QH8MA3TCR Rohm Semiconductor
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 350+ | 34.51 грн |
| 364+ | 33.12 грн |
| 500+ | 31.94 грн |
| 1000+ | 29.79 грн |
| 2500+ | 26.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8MA3TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції QH8MA3TCR за ціною від 17.57 грн до 58.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QH8MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QH8MA3TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QH8MA3TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QH8MA3TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V N+P Ch MOSFET |
на замовлення 5149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QH8MA3TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/5.5A; Idm: 18A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 46/72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2/10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
QH8MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
QH8MA3TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| QH8MA3TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/5.5A; Idm: 18A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 2.5W Case: TSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 46/72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2/10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |