Продукція > RHU

SOT23

на замовлення 2868 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06

MOSFET

товару немає в наявності

RHU002N06

SOT323

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06

10+ROHS UMT3

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06

SOT23/

на замовлення 2851 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06

07+ SOT-323

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N0660

на замовлення 18897 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06FD5T106

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06FRAT106

Description: ROHM - RHU002N06FRAT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 1.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.87 грн
500+	6.8 грн
1500+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

RHU002N06FRAT106

ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW; UMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: UMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

RHU002N06FRAT106

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V

на замовлення 4153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.5 грн
22+	14.05 грн
100+	9.46 грн
500+	6.85 грн
1000+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

RHU002N06FRAT106

Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A Automotive 3-Pin UMT T/R

на замовлення 2741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1878+	6.48 грн
1883+	6.47 грн
2236+	5.44 грн
2363+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 1878

RHU002N06FRAT106

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	23.8 грн
50+	16.88 грн
100+	9.87 грн
500+	6.8 грн
1500+	6.16 грн

Мінімальне замовлення: 34

RHU002N06FRAT106

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RHU002N06FRAT106

ROHM SEMICONDUCTOR

товару немає в наявності

RHU002N06FRAT106

MOSFETs SOT323 N CHAN 45V

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.85 грн
21+	15.75 грн
100+	7.1 грн
1000+	6.46 грн
3000+	5.04 грн
9000+	4.33 грн
24000+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 14

RHU002N06T106

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V

на замовлення 43401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	17.66 грн
26+	11.38 грн
100+	7.61 грн
500+	5.49 грн
1000+	4.93 грн

Мінімальне замовлення: 18

RHU002N06T106

MOSFETs N-CH 60V 200MA SOT-323

товару немає в наявності

RHU002N06T106

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU002N06T106

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.66 грн
6000+	4.09 грн
9000+	3.88 грн
15000+	3.43 грн
21000+	3.3 грн
30000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RHU003N03

10+ROHS UMT3

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU003N03

SOT-323

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU003N03FRAT106

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.8 грн
19+	15.75 грн
100+	7.93 грн
500+	6.08 грн
1000+	4.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

RHU003N03FRAT106

MOSFETs Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323

товару немає в наявності

RHU003N03FRAT106

ROHM SEMICONDUCTOR

RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

RHU003N03FRAT106

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

RHU003N03T106

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RHU003N03T106

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V

товару немає в наявності

RHU003N03T106

MOSFETs N-CH 30V 300MA SOT-323

товару немає в наявності

RHU003N03T106

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V

товару немає в наявності

RHU2-40.500.37

Description: RH-U2, TUBULAR HANDLES, TUBULAR
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw, Bolt
Material: Aluminum, Stainless Steel
Type: Instrumentation
Length - Center to Center: 19.685" (500.00mm)
Part Status: Active

товару немає в наявності

RHU2-40.700.37

товару немає в наявності

RHU4-35.300.04

Description: RH-U4, TUBULAR EDGE-HANDLES, TUB
Packaging: Bag
Mounting Type: Screw Holes, Back
Material: Aluminum
Type: Instrumentation
Thread/Screw/Hole Size: M5x10
Height: 2.126" (54.00mm)
Length - Center to Center: 11.811" (300.00mm)
Part Status: Active

товару немає в наявності

RHU4-35.500.04

товару немає в наявності

RHU4-35.700.04