Продукція > FDH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDH-610AUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Cover
Type of sensors accessories: cover
товар відсутній
FDH-610AUTONICSCategory: Fiber-Optic Sensors
Description: Cover
Type of sensors accessories: cover
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDH038AN08A1ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH038AN08A1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDH038AN08A1onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8665 pF @ 25 V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+755.74 грн
10+ 623.71 грн
450+ 458.65 грн
FDH038AN08A1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.53 грн
4+ 195.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDH038AN08A1onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.3 грн
10+ 526.19 грн
25+ 456.86 грн
100+ 456.15 грн
250+ 455.45 грн
450+ 393.6 грн
FDH038AN08A1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH038AN08A1Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8665 pF @ 25 V
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+454.17 грн
Мінімальне замовлення: 48
FDH038AN08A1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDH047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.21 грн
10+ 363.44 грн
FDH047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.46 грн
10+ 363.19 грн
25+ 358.67 грн
100+ 335.66 грн
250+ 247.98 грн
450+ 211.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH047AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.96 грн
10+ 400.91 грн
25+ 347.91 грн
100+ 331.75 грн
250+ 250.22 грн
450+ 219.29 грн
FDH047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH047AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+441.86 грн
32+ 382.38 грн
100+ 357.85 грн
250+ 264.37 грн
450+ 225.93 грн
Мінімальне замовлення: 28
FDH047AN08A0ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDH047AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDH047AN08ADFairchild SemiconductorDescription: FDH047AN08A0 - 75V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+428.72 грн
31+ 401.56 грн
34+ 359.93 грн
Мінімальне замовлення: 29
FDH055N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V
на замовлення 15359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.32 грн
30+ 386.74 грн
120+ 346.03 грн
510+ 286.54 грн
1020+ 257.88 грн
2010+ 241.65 грн
FDH055N15AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.63 грн
3+ 349.96 грн
7+ 330.93 грн
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.1 грн
10+ 372.88 грн
30+ 334.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH055N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.73 грн
5+ 488.06 грн
10+ 396.6 грн
50+ 352.16 грн
100+ 310.88 грн
250+ 296.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH055N15AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Power dissipation: 429W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+685.96 грн
3+ 436.11 грн
7+ 397.11 грн
FDH055N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH055N15Aonsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.04 грн
10+ 466.38 грн
25+ 367.59 грн
100+ 338.07 грн
250+ 317.69 грн
450+ 298.01 грн
900+ 281.85 грн
FDH055N15A-SN00358ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDH055N15A-SN00358ON SemiconductorN-Channel PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDH1040-R56M=P3
на замовлення 56750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH1040B-R14M=P3
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH1055B-R56M=P3TOKO2005+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH1055B-R56M=P3TOKO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH1065-R91M=P3
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FDH210N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V TO247-3
товар відсутній
FDH210N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 840A
Power dissipation: 462W
Gate charge: 301nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 132A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 5.5mΩ
товар відсутній
FDH210N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDH210N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 132A; Idm: 840A; 462W; TO247
Mounting: THT
Pulsed drain current: 840A
Power dissipation: 462W
Gate charge: 301nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 132A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 5.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDH210N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V TO247-3
товар відсутній
FDH210N08onsemi / FairchildMOSFET 75V, 210A NCH MOSFET
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.42 грн
10+ 495.48 грн
25+ 417.5 грн
100+ 352.83 грн
FDH210N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH210N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH27N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V 27a 0.19Ohms/VGS=10
товар відсутній
FDH27N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH27N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товар відсутній
FDH300Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
товар відсутній
FDH300AON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
FDH300AON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.18 грн
48+ 12.49 грн
126+ 4.75 грн
1000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 33
FDH300AONSEMIDescription: ONSEMI - FDH300A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDH30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.48 грн
31+ 26.26 грн
100+ 12.69 грн
500+ 7.61 грн
1000+ 4.33 грн
2500+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDH300Aonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 429-438 дні (днів)
12+27.88 грн
16+ 20.93 грн
100+ 10.33 грн
500+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDH300AonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.25 грн
21+ 14.28 грн
100+ 7.6 грн
500+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDH300AON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 18298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 334
FDH300ATRFairchild SemiconductorDescription: RECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDH300ATRONSEMIDescription: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDH300ATRonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
на замовлення 16222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.81 грн
29+ 11.15 грн
100+ 4.01 грн
1000+ 2.39 грн
2500+ 2.25 грн
10000+ 1.76 грн
20000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDH300ATRonsemiDescription: RECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-
на замовлення 44611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDH300ATRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
товар відсутній
FDH300ATRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
FDH300A_NLFairchild SemiconductorDescription: DIODE SMALL SIGNAL SWITCHING 150
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 566
FDH300A_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
товар відсутній
FDH300TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.88 грн
51+ 11.73 грн
52+ 11.67 грн
137+ 4.21 грн
250+ 3.85 грн
500+ 3.66 грн
1000+ 2.49 грн
3000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 44
FDH300TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
на замовлення 27357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDH300TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
товар відсутній
FDH300TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDH300TRonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
на замовлення 26532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.39 грн
19+ 17.62 грн
100+ 8.15 грн
500+ 5.76 грн
1000+ 3.65 грн
2500+ 3.16 грн
10000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDH300_QFairchild SemiconductorDescription: DIODE 125V 0.2A 2-PIN DO-35 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 263
FDH300_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
товар відсутній
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 7262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.56 грн
32+ 18.68 грн
100+ 9.89 грн
500+ 5.97 грн
1000+ 3.6 грн
2500+ 2.96 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH333onsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
на замовлення 7638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
15+ 20.21 грн
100+ 10.7 грн
500+ 6.61 грн
1000+ 4.49 грн
2000+ 4.05 грн
5000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.33 грн
31+ 19.87 грн
100+ 10.52 грн
500+ 6.34 грн
1000+ 3.97 грн
2500+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1039+11.61 грн
1586+ 7.6 грн
2522+ 4.78 грн
3152+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 1039
FDH333onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
на замовлення 19860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.42 грн
16+ 20.93 грн
100+ 9.7 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 4.36 грн
5000+ 3.87 грн
10000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDH333Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
FDH333ONSEMIFDH333 THT universal diodes
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.44 грн
283+ 3.62 грн
776+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDH333ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH333-T50RON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
товар відсутній
FDH333TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.57 грн
16+ 18.6 грн
100+ 9.86 грн
500+ 6.09 грн
1000+ 4.14 грн
2000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDH333TRonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
на замовлення 24792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.86 грн
17+ 19.32 грн
100+ 8.93 грн
500+ 5.9 грн
1000+ 3.65 грн
2500+ 3.16 грн
10000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.33 грн
36+ 16.77 грн
100+ 9.81 грн
250+ 8.99 грн
500+ 5.74 грн
1000+ 3.56 грн
3000+ 3.1 грн
6000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
товар відсутній
FDH333TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
товар відсутній
FDH333TR
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
товар відсутній
FDH333TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.05 грн
1500+ 8.04 грн
2184+ 5.52 грн
3000+ 4.15 грн
6000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDH333TRONSEMIDescription: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDH333_NLFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 1110
FDH333_QFairchild SemiconductorDescription: RECTIFIER, SCHOTTKY, SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 525
FDH333_T50RonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 nA @ 125 V
товар відсутній
FDH33_Qonsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
товар відсутній
FDH3595ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH3595
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH3595onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.57 грн
100+ 7.03 грн
1000+ 4.15 грн
5000+ 3.51 грн
10000+ 2.67 грн
30000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDH3595onsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 nA @ 125 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9072+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 9072
FDH3595ON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH3595ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDH3595_Qonsemi / FairchildRectifiers High Conductance Low Leakage
товар відсутній
FDH3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.21 грн
10+ 292.29 грн
25+ 261.77 грн
100+ 227.45 грн
250+ 203.81 грн
450+ 177.43 грн
900+ 148.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDH3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDH3632onsemi / FairchildMOSFETs TO-247 / FDH3632
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.22 грн
10+ 337.86 грн
25+ 240.38 грн
100+ 210.15 грн
250+ 207.34 грн
450+ 158.14 грн
900+ 153.22 грн
FDH3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH3632FAIRCHILDTO-3PL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH3632ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 32190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+320.07 грн
39+ 314.77 грн
43+ 281.9 грн
100+ 244.95 грн
250+ 219.48 грн
450+ 191.07 грн
900+ 160.15 грн
Мінімальне замовлення: 38
FDH3632ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 310W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDH3632onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 31493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.86 грн
30+ 259.13 грн
120+ 222.12 грн
510+ 185.29 грн
1020+ 158.65 грн
2010+ 149.39 грн
FDH400onsemi / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
на замовлення 42395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.44 грн
20+ 16.49 грн
100+ 5.83 грн
1000+ 3.51 грн
5000+ 3.23 грн
10000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDH400ON SemiconductorDiode Small Signal Switching 150V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH400onsemiDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
на замовлення 19768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.93 грн
39+ 7.54 грн
100+ 4.67 грн
500+ 3.23 грн
1000+ 2.85 грн
2000+ 2.53 грн
5000+ 2.15 грн
10000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 24
FDH400ON SemiconductorDiode Small Signal Switching 150V 0.5A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH400TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 150V 0.5A 50ns 2-Pin DO-35 T/R
товар відсутній
FDH400TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
товар відсутній
FDH400TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 150V 0.5A 50ns 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 21727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+2.41 грн
361+ 1.66 грн
899+ 0.66 грн
1270+ 0.45 грн
Мінімальне замовлення: 248
FDH400TRON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
на замовлення 22455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDH400TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
на замовлення 9725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.05 грн
18+ 16.84 грн
100+ 8.92 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.75 грн
2000+ 3.38 грн
5000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDH400_T50AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
товар відсутній
FDH400_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
товар відсутній
FDH4246
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH444ON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 150V SNGL JUNCTION
на замовлення 26096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDH444
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDH444Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9072+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 9072
FDH444ON SemiconductorDiode Small Signal Switching 125V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
товар відсутній
FDH444TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
FDH444TRON SemiconductorRectifier Diode Small Signal Switching 125V 0.2A 60ns 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.4 грн
Мінімальне замовлення: 10000
FDH444TRON Semiconductor150V DIODE RECT
товар відсутній
FDH444TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9043+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 9043
FDH444TRonsemiDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.33 грн
16+ 19.18 грн
100+ 10.18 грн
500+ 6.28 грн
1000+ 4.27 грн
2000+ 3.85 грн
5000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDH444TRON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V/0.2A Sm Signal Diode
на замовлення 10244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDH444_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
товар відсутній
FDH44N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+730.9 грн
5+ 637.87 грн
10+ 544.04 грн
50+ 483.21 грн
100+ 425.77 грн
250+ 386.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH44N50
Код товару: 63451		Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5335/90
Монтаж: THT
товар відсутній
FDH44N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.33 грн
2+ 442.95 грн
6+ 418.79 грн
120+ 402.68 грн
FDH44N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+613.44 грн
120+ 571.58 грн
240+ 539.87 грн
360+ 496.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDH44N50onsemi / FairchildMOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
1+710.12 грн
10+ 695.13 грн
25+ 482.86 грн
100+ 446.31 грн
250+ 439.99 грн
450+ 404.85 грн
900+ 399.22 грн
FDH44N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.02 грн
30+ 497.61 грн
120+ 445.22 грн
510+ 368.67 грн
1020+ 331.81 грн
2010+ 310.91 грн
FDH44N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.64 грн
FDH44N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH44N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+727.59 грн
2+ 551.98 грн
6+ 502.54 грн
120+ 483.21 грн
FDH44N50_Qonsemi / FairchildMOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
товар відсутній
FDH45N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FDH45N50FON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET FRFET
товар відсутній
FDH45N50F-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.25 грн
30+ 326.56 грн
120+ 292.2 грн
510+ 241.95 грн
FDH45N50F-F133onsemi / FairchildMOSFETs 500V N Channel MOSFET FRFET
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.3 грн
25+ 354.84 грн
100+ 283.95 грн
450+ 255.84 грн
900+ 236.16 грн
FDH45N50F-F133ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.6 грн
5+ 429.71 грн
10+ 339.04 грн
50+ 308.23 грн
100+ 277.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH45N50F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 27130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH45N50F-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH45N50F_F133Fairchild SemiconductorDescription: 455000.12OHN-CHANNPOWMOSFETO-247
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDH45N50F_F133
Код товару: 116040		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDH50N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
товар відсутній
FDH50N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FDH50N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel UniFET
товар відсутній
FDH50N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
товар відсутній
FDH50N50-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH50N50-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+583.45 грн
24+ 512.06 грн
26+ 469.01 грн
100+ 429.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDH50N50-F133onsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/50A
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.86 грн
10+ 569.84 грн
25+ 449.83 грн
100+ 413.28 грн
250+ 376.73 грн
450+ 374.62 грн
900+ 358.46 грн
FDH50N50-F133onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
товар відсутній
FDH50N50-F133ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.19 грн
10+ 518.86 грн
25+ 475.24 грн
100+ 435.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDH50N50_F133Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
товар відсутній
FDH5500onsemi / FairchildMOSFET 55V N-Channel UltraFET Power
товар відсутній
FDH5500Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+118.24 грн
Мінімальне замовлення: 177
FDH5500ONSEMIDescription: ONSEMI - FDH5500 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+179.77 грн
Мінімальне замовлення: 213
FDH5500
Код товару: 147797		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDH5500onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FDH5500-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 55V 75A
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDH5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH5500-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FDH5500-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3565 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDH5500-SB82257onsemionsemi
товар відсутній
FDH5500_SB82257onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDH600Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
товар відсутній
FDH600_T50AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
товар відсутній
FDH600_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
товар відсутній
FDH633605Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH DO-35
товар відсутній
FDH700onsemiDescription: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 900 ps
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 20 V
товар відсутній
FDH700Fairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 900 ps
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 20 V
на замовлення 47408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+92.54 грн
Мінімальне замовлення: 231
FDH700_T50RFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 20V 150MA DO35
товар відсутній
FDH9931
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDHC-100MEAN WELLLED Power Supplies
товар відсутній
FDHC-100HMEAN WELLLED Power Supplies 96-142V 490-1050mA 100W CP LED Driver
товар відсутній
FDHC-100HMEAN WELL USA Inc.Description: LED DRVR AC
товар відсутній
FDHC-100LMEAN WELL USA Inc.Description: LED DRVR AC
товар відсутній
FDHC-100LMEAN WELLLED Power Supplies 30-54V 1300-3000mA 100W CP LED Driver
товар відсутній
FDHD1-250KS TerminalsTerminals Heat Shrink, Female Double Crimp, 22-16 AWG, .032 x .250
товар відсутній
FDHD2-250KS TerminalsTerminals Heat Shrink, Female Double Crimp, 16-14 AWG, .032 x .250
товар відсутній
FDHD5-250KS TerminalsTerminals Heat Shrink, Female Double Crimp, 12-10 AWG, .032 x .250
товар відсутній