Продукція > IGO
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGO17 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
IGO60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 19A GaN T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO Packaging: Bulk Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | на замовлення 1164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Infineon Technologies | SP005557222 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | Infineon Technologies | GaN FETs N | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGO60R070D1AUMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGO60R070D1E8220AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGO7470 | SANYO | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IGOT60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 19A GaN T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1 | Infineon Technologies | Infineon GAN HV | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | 600V enhancement-mode JFET Transistor | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO Packaging: Bulk Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IGOT60R070D1AUMA1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGOT60R070D1AUMA1 - GAN HV tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies | IGOT60R070D1AUMA3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies | GaN FETs N | на замовлення 723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies | SP005557207 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies | IGOT60R070D1AUMA3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGOT60R070D1E8220AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1E8237AUMA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT60R070D1E8237AUMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGOT65R055D2 | Infineon Technologies | 650 V e-mode power transistor | товару немає в наявності |