QH8KC5TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.58 грн |
| 10+ | 47.81 грн |
| 100+ | 33.11 грн |
| 500+ | 25.96 грн |
| 1000+ | 22.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8KC5TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 3, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції QH8KC5TCR за ціною від 18.63 грн до 67.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8KC5TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 60V N&N-CHANNEL |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QH8KC5TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 3 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QH8KC5TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товар відсутній |