![SQ1912EH-T1_GE3 SQ1912EH-T1_GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742;5550;H,L;6.jpg)
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
![sq1912eh.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.03 грн |
6000+ | 8.33 грн |
9000+ | 7.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ1912EH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQ1912EH-T1_GE3 за ціною від 6.82 грн до 33.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
на замовлення 22922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 192235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQ1912EH-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |