Продукція > QH8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
QH8-0093QFP208
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-0221-030
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-0925/M66417-0011FP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-1253-04
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-80409/1111F024
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8331DIP32
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8350PQ100
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8409TOSHQFP100
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8516
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8516QFP144
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8548
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8648-01FUJ
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8796
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-8911
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-891196
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-9002-03
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-900203CANON
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8-9016-01CANON
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH800
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH81257
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8JA1TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5A; Idm: -18A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8JA1TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5A; Idm: -18A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8JA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.62 грн
10+ 54.49 грн
100+ 36.95 грн
500+ 31.3 грн
1000+ 25.5 грн
3000+ 23.91 грн
6000+ 22.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.26 грн
500+ 28.75 грн
1000+ 20.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+ 48.91 грн
100+ 37.99 грн
500+ 30.23 грн
1000+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.79 грн
16+ 51.12 грн
100+ 39.26 грн
500+ 28.75 грн
1000+ 20.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
QH8JB5TCRROHM SemiconductorMOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.52 грн
10+ 76.91 грн
100+ 52.02 грн
500+ 44.12 грн
1000+ 36.01 грн
3000+ 34.49 грн
6000+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.65 грн
500+ 36.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
13+ 64.21 грн
100+ 46.65 грн
500+ 36.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
QH8JB5TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8JB5TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87 грн
10+ 68.98 грн
100+ 53.6 грн
500+ 42.64 грн
1000+ 34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 4606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.56 грн
10+ 70.19 грн
100+ 54.55 грн
500+ 43.4 грн
1000+ 35.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8JC5TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.5A; Idm: -14A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 101mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8JC5TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.5A; Idm: -14A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 101mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8JC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
на замовлення 9892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.52 грн
10+ 72.32 грн
100+ 51.37 грн
500+ 41.23 грн
1000+ 35.94 грн
3000+ 33.11 грн
6000+ 31.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8JE5TCRROHM SemiconductorMOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.36 грн
10+ 63.66 грн
100+ 37.82 грн
500+ 31.52 грн
1000+ 26.88 грн
3000+ 24.34 грн
6000+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 18121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+ 41.06 грн
100+ 28.4 грн
500+ 22.27 грн
1000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.68 грн
6000+ 17.04 грн
9000+ 15.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8K22TCRROHM SemiconductorMOSFET QH8K22 is low on - resistance MOSFET for Switching. 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.42 грн
10+ 45.83 грн
100+ 27.53 грн
500+ 23.04 грн
1000+ 19.63 грн
3000+ 17.46 грн
6000+ 16.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
QH8K26TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7A; Idm: 18A; 2.6W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.6W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8K26TRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7A; Idm: 18A; 2.6W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.6W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
QH8K26TRROHM SemiconductorMOSFET QH8K26 is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching and motor drive.
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.72 грн
10+ 60.41 грн
100+ 40.94 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 28.26 грн
3000+ 26.52 грн
6000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+ 55.85 грн
100+ 43.43 грн
500+ 34.54 грн
1000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8K51TRROHM SemiconductorMOSFET QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.22 грн
10+ 64.49 грн
100+ 43.62 грн
500+ 37.02 грн
1000+ 30.14 грн
3000+ 28.33 грн
6000+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.02 грн
10+ 59.55 грн
100+ 46.31 грн
500+ 36.84 грн
1000+ 30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.26 грн
6000+ 28.67 грн
9000+ 27.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8KA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.93 грн
10+ 40.66 грн
100+ 24.56 грн
500+ 20.5 грн
1000+ 17.46 грн
3000+ 15.79 грн
6000+ 14.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+ 36.45 грн
100+ 25.25 грн
500+ 19.8 грн
1000+ 16.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8KA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.4 грн
10+ 49.16 грн
100+ 29.56 грн
500+ 24.71 грн
1000+ 21.01 грн
3000+ 18.98 грн
6000+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.24 грн
10+ 44.91 грн
100+ 29.35 грн
500+ 21.26 грн
1000+ 19.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8KA2TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8KA2TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.51 грн
10+ 44 грн
100+ 30.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.73 грн
25+ 33.81 грн
100+ 26.01 грн
500+ 21.81 грн
1000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.32 грн
10+ 56.45 грн
100+ 43.89 грн
500+ 34.91 грн
1000+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8KA3TCRROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 11488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.53 грн
10+ 63.57 грн
100+ 46.08 грн
500+ 41.66 грн
1000+ 38.69 грн
3000+ 32.89 грн
24000+ 28.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.05 грн
500+ 26.04 грн
1000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.62 грн
6000+ 28.08 грн
9000+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.52 грн
500+ 44.91 грн
1000+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
QH8KA4TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8KA4TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 11528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+ 58.34 грн
100+ 45.36 грн
500+ 36.08 грн
1000+ 29.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8KA4TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.22 грн
10+ 62.49 грн
100+ 43.4 грн
500+ 37.24 грн
1000+ 30.36 грн
3000+ 28.11 грн
6000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: TSMT
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
Dauer-Drainstrom Id: 9A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.91 грн
11+ 80.46 грн
100+ 58.52 грн
500+ 44.91 грн
1000+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
QH8KB5TCRROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.63 грн
10+ 48.08 грн
100+ 28.98 грн
500+ 24.2 грн
1000+ 20.65 грн
3000+ 18.98 грн
6000+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.51 грн
10+ 49.13 грн
100+ 32.29 грн
500+ 23.47 грн
1000+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.16 грн
10+ 62.26 грн
100+ 48.44 грн
500+ 38.53 грн
1000+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KB6TCRROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 11350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.35 грн
10+ 67.41 грн
100+ 45.65 грн
500+ 38.69 грн
1000+ 31.52 грн
3000+ 29.63 грн
6000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8KC5TCRROHM SemiconductorMOSFET 60V N&N-CHANNEL
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.28 грн
10+ 52.16 грн
100+ 31.37 грн
500+ 26.3 грн
1000+ 22.39 грн
3000+ 19.85 грн
6000+ 18.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58 грн
10+ 48.15 грн
100+ 33.35 грн
500+ 26.15 грн
1000+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8KC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.27 грн
14+ 60.55 грн
100+ 46.41 грн
500+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8KC6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.023 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.1 грн
10+ 83.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+ 66.87 грн
100+ 52.01 грн
500+ 41.37 грн
1000+ 33.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KC6TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 N CHAN 60V
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.29 грн
10+ 73.32 грн
100+ 49.56 грн
500+ 41.95 грн
1000+ 34.2 грн
3000+ 31.3 грн
6000+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8KE5TCRROHM SemiconductorMOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.53 грн
10+ 43.58 грн
100+ 25.87 грн
500+ 21.59 грн
1000+ 18.98 грн
3000+ 16.08 грн
6000+ 15.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
QH8M22TCRROHM SemiconductorMOSFET QH8M22 is the high reliability transistor, suitable for switching applications. 40V Nch+Pch Power MOSFET.
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.36 грн
10+ 78.24 грн
100+ 52.6 грн
500+ 44.63 грн
1000+ 36.3 грн
3000+ 34.2 грн
6000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.23 грн
6000+ 34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8M22TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 4.5/2A; Idm: 18A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 4.5/2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59/260mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6/9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8M22TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 4.5/2A; Idm: 18A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 4.5/2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59/260mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6/9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 7541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.13 грн
10+ 70.94 грн
100+ 55.16 грн
500+ 43.87 грн
1000+ 35.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8MA2TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4.5/3A; Idm: 12A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.5/3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8/8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8MA2TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4.5/3A; Idm: 12A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.5/3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8/8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
10+ 34.19 грн
100+ 23.67 грн
500+ 18.56 грн
1000+ 15.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
QH8MA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.8 грн
10+ 36.33 грн
100+ 22.97 грн
500+ 19.2 грн
1000+ 16.37 грн
3000+ 14.78 грн
6000+ 13.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
QH8MA3TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/5.5A; Idm: 18A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2/10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+35.19 грн
364+ 33.77 грн
500+ 32.56 грн
1000+ 30.37 грн
2500+ 27.28 грн
Мінімальне замовлення: 350
QH8MA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V N+P Ch MOSFET
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.52 грн
10+ 51.08 грн
100+ 30.29 грн
500+ 25.87 грн
1000+ 22.03 грн
3000+ 19.63 грн
6000+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.17 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 20.06 грн
5000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+35.19 грн
364+ 33.77 грн
500+ 32.56 грн
1000+ 30.37 грн
2500+ 27.28 грн
Мінімальне замовлення: 350
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товар відсутній
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.37 грн
18+ 47.22 грн
100+ 36.17 грн
500+ 27.17 грн
1000+ 20.06 грн
5000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
QH8MA3TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/5.5A; Idm: 18A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2/10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.7 грн
10+ 49.21 грн
100+ 38.29 грн
500+ 30.46 грн
1000+ 24.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8MA4TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/8A; Idm: 18A; 2.6W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.6W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.7/40.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
QH8MA4TCRROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/8A; Idm: 18A; 2.6W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.6W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.7/40.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QH8MA4TCRROHM SemiconductorMOSFET Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.62 грн
10+ 54.83 грн
100+ 37.1 грн
500+ 31.44 грн
1000+ 25.58 грн
3000+ 24.13 грн
6000+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8MB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
12+ 70.31 грн
100+ 49.74 грн
500+ 36.53 грн
1000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
QH8MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
QH8MB5TCRROHM SemiconductorMOSFET 40V N&P-CHANNEL
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.12 грн
10+ 62.32 грн
100+ 37.53 грн
500+ 31.37 грн
1000+ 26.66 грн
3000+ 23.76 грн
6000+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8MB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.4 грн
10+ 55.85 грн
100+ 38.66 грн
500+ 30.31 грн
1000+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8MB5TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+48 грн
500+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 257
QH8MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
QH8MC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.95 грн
14+ 61.2 грн
100+ 47.71 грн
500+ 37.36 грн
1000+ 26.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
QH8MC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.48 грн
10+ 49.96 грн
100+ 38.88 грн
500+ 30.93 грн
1000+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
QH8MC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.0A-3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Small Signal MOSFET
на замовлення 33406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.14 грн
10+ 55.83 грн
100+ 37.75 грн
500+ 32.02 грн
1000+ 25.87 грн
3000+ 24.56 грн
6000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5