SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.72 грн |
| 6000+ | 12.54 грн |
| 9000+ | 11.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ1440EH-T1_GE3 за ціною від 12.41 грн до 50.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ1440EH-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 12545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ1440EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |