RRL025P03FRATR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 21.05 грн |
| 500+ | 15.43 грн |
| 1000+ | 10.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RRL025P03FRATR ROHM
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RRL025P03FRATR за ціною від 11.29 грн до 40.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RRL025P03FRATR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R |
на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRL025P03FRATR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RRL025P03FRATR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRL025P03FRATR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RRL025P03FRATR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
товар відсутній |