IGO60R070D1AUMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pins
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 821.47 грн |
| 50+ | 759.8 грн |
| 100+ | 700.66 грн |
| 250+ | 699.97 грн |
| 500+ | 699.28 грн |
| 1250+ | 698.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGO60R070D1AUMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pins, Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IGO60R070D1AUMA2 за ціною від 509.02 грн до 991.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGO60R070D1AUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs N |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IGO60R070D1AUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pins Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IGO60R070D1AUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IGO60R070D1AUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005557222 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
IGO60R070D1AUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-85 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
товар відсутній |