Технічний опис RGL34B-E3/83 Vishay
Description: DIODE GP 100V 500MA DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RGL34B-E3/83
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RGL34B-E3/83 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
RGL34B-E3/83 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-213AA (GL34) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
![]() |
RGL34B-E3/83 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |