RGL41J-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 7.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGL41J-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції RGL41J-E3/97 за ціною від 6.34 грн до 25.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGL41J-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 9747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGL41J-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1 Amp 600 Volt 250ns |
на замовлення 9895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RGL41J-E3/97 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
RGL41J-E3/97 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
RGL41J-E3/97 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |