![FF900R12IE4 FF900R12IE4](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/FF900R12IE4.jpg)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34844.72 грн |
12+ | 33909.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF900R12IE4 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 900A, Pulsed collector current: 1.8kA, Power dissipation: 5.1kW, Electrical mounting: screw, Type of module: IGBT, Case: AG-PRIME2-1, Technology: PrimePACK™ 2, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FF900R12IE4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF900R12IE4 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
FF900R12IE4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Case: AG-PRIME2-1 Technology: PrimePACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FF900R12IE4 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 5.1kW Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Case: AG-PRIME2-1 Technology: PrimePACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor |
товар відсутній |