IKQ75N120CH3XKSA1

IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikq75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.41 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 1200V 150A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns, Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 938 W.

Інші пропозиції IKQ75N120CH3XKSA1 за ціною від 699.04 грн до 1441.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IKQ75N120CH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817a3920534 Description: IGBT 1200V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns
Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1122.44 грн
30+ 874.71 грн
120+ 823.27 грн
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IKQ75N120CH3_DataSheet_v02_03_EN-3361840.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1181.77 грн
10+ 1026.17 грн
25+ 867.63 грн
50+ 820.37 грн
100+ 771.7 грн
240+ 747.01 грн
480+ 699.04 грн
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1338.97 грн
10+ 1218.81 грн
100+ 1030.29 грн
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+1441.96 грн
10+ 1312.57 грн
100+ 1109.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKQ75N120CH3XKSA1
Код товару: 162552
Infineon-IKQ75N120CH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817a3920534 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKQ75N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ikq75n120ch3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKQ75N120CH3XKSA1 IKQ75N120CH3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IKQ75N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній