Продукція > RGL
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGL-60 | Essentra | Essentra | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL101M2GBK-1345 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 100uF 400 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL101M2GBKF1345 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 400 Volts 100uF 13X45 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL101M2PBK-1636 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 100uF 420V 20% Radial Bulk 105C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL101M2PBKF1350 | Lelon | Aluminum Electrolytic Capacitors | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL101M2WBK-1636H | Lelon | Cap Aluminum Lytic 100uf 450V 20% (16x35.5mm) Radial 7.5mm 2000h 105C High Ripple Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL121M2GBK-1636 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 120uF 400V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL121M2GCCF1636 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 120uF 400V 20% (16 X 35.5mm) Radial 7.5mm 800mA 2000h 105C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL121M2GCCF1636-20 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 120uF 400 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL121M2PBK-1640 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 120uF 420V 20% Radial Bulk 105C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL121M2WBK-1836 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 120uF 450V 20% Radial Bulk 105C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL151M2DBK-1330 | Lelon | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 15uF 200 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL151M2GBKF1640 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 150uf 400V 20% (16x40mm) Radial 7.5mm 2000h 105C High Ripple Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL151M2WBK-1845 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 150uF 450V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL181M2GBKF1650 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 180uf 400V 20% (16x50mm) Radial 7.5mm 2000h 105C High Ripple Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL181M2WCCF1845-3.5 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 180uf 450V 20% (18x50mm) Radial 7.5mm 2000h 105C High Ripple Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1A | Diotec Semiconductor | Description: DIODE FR DO-213AA 50V 1A | на замовлення 217500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | RGL1A-DIO SMD universal diodes | на замовлення 895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1A | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1A | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1A | DComponents | Description: Fast Rect. 50V, 1.00A, 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | RGL1B-DIO SMD universal diodes | на замовлення 2190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 200V, 1A, 175C | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Electronics | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1D | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE FR DO-213AA 400V 1A | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL1G | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL1G | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1GR13 | Diotec Semiconductor AG | Description: Diode, Fast, MiniMelf, 400V, 1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1GR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1GR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1GR13 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1GR13 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 400V, 1A, 175C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1GR13 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | RGL1J-DIO SMD universal diodes | на замовлення 10750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1J | Diotec Semiconductor | Description: DIODE FR DO-213AA 600V 1A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL1J | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1JER | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL1JR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | RGL1JR13-DIO SMD universal diodes | на замовлення 3880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1JR13 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1JR13 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE FR DO-213AA 600V 1A | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL1K | DComponents | Description: Fast Rect. 800V, 1.00A, 500ns | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | RGL1K-DIO SMD universal diodes | на замовлення 568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1KR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | RGL1KR13-DIO SMD universal diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1M | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1M | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C | на замовлення 4345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1M | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1MR13 | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1MR13 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL1MR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Case: MiniMELF plastic Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1kV Features of semiconductor devices: fast switching Reverse recovery time: 0.5µs Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1MR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 22A Case: MiniMELF plastic Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1kV Features of semiconductor devices: fast switching Reverse recovery time: 0.5µs Max. forward impulse current: 22A Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL1MR13 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL330M2GBK-1045 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 33uF 400V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL330M2GBKF1045 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 400 Volts 33uF 10X45 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. off-state voltage: 50V Max. load current: 1.7A Max. forward voltage: 1.3V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 8.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. off-state voltage: 50V Max. load current: 1.7A Max. forward voltage: 1.3V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Max. forward impulse current: 8.5A кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 50V, 0.5A, 175C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A | Diotec Semiconductor AG | Description: Diode, Fast, MiniMelf, 50V, 0.5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34A (RGL34A-DIO) Код товару: 160218 | Diotec | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-213AA Vrr, V: 50 V Iav, A: 0,5 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 150 ns | у наявності 503 шт: 503 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||
RGL34A-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | на замовлення 5541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 Код товару: 173584 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34A-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34AHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34AHE3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B | Diotec Semiconductor | Diode Switching 100V 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 100V 500MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34B | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 100V, 0.5A, 175C | на замовлення 7340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34B | Diotec Semiconductor | Diode Switching 100V 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 100V 0.5A DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34B-E3/98 | Vishay | Diode Switching 100V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34B-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34B-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | на замовлення 6369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34BHE3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34BHE3/83 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34BHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34BHE3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | Diotec Semiconductor AG | Description: Diode, Fast, MiniMelf, 200V, 0.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 200V, 0.5A, 175C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34D-E3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34D-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/83 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 6181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 500mA ORANGE | на замовлення 5731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 0.5A; 150ns; DO213AA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E3/98 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 0.5A; 150ns; DO213AA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E383 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D-E383 | Vishay | Diode Switching 200V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34D/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE FAST MINIMELF 200V 150NS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34DHE3-A/H | Vishay | Vishay .5A 200V AEC | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34DHE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 150ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34DHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34DHE3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34DHE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 0.5A 150ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 400V, 0.5A, 175C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 0.5A DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 150ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 150ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 0.5A DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 150ns; DO213AA,GL34; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 0.5A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA; GL34 Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | VISHAY | Description: VISHAY - RGL34G-E3/98 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 500 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 10 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: RGL34 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 6141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 150ns; DO213AA,GL34; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 0.5A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA; GL34 Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | VISHAY | Description: VISHAY - RGL34G-E3/98 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 500 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 10 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: RGL34 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 0.5A 150ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL34G-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | на замовлення 39928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34G-E382 | на замовлення 8300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34G/32 | GSI | 03+ SOD34 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL34GHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34GHE3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 600V, 0.5A, 175C | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J | LGE | 0,5A; 600V; fast <250ns; packaging: tape&reel RGL34J DO213AA switching diode DIRGL34J кількість в упаковці: 2500 шт | на замовлення 19500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 0.5A DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Electronics | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 5018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.5A; 250ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.5A; 250ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape | на замовлення 5018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 0.5A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-1 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34J-E3/82 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34J-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-E3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 29208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM | на замовлення 8987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.5A; 250ns; DO213AA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.5A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.5A; 250ns; DO213AA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.5A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM | на замовлення 3314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay | Diode Switching 600V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay | Diode Switching 600V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay | Diode Switching 600V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 15811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 | Vishay | Diode Switching 600V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34J-E3/98 Код товару: 41775 | Vishay | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: DO-213AA Uзвор., V: 600 V Iвипр., A: 0,5 A Монтаж: SMD Падіння напруги Vf: 1,3 V | у наявності 119 шт: 119 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||
RGL34J-LF/32 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34J/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE FAST MINIMELF 600V 250NS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34J/32 | на замовлення 2392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34J/32 | Vishay | Diode Switching 600V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3/83 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3/83 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3/98 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 0.5A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 600V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34JHE3_A/H | Vishay | Surface-Mount Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 800V, 0.5A, 175C | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 0.5A DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Electronics | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.5A; 500ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 800V Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 500ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 3181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 0.5A DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.5A; 500ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 800V Load current: 0.5A Max. load current: 1.7A Reverse recovery time: 500ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape | на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/82 | на замовлення 81995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34K-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 800V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 3319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/83 | Vishay | Diode Switching 800V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K-E3/83 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 800V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K-E3/83 | Vishay | Diode Switching 800V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K-E3/83 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 0.5A 500ns 10 Amp IFSM | на замовлення 8543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/83 | Vishay | Diode Switching 800V 0.5A 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 4642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 800V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM | на замовлення 30738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 800V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 2374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns 2-Pin DO-213AA T/R | на замовлення 4642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34K-E3/98 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL34KHE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34KHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 800V 500MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 39295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34KHE3/98 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 0.5A 250ns Automotive 2-Pin DO-213AA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34KHE3/98 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GP 800V 500MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34KHE3/98 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM | на замовлення 23075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34KHE3_A/H | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.5A; 250ns; DO213AA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 800V Load current: 0.5A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34KHE3_A/H | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.5A; 250ns; DO213AA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 800V Load current: 0.5A Reverse recovery time: 250ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 4pF Case: DO213AA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GP 1000V 0.5A DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (MINIMELF) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 0.5A; 500ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 0.5A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 1.7A Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 0.5A; 500ns; MiniMELF plastic Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 0.5A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.3V Max. load current: 1.7A Max. forward impulse current: 8.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, Fast, MiniMelf, 1000V, 0.5A, 175C | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Diode Switching 1KV 0.5A Automotive 2-Pin Mini-MELF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL34M | Diotec Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 0.5A 500ns 2-Pin Mini-MELF T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41A | на замовлення 7853 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41A-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 50 Volt 150ns | на замовлення 6469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41A-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 8220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41A-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41A-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41A-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 50 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41A-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41AHE3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 50 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41AHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41AHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41AHE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 50 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41B | CENTRAL | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
RGL41B | GS | 1A | на замовлення 25290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41B-5300 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41B-E3/76 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41B-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41B-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41B-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41B/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41B/26 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41BHE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41BHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41BHE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 100 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41BHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41D | GI | 1A | на замовлення 27729 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - RGL41D-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGL41 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 5310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 9034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 200 Volt 150ns | на замовлення 10490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41D-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41D-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 200 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41D-E3/97 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41D/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41DHE3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 200 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41DHE3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41DHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41DHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41DHE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 200 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41G | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41G | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41G-E3/25 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 8570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 Код товару: 192844 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 400 Volt 150ns | на замовлення 12205 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41G-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41G-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 400 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41G-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41G/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41GHE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 400 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41GHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41GHE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 400 Volt 150ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41GHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J | VISHAY | DO213AB | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41J-7002E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/46 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - RGL41J-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A Bauform - Diode: DO-213AB Durchlassstoßstrom: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 250 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод SMD; Uзвор, В = 600; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,3; If, A = 1; C, пФ @ Ur, В; F, МГц = 15 @ 4; 1 кГц; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 600; trr, нс = 250 мс; Тексп, °C = -65...+175; Темп.опір,°C/Вт = 30; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = | на замовлення 48 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 6190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | VISHAY | Description: VISHAY - RGL41J-E3/96 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns | на замовлення 30315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns | на замовлення 9895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 9747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41J-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41J/75 | VISHAY | DO213 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41JHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41JHE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41JHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41JHE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K | GSI | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/25 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; DO213AB; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: DO213AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 15pF Reverse recovery time: 0.5µs Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 800 Volt 500ns | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 6215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; DO213AB; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: DO213AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 15pF Reverse recovery time: 0.5µs Load current: 1A Max. forward voltage: 1.3V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 800 Volt 500ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K/46 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1 Amp 800 Volt 500ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41K/46 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3_A/H | Vishay | 1A,800V,500NS,FS. SUPERECT,MELF | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,800V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns Automotive 2-Pin DO-213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,800V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41L | VISHAY | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
RGL41M | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M | на замовлення 118500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGL41M-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41M-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 1000Volt 500ns | на замовлення 6194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41M-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 12933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL41M-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1 Amp 1000Volt 500ns | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M-E3/97 | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41M/1 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3-B/H | Vishay | Vishay 1A 1000V 500NS FS. SUPERECT M | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3-B/I | Vishay | Vishay 1A,1000V,500NS,FS. SUPERECT, M | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3_A/H | Vishay | 1A,1000V,500NS,FS. SUPERECT, MELF | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL41MHE3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin DO-213AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470M2GBK-1045 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 47uF 400V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470M2GBK-1330 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 47uF 400 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470M2WBK-1050 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 47uF 450 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470M2WBK-1335 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 47uF 450 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470M2WBKF1335 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 47uF 450V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470M2WUE-1045 | Lelon | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 47uF 450 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL470V2GBK-1330 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 47uF 400 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL560M2GBKF1330 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 56uF 400V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL560M2WBK-1335 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Axial Leaded 56uF 20% 450V Slim Type | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL560M2WBK-1340 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 56uF 450 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL560M2WBKF1340 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 56uF 450V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL561M2DBK-1845 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 560uF 200 Volts 20% | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL680M2GBK-1335 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 68uF 400V 20% (12.5 X 35mm) Radial 5mm 540mA 2000h 105C Bulk | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
RGL680M2GBKF1335 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 68uF 400V 20% (12.5 X 35mm) Radial 5mm 540mA 2000h 105C Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL680M2GBKF1335 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 400 Volts 68uF 13X35 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL680M2GBKF1340 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 400 Volts 68uF 13X40 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL680M2GBKF1340 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 68uf 400V 20% (12.5x40mm) Radial 5mm 2000h 105C High Ripple Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL680M2WBK-1340 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Leaded 68uF 450V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL680M2WBK-1350 | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 68uF 450 Volts 20% | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGL680M2WBKF1350 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 105C 20% 68uF 450V flat rubber bung 13mm x 50mm bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL820M2GBKF1340 | Lelon | Cap Aluminum Lytic 82uF 400V 20% (12.5 X 40mm) Radial 5mm 620mA 2000h 105C | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL820M2WBK-1350 | Lelon | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 82uF 450V 20% Tol. | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGL820M2WBKF1350 | Lelon | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 450 Volts 82uF 13X50 | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD10Z103G | Murata Electronics | RGLD10Z103G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD11X103J | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLD3X150G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 15 Ohm 2% 0.375W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 4-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X103G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 2% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X103G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD4X103G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X103J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X103J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD4X103J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X104J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD4X104J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X104J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 100K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X104JT2 | Murata Electronics | Res Thick Film NET 100K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X183J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 18K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X472J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 4.7K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X473J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 47K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4X682J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 6.8K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 5-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD4Y103JT2 | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 5% 0.5W(1/2W) ±200ppm/C ISOL Conformal Coated 8-Pin SIP Pin Thru-Hole Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD5X103G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD5X103G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD5X103G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 2% 0.625W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 6-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD5X104JT2 | Murata Electronics | Res Thick Film NET 100K Ohm 5% 0.625W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 6-Pin SIP Pin Thru-Hole Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X150J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 15 Ohm 5% 0.75W(3/4W) ±200ppm/C BUS Conformal Coated 7-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X150J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X150J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X330G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X330G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X330J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X330J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X331G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X331G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X331J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X331J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X332G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X332G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X332J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X332J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X333G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X333G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X333J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X333J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X334G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X334G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X334J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X334J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X390G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X390G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X390J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X390J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X391G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X391G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X391J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X391J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X392G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X392G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X392J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X392J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X393G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X393G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X393J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X393J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X394G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X394G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD6X394J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD6X394J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8M564J | Murata Electronics | RGLD8M564J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8W103J-T21 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLD8W472J223J-T21 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLD8X102J | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLD8X102JT2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLD8X103G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 2% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X103J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X104J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 100K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X152G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 1.5K Ohm 2% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X182J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 1.8K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X222G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 2.2K Ohm 2% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X222J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 2.2K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X391G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 390 Ohm 2% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X391J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 390 Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X470J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 47 Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X471J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 470 Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X472G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 4.7K Ohm 2% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X472J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 4.7K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X473G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 47K Ohm 2% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X473J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 47K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD8X562J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 5.6K Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 9-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD9X103G | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD9X103G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD9X103G | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 2% 1.125W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 10-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD9X103J | Murata Electronics | Resistor Networks & Arrays RGLD9X103J | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD9X103J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 10K Ohm 5% 1.125W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 10-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLD9X331G | MURATA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
RGLE10X560J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 56 Ohm 5% 1W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 11-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLE11X104J | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLE13X180G | Murata Electronics | RGLE13X180G | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLE6X562J | Murata Electronics | Res Thick Film NET 5.6K Ohm 5% 0.6W ±200ppm/C BUS Conformal Coated 7-Pin SIP Pin Thru-Hole | товар відсутній | |||||||||||||||||
RGLN8X301J | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLN8X331J | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
RGLR200FTDANL | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |