![NXPSC106506Q NXPSC106506Q](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO220AC-40.jpg)
NXPSC106506Q WEEN SEMICONDUCTORS
![WEEN-S-A0011800654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 223.2 грн |
10+ | 171.2 грн |
100+ | 141.6 грн |
500+ | 116.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXPSC106506Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 16nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NXPSC106506Q за ціною від 178.77 грн до 297.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NXPSC106506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NXPSC106506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
NXPSC106506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
NXPSC106506Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 50A |
товар відсутній |