Продукція > RRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RRL025P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRL025P03ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
RRL025P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.88 грн
26+ 32.43 грн
100+ 20.97 грн
500+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
RRL025P03FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.94 грн
11+ 30.41 грн
100+ 18.62 грн
500+ 14.85 грн
1000+ 12.32 грн
3000+ 10.87 грн
9000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+ 27.4 грн
100+ 19.05 грн
500+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRL025P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.62 грн
500+ 15.85 грн
1000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
524+23.5 грн
543+ 22.65 грн
1000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 524
RRL025P03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+33.71 грн
380+ 32.36 грн
500+ 31.19 грн
1000+ 29.1 грн
Мінімальне замовлення: 365
RRL025P03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+20.79 грн
595+ 20.69 грн
665+ 18.49 грн
1000+ 17.12 грн
3000+ 15.3 грн
Мінімальне замовлення: 592
RRL025P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.02 грн
10+ 39.62 грн
100+ 27.42 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRL025P03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+33.71 грн
380+ 32.36 грн
500+ 31.19 грн
1000+ 29.1 грн
2500+ 26.14 грн
Мінімальне замовлення: 365
RRL025P03TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2.5A
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.17 грн
10+ 39.24 грн
100+ 26.59 грн
500+ 22.68 грн
1000+ 19.35 грн
3000+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
RRL025P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRL035P03
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRL035P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRL035P03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
товар відсутній
RRL035P03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RRL035P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.48 грн
23+ 35.52 грн
100+ 22.35 грн
500+ 20.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
RRL035P03FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V Vds -3.5A 0.058Rds(on) 8Qg
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.31 грн
11+ 32.91 грн
100+ 19.78 грн
500+ 15.79 грн
1000+ 12.82 грн
3000+ 10.87 грн
9000+ 10.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
RRL035P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+ 29.21 грн
100+ 20.29 грн
500+ 14.87 грн
1000+ 12.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
RRL035P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.19 грн
500+ 20.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
RRL035P03TRROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
12+ 28.66 грн
100+ 17.39 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 11.09 грн
3000+ 9.27 грн
9000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
RRL035P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RRL035P03TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RRL035P03TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
RRL035P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 7565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+ 25.06 грн
100+ 17.44 грн
500+ 12.78 грн
1000+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
RRL035P03TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RRL157M03500630120025B000HONGDA ELECTRONICS CO., LIMITED150 мкФ 35 В 6,3*12 20% 105C 2000H P:2.5mm 344mA/120HZ Bulk RoHS
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
RRLDCASTERHammond ManufacturingDescription: CASTERS (4) LIGHT DUTY
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RRLDCASTERHammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories 4 pc Caster Set for Open Frame Rack
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7581.4 грн
5+ 6974 грн
10+ 5875.97 грн
25+ 5796.27 грн
50+ 5731.78 грн
100+ 5631.07 грн
250+ 5612.24 грн
RRLPDOLHammond ManufacturingDescription: DOLLY LOW PROFILE HEAVY DUTY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RRLPDOLHammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Low Profile Relay Rack Dolly
товар відсутній
RRLPDOLHAMMONDDescription: HAMMOND - RRLPDOL - TRANSPORTATION BASE, DNRR AND RRAL ALUMINUM RELAY RACK
tariffCode: 83022000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 4.1"
Gehäuseunterteil: Transportation Base
Zur Verwendung mit: DNRR and RRAL Aluminum Relay Racks
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Material des Gehäuseunterteils: -
Außentiefe - metrisch: 699mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 104.9mm
Außentiefe - imperial: 27.5"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: -
Produktpalette: RRLPDOL Series
productTraceability: No
Farbe des Gebäudeunterteils: -
Außenbreite - Zoll: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22904.89 грн