![FQT4N20LTF FQT4N20LTF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/accd52967ad9d8ab8470e9a44e86b94769617969/3sot-223.jpg)
FQT4N20LTF ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
249+ | 48.59 грн |
251+ | 48.11 грн |
337+ | 35.85 грн |
338+ | 34.48 грн |
500+ | 26.66 грн |
1000+ | 19.31 грн |
3000+ | 19.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT4N20LTF ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQT4N20LTF за ціною від 17.81 грн до 83.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.68A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 60394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.68A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
товар відсутній |