FF900R12ME7B11BOSA1

FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN-1840549.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 900A, Pulsed collector current: 1.8kA, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Type of module: IGBT, Case: AG-ECONOD-5, Technology: TRENCHSTOP™, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, кількість в упаковці: 6 шт.

Інші пропозиції FF900R12ME7B11BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF900R12ME7B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 Description: IGBT MOD 1200V 900A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FF900R12ME7B11BOSA1 FF900R12ME7B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff900r12me7_b11-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray
товар відсутній
FF900R12ME7B11BOSA1 FF900R12ME7B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff900r12me7_b11-datasheet-v01_10-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 11-Pin AG-ECONOD Tray
товар відсутній
FF900R12ME7B11BOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of module: IGBT
Case: AG-ECONOD-5
Technology: TRENCHSTOP™
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 6 шт
товар відсутній
FF900R12ME7B11BOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of module: IGBT
Case: AG-ECONOD-5
Technology: TRENCHSTOP™
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товар відсутній