![IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/448_TO-247-3-Super-EP.jpg)
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817be8a0538](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 692.81 грн |
30+ | 532.44 грн |
120+ | 476.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-46, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns, Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції IKQ40N120CH3XKSA1 за ціною від 361.7 грн до 744.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 76ns Turn-off time: 331ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IKQ40N120CH3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 76ns Turn-off time: 331ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |