![NXPSC086506Q NXPSC086506Q](https://media.digikey.com/Photos/WeEn%20Semiconductors/NXPSC066506Q.jpg)
NXPSC086506Q WeEn Semiconductors
![nxpsc08650.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.38 грн |
10+ | 295.42 грн |
100+ | 242.09 грн |
500+ | 193.4 грн |
1000+ | 169.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC086506Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V.
Інші пропозиції NXPSC086506Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NXPSC086506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
NXPSC086506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |