Продукція > FF9
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF9-40A-R12B | DDK | 06+ | на замовлення 11286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||
| FF9-50A-R12B | DDK | 06+ | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||
| FF900R12IE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Case: AG-PRIME2-1 Technology: PrimePACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Case: AG-PRIME2-1 Technology: PrimePACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 900A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 1200V PrimePACK 2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material. | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4PBOSA1 | Infineon Technologies | 1200V PrimePACK 2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material. | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4V | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Automotive 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon Technologies | Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IE4VPBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors PP IHM I | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | на замовлення 30 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4 Код товару: 86731 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||
| FF900R12IP4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 8-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | FF900R12IP4B60BOSA1 | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4B60BOSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4BOSA2 | Infineon Technologies | Diode Module with Chopper-IGBT | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4D | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 900A | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Automotive Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100W Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4DV | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF900R12IP4DVBOSA1 - FF900R12 - IGBT MODULE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4DVBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4P | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R12IP4PB60BPSA1 | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4PB60BPSA1 | Infineon Technologies | Description: PP IHM I Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 900A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 900A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A Automotive Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A Automotive Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4V | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I XHP 1 7KV | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12IP4VBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12IP4VBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 5100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Type of module: IGBT Case: AG-ECONOD-5 Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Electrical mounting: Press-Fit; screw Type of module: IGBT Case: AG-ECONOD-5 Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 6 шт | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 900A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R12ME7B11NPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7B11NPSA1 | Infineon Technologies | SP005422550 | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R12ME7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 875 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 875A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Stop | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | PLUG HE13 IDC 90 3 P TUBE | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 890A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 890A | товар відсутній | |||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 890 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R12ME7WB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R12ME7WB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 890 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 890A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDual 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 890A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.8 nF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005423488 | товар відсутній | |||||||||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005630175 | товар відсутній | |||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товар відсутній | |||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray | товар відсутній | |||||||||
| FF900R17ME7PB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R17ME7PB11BPSA1 | товар відсутній | |||||||||
| FF900R17ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | на замовлення 12 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7WB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF900R17ME7WB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 800 A, 1.67 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85044095 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.67V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93800 pF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF900R17ME7WB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF900R17ME7WB11BPSA1 | товар відсутній | |||||||||
| FF90FF | Belden Inc. | Description: RIGHT ANGLE F61 CONNECTOR | товар відсутній | |||||||||
| FF90FM | Belden Inc. | Description: RIGHT ANGLE F CONNECTOR Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||
| FF92 | ebm-papst Inc. | Description: FAN FILTER ASSEMBLY 92MM Packaging: Box Material: Polycarbonate (PC) Fan Accessory Type: Filter Guard Assembly Fits Fan Size: 92mm Sq Part Status: Active | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF92 | EBM Papst | Thrml Mgmt Access Fan Filter Guard 92mm | товар відсутній | |||||||||
| FF92 | ebm-papst | Fan Accessories Fan Filter Finger Guard Grille, 92x92mm | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF93525 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |