Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RHU002N06T106
RHU002N06T106

RHU002N06T106 Rohm Semiconductor

rhu002n06.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.66 грн
6000+ 4.09 грн
9000+ 3.88 грн
15000+ 3.43 грн
21000+ 3.3 грн
30000+ 3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RHU002N06T106 Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RHU002N06T106 за ціною від 4.93 грн до 17.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RHU002N06T106 RHU002N06T106 Виробник : Rohm Semiconductor rhu002n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 43401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.66 грн
26+ 11.38 грн
100+ 7.61 грн
500+ 5.49 грн
1000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
RHU002N06T106 rhu002n06.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHU002N06T106 RHU002N06T106 Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms32371-1.pdf MOSFETs N-CH 60V 200MA SOT-323
товару немає в наявності