Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ1912EH-T1_GE3
SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq1912eh.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.03 грн
6000+ 8.33 грн
9000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQ1912EH-T1_GE3 за ціною від 6.82 грн до 33.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ1912EH-T1_GE3 SQ1912EH-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq1912eh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 22922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.45 грн
12+ 24.97 грн
100+ 15 грн
500+ 13.03 грн
1000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912EH-T1_GE3 SQ1912EH-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq1912eh.pdf MOSFETs 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 192235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.54 грн
13+ 25.7 грн
100+ 13.07 грн
1000+ 8.36 грн
3000+ 7.87 грн
9000+ 7.03 грн
24000+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ1912EH-T1_GE3 SQ1912EH-T1_GE3 Виробник : Vishay sq1912eh.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товар відсутній