Продукція > IKQ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKQ100N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ100N120CH7XKSA1 - IGBT, 166 A, 1.7 V, 721 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 721W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 166A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 166A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 148 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 66ns/547ns Switching Energy: 6.7mJ (on), 2.52mJ (off) Gate Charge: 696 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 166 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 721 W | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | на замовлення 720 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 166A 721W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 203 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-55 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/200ns Switching Energy: 6.87mJ (on), 4.71mJ (off) Gate Charge: 610 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 188 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 824 W | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N60T | Infineon technologies | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IKQ100N60TA | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 225 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V Gate Charge: 610 nC Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 714 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 100A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 610nC Kind of package: tube Turn-on time: 68ns Turn-off time: 321ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 230 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V Gate Charge: 610 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 714 W | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 100A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 610nC Kind of package: tube Turn-on time: 68ns Turn-off time: 321ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ100N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 714 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOPT Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ100N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 714000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ120N120CH7XKSA1 - IGBT, 170 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 170A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005578286 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Tube Part Status: Active | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package | на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 216A TO247 Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 205 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 710 nC Current - Collector (Ic) (Max): 216 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Power - Max: 1004 W Td (on/off) @ 25°C: 44ns/205ns Switching Energy: 10.3mJ (on), 5.72mJ (off) | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ120N120CS7XKSA1 - IGBT, 216 A, 1.65 V, 1.004 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.004kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 216A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 216A 1004W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60T | Infineon technologies | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IKQ120N60T | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TA | Infineon Technologies | Infineon DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 772 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 833 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TAXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 772nC Kind of package: tube Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TAXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 772nC Kind of package: tube Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TAXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 833W Case: PG-TO247-3-46 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 703nC Kind of package: tube Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 833W Case: PG-TO247-3-46 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 703nC Kind of package: tube Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ120N60TXKSA1 - IGBT, 160 A, 1.5 V, 833 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 833W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 241 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 703 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 833 W | на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ120N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 498W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 120A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/287ns Switching Energy: 4.2mJ (on), 3.7mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 251 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 498 W | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ120N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 175A 962W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ140N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ140N120CH7XKSA1 - IGBT, 175 A, 1.7 V, 962 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 962W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 175A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 175A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 144 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 68ns/541ns Switching Energy: 8.84mJ (on), 3.38mJ (off) Gate Charge: 970 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 175 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A Power - Max: 962 W | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package | на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ150N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 621W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ150N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/341ns Switching Energy: 5.8mJ (on), 5.4mJ (off) Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 301 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 621 W | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ150N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ150N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKQ40N120CH3XKSA1 - IKQ40N120 - HIGH SPEED SWITCHING IGBT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 76ns Turn-off time: 331ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 76ns Turn-off time: 331ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ40N120CT2XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 133W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 75ns Turn-off time: 379ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 133W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 75ns Turn-off time: 379ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKQ40N120CT2XKSA1 - IKQ40N120 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARAL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CH3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 173W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 173W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 71A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/323ns Switching Energy: 2.61mJ (on), 1.1mJ (off) Gate Charge: 366 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 71 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 398 W | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CT2 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ50N120CT2XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/312ns Switching Energy: 3.8mJ (on), 3.3mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 151W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 151W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 31160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 256W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH3XKSA1 Код товару: 162552 | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||||
IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IKQ75N120CH7XKSA1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 549W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 149 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 56ns/470ns Switching Energy: 5.28mJ (on), 1.76mJ (off) Gate Charge: 518 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 549 W | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 440 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/300ns Switching Energy: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 530 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 880 W | на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 440W Case: PG-TO247-3-46 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 530nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 440W Case: PG-TO247-3-46 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 530nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 880W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 154A 630W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IKQ75N120CS7XKSA1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CS7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 630W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 154A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 154A TO247-3 Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 38ns/190ns Switching Energy: 5.13mJ (on), 3.48mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 2.1Ohm, 15V Gate Charge: 450 nC Current - Collector (Ic) (Max): 154 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 630 W | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2 | Infineon Technologies | Description: IKQ75N120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CT2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/328ns Switching Energy: 6.7mJ (on), 4.1mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQ75N120CT2XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 237W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 237W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 237W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB120N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB120N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBTChip N-CH 750V 150A 577W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQB120N75CP2AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQB120N75CP2AKSA1 - IGBT, 150 A, 1.4 V, 577 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 577W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB160N75CP2AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQB160N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 750 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB160N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 750V 200A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 160A Supplier Device Package: PG-TO247-3-51 Td (on/off) @ 25°C: 72ns/324ns Switching Energy: 9.7mJ (on), 5.2mJ (off) Test Condition: 450V, 160A, 4.8Ohm, 15V Gate Charge: 610 nC Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 750 W | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB160N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB160N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 750V 200A 750W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQB200N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB200N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKQB200N75CP2AKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBTChip N-CH 750V 200A 937W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||
IKQB200N75CP2AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKQB200N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 937 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 937W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|