 грн
100+ 16.47 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 279799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.28 грн
10+ 35.56 грн
100+ 24.39 грн
500+ 19.12 грн
1000+ 14.83 грн
3000+ 12.16 грн
6000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYSQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.23 грн
61+ 16.96 грн
167+ 15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товар відсутній
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товар відсутній
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товар відсутній
SQ147M1R0BATME
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ1539EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 15888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
10+ 29.72 грн
25+ 27.79 грн
100+ 20.87 грн
250+ 19.38 грн
500+ 16.4 грн
1000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 850/-850mA
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
товар відсутній
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 850/-850mA
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/1.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.47 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 12.57 грн
3000+ 10.54 грн
6000+ 9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ1539EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 164139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.87 грн
11+ 30.55 грн
100+ 18.34 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 12.86 грн
3000+ 10.75 грн
9000+ 9.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1539EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
6000+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.52 грн
24+ 33.27 грн
100+ 22.47 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 12.57 грн
3000+ 10.54 грн
6000+ 9.53 грн
Мінімальне замовлення: 19
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.02 грн
10+ 31.34 грн
25+ 29.23 грн
100+ 21.94 грн
250+ 20.37 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товар відсутній
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 366723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.87 грн
11+ 31.68 грн
100+ 18.34 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 12.86 грн
3000+ 10.96 грн
9000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ1563AEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70
товар відсутній
SQ1563AEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1643CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1643CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 110 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Gelb
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Gelb
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 110V
Pinbelegung: 2P+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: SQ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4652.71 грн
5+ 4070.83 грн
SQ1662-3GrayhillScrews & Fasteners MACH SCR P HD hread
товар відсутній
SQ1662-3Grayhill Inc.Description: MACH SCR P HD HREAD
товар відсутній
SQ1662-4Grayhill Inc.Description: MACH SCR P HD HREAD
товар відсутній
SQ1662-4GrayhillScrews & Fasteners MACH SCR P HD hread
товар відсутній
SQ1663CILMEDescription: ILME - SQ1663C - CEE-Steckvorrichtung, Steckdose mit Verriegelung und Schalter, 16 A, 240 V, Steckdose, 2P+E, Blau
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Blau
Nennstrom: 16
Nennspannung V AC: 240
Pinbelegung: 2P+E
Steckverbindermontage: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SQ1663CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1663CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 240 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Blau
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Blau
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 240V
Pinbelegung: 2P+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4827.75 грн
5+ 4588.06 грн
SQ1665CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1665CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 415 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 3P+N+E, Rot
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Rot
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 415V
Pinbelegung: 3P+N+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4830.9 грн
SQ1712-1GrayhillSwitch Fixings KNURLED FASTENER hread
товар відсутній
SQ1712-1Grayhill Inc.Description: MACHINE SCREW KNURLED
Packaging: Bulk
Type: Machine Screw
товар відсутній
SQ1712PV12NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Features: Cable - 305mm
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 2dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товар відсутній
SQ1713P12NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Features: Cable - 305mm
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товар відсутній
SQ1713PNFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CHAS MT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товар відсутній
SQ1713PP36SMMTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Features: Cable - 914mm
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товар відсутній
SQ1852PG12NFLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE
товар відсутній
SQ1852PG12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE
товар відсутній
SQ1852PG36SMMLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE
товар відсутній
SQ1852PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE
товар відсутній
SQ1853P12NFLairdAntennas Omni,Squint,12in,NF
товар відсутній
SQ1853P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товар відсутній
SQ1853PIHKLaird Technologies IASDescription: HARDWARE KIT S2403BP ANT
товар відсутній
SQ1853PNFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товар відсутній
SQ1853PNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,0,NF
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQ1853PP36SMMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 1.9GHZ PANEL CAB CHAS MT
товар відсутній
SQ1853PP36SMMLairdAntennas Omni,Squint,36in,SMA M
товар відсутній
SQ1855DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANTENNA 1850-1990MHZ 5DBI N FML
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.83 грн
20+ 41.16 грн
100+ 32.01 грн
500+ 21.96 грн
1000+ 13.11 грн
5000+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.345 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345
Verlustleistung, p-Kanal: 430
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
товар відсутній
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 56975 шт:
термін постачання 242-251 дні (днів)
7+46.99 грн
10+ 39.93 грн
100+ 25.87 грн
500+ 20.38 грн
1000+ 15.74 грн
3000+ 14.27 грн
9000+ 12.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.69 грн
11+ 26.72 грн
100+ 18.57 грн
500+ 13.61 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.66 грн
25+ 32.8 грн
100+ 20.5 грн
500+ 18.67 грн
1000+ 16.83 грн
5000+ 16.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 196537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.83 грн
11+ 29.99 грн
100+ 18.2 грн
500+ 14.2 грн
1000+ 11.53 грн
3000+ 9.77 грн
9000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.82 грн
46+ 13.01 грн
47+ 12.97 грн
50+ 12.38 грн
100+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 44
SQ1912EEH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1912EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 192235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.54 грн
13+ 25.7 грн
100+ 13.07 грн
1000+ 8.36 грн
3000+ 7.87 грн
9000+ 7.03 грн
24000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 22922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.45 грн
12+ 24.97 грн
100+ 15 грн
500+ 13.03 грн
1000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+19.64 грн
42+ 14.22 грн
100+ 8.51 грн
250+ 7.8 грн
500+ 6.77 грн
1000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 31
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.03 грн
6000+ 8.33 грн
9000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 27676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.69 грн
11+ 27.02 грн
100+ 20.18 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 20V Vds SOT-363
на замовлення 144691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.54 грн
12+ 27.4 грн
100+ 17.29 грн
500+ 13.49 грн
1000+ 10.89 грн
3000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.14 грн
26+ 30.51 грн
100+ 19.4 грн
500+ 14.06 грн
1000+ 10.48 грн
5000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 22
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 348312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.77 грн
13+ 25.22 грн
100+ 15.32 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 10.68 грн
3000+ 9.77 грн
9000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 12
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.14 грн
50+ 26.26 грн
100+ 21.21 грн
500+ 17.35 грн
1500+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 26
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.97 грн
11+ 28.55 грн
100+ 21.32 грн
500+ 15.72 грн
1000+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+32.44 грн
412+ 29.32 грн
459+ 26.3 грн
Мінімальне замовлення: 372
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.59 грн
19+ 32.92 грн
25+ 30.12 грн
50+ 26.26 грн
100+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ1A41N-5LO1-C6-QSMCSQ1A41N-5LO1-C6-Q Valve and Manifolds
товар відсутній
SQ1V-07BIDECDescription: IDEC - SQ1V-07B - RELAY SOCKET, 5PIN, 12A, 300V
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 12A
Nennspannung: 300V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail
usEccn: EAR99
Produktpalette: RQ Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+693.06 грн
5+ 633.92 грн
10+ 602.38 грн
25+ 509.57 грн
50+ 398.74 грн
Мінімальне замовлення: 2