![FQT7N10TF FQT7N10TF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4819/SOT223-3L.jpg)
FQT7N10TF onsemi
![fqt7n10-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 18.48 грн |
8000+ | 16.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQT7N10TF onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQT7N10TF за ціною від 16.7 грн до 49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQT7N10TF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 11936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQT7N10TF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 27261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQT7N10TF | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQT7N10TF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQT7N10TF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
FQT7N10TF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FQT7N10TF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |