Продукція > NXP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXPNXP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXP P89LPC936FDHNXP
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXP ICODE SLIX2-DYMOLUX IDentHF-Label 34x17mm, Pitch 32mm, NXP ICODE SLIX2-DYMO
товару немає в наявності
NXP(PHILIPS)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXP3875GRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875G/SOT23/TO-236AB
на замовлення 13769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
24+ 13.79 грн
100+ 5.18 грн
1000+ 3.34 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 1.85 грн
24000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
NXP3875GRNEXPERIATrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
NXP3875GRNEXPERIANXP3875GR NPN SMD transistors
товару немає в наявності
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.89 грн
31+ 9.61 грн
100+ 5.99 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
NXP3875GRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
NXP3875YRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
NXP3875YRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.36 грн
22+ 14.85 грн
100+ 5.25 грн
1000+ 3.34 грн
3000+ 2.77 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.96 грн
23+ 12.94 грн
100+ 6.31 грн
500+ 4.94 грн
1000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
NXP3875YVLNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
NXP6517EL1/139/1A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2666.51 грн
10+ 2501.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9034.98 грн
5+ 8404.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPD1000OmronPower Supply
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14154.27 грн
5+ 13131.05 грн
10+ 12587.79 грн
25+ 11812.72 грн
NXPD1000OmronPower Supply
товару немає в наявності
NXPESD-PROMOKITNXP SemiconductorsDescription: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
товару немає в наявності
NXPESD1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXPESD2-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
товару немає в наявності
NXPLOGIC1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT LOGIC 10EA OF 17 VAL
товару немає в наявності
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsNXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC10650/TO-220AC/STANDARD
товару немає в наявності
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPLQSC20650W6QWeenNXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsNXPLQSC30650W6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPLQSC30650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPLQSC30650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 30 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.55 грн
5+ 433.11 грн
10+ 390.91 грн
50+ 354.12 грн
100+ 315.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsDescription: NXPLQSC30650WQ TO-247 STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPLQSC30650WQNXP SemiconductorsNXPLQSC30650WQ
товару немає в наявності
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPLQSC30650WQWeenNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPMC68040FE33ACypress Semiconductor CorpDescription: MC680MICROPROCESSO32-BIHCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
NXPMOSFET-DESIGNKITNXP USA Inc.Description: KIT DESIGN MOSFET LFPAK
Packaging: Box
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 180 Pieces (18 Values - 10 Each)
Kit Type: MOSFETs
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
NXPPICMG/4USYSTEM-OSPArrowCCP54-NXPPICMG/4USystem
товару немає в наявності
NXPPICMG/4USYSTEM-OSP-RPRArrowRepair BOM
товару немає в наявності
NXPS20H100C,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1110
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
NXPS20H100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товару немає в наявності
NXPS20H100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товару немає в наявності
NXPS20H100CX,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
на замовлення 162340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1065+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1065
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
товару немає в наявності
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 110V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 110 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 110 V
товару немає в наявності
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXPS20H110C,127WeenRectifier Diode Schottky 110V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
NXPS20S100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товару немає в наявності
NXPS20S100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товару немає в наявності
NXPS20S110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
товару немає в наявності
NXPS2P33Lattice SemiconductorMPEG TS Serial to Parallel Converter ASIC 48pin TQFP*
товару немає в наявності
NXPSC046506QWeenNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC046506QNexperiaNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.76 грн
10+ 124.87 грн
100+ 86.59 грн
500+ 71.68 грн
1000+ 59.55 грн
2000+ 57.56 грн
5000+ 55.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsNXPSC046506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.43 грн
10+ 185.04 грн
100+ 148.75 грн
500+ 114.69 грн
1000+ 95.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; D2PAK; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.9 грн
5+ 76.46 грн
18+ 57.66 грн
50+ 54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; D2PAK; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.25 грн
7+ 61.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.09 грн
1600+ 104.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC04650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.57 грн
10+ 189.7 грн
100+ 152.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650BJNXP SemiconductorsNXPSC04650BJ
товару немає в наявності
NXPSC04650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.82 грн
10+ 180.46 грн
100+ 145.03 грн
500+ 111.83 грн
1000+ 93.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC04650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.95 грн
10+ 84.39 грн
100+ 76.99 грн
500+ 67.35 грн
1000+ 59.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.42 грн
500+ 68.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.65 грн
5+ 107.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.35 грн
11+ 77.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC04650QWeenDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220AC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.98 грн
10+ 177.58 грн
100+ 142.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC04650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC04650XQWeenNXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC04650XQNXP SemiconductorsNXPSC04650XQ
товару немає в наявності
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsNXPSC066506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.01 грн
10+ 234.58 грн
100+ 192.19 грн
500+ 153.54 грн
1000+ 129.49 грн
2000+ 123.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.68 грн
1600+ 150.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.82 грн
10+ 246.7 грн
100+ 202.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC06650B6JWeenNXPSC06650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.61 грн
10+ 238.64 грн
100+ 195.49 грн
500+ 156.18 грн
1000+ 137.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC06650DJWeenNXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
товару немає в наявності
NXPSC06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
NXPSC06650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.26 грн
10+ 224.89 грн
100+ 184.24 грн
500+ 147.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.89 грн
10+ 249.21 грн
100+ 204.17 грн
500+ 163.11 грн
1000+ 143.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC06650XQWeenNXPSC06650XQ/TO220F-2L
товару немає в наявності
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650XQ/TO220F-2L
товару немає в наявності
NXPSC08650WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650/TO-220AC/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.75 грн
10+ 262.59 грн
100+ 212.47 грн
500+ 177.24 грн
1000+ 151.76 грн
2000+ 142.9 грн
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.58 грн
10+ 265.92 грн
100+ 215.12 грн
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+198.58 грн
1600+ 163.73 грн
2400+ 154.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC08650BJNXP SemiconductorsNXPSC08650BJ
товару немає в наявності
NXPSC08650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.43 грн
10+ 179.13 грн
100+ 157.64 грн
500+ 141.2 грн
1000+ 128.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+156.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.91 грн
10+ 259.34 грн
100+ 209.81 грн
500+ 175.02 грн
1000+ 149.86 грн
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC08650DJWeenNXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
товару немає в наявності
NXPSC08650DJNXP SemiconductorsNXPSC08650DJ
товару немає в наявності
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsRectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 48A
Semiconductor structure: single diode
Load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO220AC
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.53 грн
10+ 303.33 грн
100+ 249.99 грн
500+ 175.21 грн
1000+ 159.69 грн
2000+ 151.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC08650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.75 грн
10+ 262.59 грн
100+ 212.47 грн
500+ 177.24 грн
1000+ 151.76 грн
2000+ 142.9 грн
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC08650XQNXP SemiconductorsNXPSC08650XQ
товару немає в наявності
NXPSC106506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.13 грн
10+ 170.38 грн
100+ 140.92 грн
500+ 116.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsNXPSC106506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.34 грн
50+ 226.13 грн
100+ 193.83 грн
500+ 177.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.25 грн
500+ 196.65 грн
1000+ 154.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXPSC10650B6JWeenNXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+257.06 грн
1600+ 211.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.34 грн
10+ 293.78 грн
100+ 237.25 грн
500+ 196.65 грн
1000+ 154.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.08 грн
10+ 344.21 грн
100+ 278.48 грн
NXPSC10650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited934070005118
товару немає в наявності
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC10650B/D2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+203.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.64 грн
10+ 337.48 грн
100+ 272.97 грн
500+ 227.71 грн
1000+ 194.97 грн
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товару немає в наявності
NXPSC10650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.47 грн
10+ 217.87 грн
100+ 176.21 грн
500+ 161.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC10650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.48 грн
10+ 340.81 грн
100+ 275.72 грн
500+ 230.01 грн
1000+ 196.94 грн
2000+ 185.44 грн
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.83 грн
10+ 353.08 грн
100+ 285.63 грн
500+ 238.27 грн
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsNXPSC126506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC126506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.08 грн
10+ 228.5 грн
100+ 185.5 грн
500+ 153.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+331.07 грн
1600+ 279.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.96 грн
10+ 457.03 грн
100+ 374.5 грн
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.6 грн
10+ 361.14 грн
100+ 301 грн
500+ 249.24 грн
1000+ 224.32 грн
2000+ 210.19 грн
NXPSC166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 26 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.27 грн
10+ 199.83 грн
100+ 166.4 грн
500+ 136.77 грн
1000+ 122.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
NXPSC16650B6JWeenNXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+434.7 грн
10+ 347.92 грн
100+ 310.5 грн
500+ 255.05 грн
1000+ 211.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585 грн
10+ 509.15 грн
100+ 421.52 грн
500+ 344.46 грн
1000+ 320.53 грн
NXPSC20650QWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC20650/TO-220AC/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXPSC20650W-AQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.98 грн
10+ 428.33 грн
100+ 315.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.31 грн
10+ 511.74 грн
100+ 444.28 грн
480+ 357.7 грн
NXPSC20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.42 грн
10+ 394.89 грн
100+ 327.22 грн
200+ 245.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.77 грн
10+ 281.59 грн
NXPSC20650WQWeenNXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товару немає в наявності
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товару немає в наявності