Продукція > FQT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQT-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE
товару немає в наявності
FQT-1BKEssentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK
товару немає в наявності
FQT-1BKEssentraTest Probes VOLT. PROBE SET GRN-BLK 4MM 150 MHZ 100:1 2000V-1000V CAT III TO EARTH
товару немає в наявності
FQT13N06FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06onsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 140MOHM SOT223
товару немає в наявності
FQT13N06Lonsemi / FairchildMOSFET QF 60V 110MOHM L SO223
товару немає в наявності
FQT13N06LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06LTFonsemi / FairchildMOSFET 60V Single
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
FQT13N06LTFFairchild
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT13N06LTFFSCSOT252
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT13N06LTF (транзистор)
Код товару: 48416		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
FQT13N06TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FQT13N06TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT13N06TFonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 42903 шт:
термін постачання 123-132 дні (днів)
6+65.41 грн
10+ 56.56 грн
100+ 37.69 грн
500+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
FQT1N60Consemionsemi QFC 600V 11.5OHM SOT223
товару немає в наявності
FQT1N60CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 1069
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 20838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.65 грн
10+ 38.96 грн
100+ 26.87 грн
500+ 20.05 грн
1000+ 18.36 грн
2000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.36 грн
8000+ 16.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT1N60CTF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FQT1N60CTF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FQT1N60CTF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
на замовлення 17947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.24 грн
10+ 50.52 грн
100+ 29.52 грн
500+ 23.42 грн
1000+ 20.87 грн
2000+ 18.95 грн
4000+ 17.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT1N80onsemionsemi QF 800V 20.0OHM SOT223
товару немає в наявності
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT1N80TF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.87 грн
10+ 62.77 грн
100+ 41.79 грн
500+ 30.78 грн
1000+ 28.06 грн
2000+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQT1N80TF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FQT1N80TF-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.6 грн
13+ 65.13 грн
100+ 46.26 грн
500+ 31.2 грн
1000+ 21.09 грн
2000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT1N80TF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 124006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.43 грн
10+ 61.29 грн
100+ 41.02 грн
500+ 32.58 грн
1000+ 28.39 грн
2000+ 26.9 грн
4000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT2P25FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT2P25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT2P25TFON Semiconductor
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT2P25TFON Semiconductor / FairchildMOSFET -250V Single
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT2P25TFONSEMIFQT2P25TF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT3P20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT3P20FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT3P20TFonsemi / FairchildMOSFETs -200V Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.18 грн
10+ 55.5 грн
100+ 32.86 грн
500+ 27.47 грн
1000+ 23.35 грн
2000+ 21.22 грн
4000+ 19.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT3P20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.65 грн
13+ 63.45 грн
100+ 48.72 грн
500+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQT3P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT3P20TFONSEMIFQT3P20TF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
FQT3P20TF
Код товару: 164122		Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.42 грн
10+ 51.9 грн
100+ 39.8 грн
500+ 29.52 грн
1000+ 23.62 грн
2000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товару немає в наявності
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товару немає в наявності
FQT3P20TF_SB82100Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
товару немає в наявності
FQT4N20FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N20Lonsemi / FairchildMOSFET QF 200V 1.75OHM L SOT223
товару немає в наявності
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.06 грн
10+ 48.27 грн
25+ 39.21 грн
35+ 29.99 грн
95+ 28.3 грн
1000+ 27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.45 грн
14+ 45.56 грн
25+ 45.11 грн
100+ 32.41 грн
250+ 29.94 грн
500+ 24 грн
1000+ 18.11 грн
3000+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQT4N20LTFonsemi / FairchildMOSFETs 200V Single
на замовлення 60332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.62 грн
10+ 53.62 грн
100+ 31.72 грн
500+ 24.91 грн
1000+ 21.79 грн
2000+ 20.16 грн
4000+ 20.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+49.07 грн
251+ 48.58 грн
337+ 36.2 грн
338+ 34.82 грн
500+ 26.92 грн
1000+ 19.5 грн
3000+ 19.37 грн
Мінімальне замовлення: 249
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.19 грн
10+ 40.29 грн
100+ 27.82 грн
500+ 20.8 грн
1000+ 19.06 грн
2000+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.55 грн
10+ 38.74 грн
25+ 32.68 грн
35+ 24.99 грн
95+ 23.58 грн
1000+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQT4N20LTF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT4N20LTF TFQT4n20ltf
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQT4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 952
FQT4N20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT4N20TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 1145
FQT4N25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N25onsemi / FairchildMOSFET QF 250V 1.75OHM SOT223
товару немає в наявності
FQT4N25FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 39.18 грн
100+ 27.09 грн
500+ 21.24 грн
1000+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT4N25TFonsemi / FairchildMOSFET 250V Single
товару немає в наявності
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.56 грн
15+ 42.27 грн
25+ 37.96 грн
100+ 30.1 грн
250+ 27.62 грн
500+ 21.97 грн
1000+ 17.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
FQT5P10onsemi / FairchildMOSFETs QF -100V 1.05OHM SOT223
товару немає в наявності
FQT5P10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT5P10FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.35 грн
8000+ 25.42 грн
12000+ 25.04 грн
28000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT5P10TF
Код товару: 169563		Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
FQT5P10TFONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT5P10TFONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.81 грн
50+ 34.71 грн
250+ 28.98 грн
1000+ 22.92 грн
2000+ 19.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.19 грн
10+ 40 грн
100+ 27.6 грн
500+ 20.62 грн
1000+ 18.88 грн
2000+ 17.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT5P10TFonsemi / FairchildMOSFETs -100V Single
на замовлення 129923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.28 грн
10+ 52.72 грн
100+ 30.3 грн
250+ 28.74 грн
500+ 23.56 грн
1000+ 20.3 грн
2500+ 20.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.71 грн
250+ 28.98 грн
1000+ 22.92 грн
2000+ 19.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQT5P10TF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
FQT5P10TF-VBVBsemiTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
FQT7N1
Код товару: 105996		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FQT7N10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10
Код товару: 147595		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FQT7N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 35MOHM SOT223
товару немає в наявності
FQT7N10FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10LFAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10LFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L SOT223
товару немає в наявності
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.35 грн
16+ 50.4 грн
100+ 31.77 грн
500+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.58 грн
8000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT7N10LTFonsemi / FairchildMOSFETs 100V Single
на замовлення 59681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.49 грн
10+ 50.03 грн
100+ 29.03 грн
500+ 22.99 грн
1000+ 20.37 грн
2000+ 18.67 грн
4000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
FQT7N10LTFON-SemicoductorN-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.77 грн
500+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
FQT7N10LTF
Код товару: 106433		Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 37586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 37.33 грн
100+ 25.69 грн
500+ 19.16 грн
1000+ 17.54 грн
2000+ 16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.13 грн
10+ 41.25 грн
100+ 28.52 грн
500+ 22.36 грн
1000+ 19.03 грн
2000+ 16.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10TFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT7N10TFFSC09+ dip
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.56 грн
14+ 58.68 грн
100+ 44.98 грн
500+ 24.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.76 грн
8000+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
FQTN35144-MCF-10Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 100mm cable and MCF
товару немає в наявності
FQTN35144-MCF-40Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 400mm cable and MCF
товару немає в наявності
FQTN35144-MR-10Embedded Antenna DesignPENTA BAND PCB ANTENNA 100MM CABLE AND MMCX RA
товару немає в наявності
FQTN35144-UF-10Embedded Antenna DesignAntenna Penta-Band 2dB Gain 850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz/2100MHz
товару немає в наявності
FQTN35144-UF-15Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 200mm cable and U.FL
товару немає в наявності
FQTNX08Panduit CorpDescription: COPPER CABLE
товару немає в наявності