![FDH3632 FDH3632](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0e23eaae048d5c72370d3c4210863f264b1172d/to-247.jpg)
FDH3632 ON Semiconductor
на замовлення 32190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 297.21 грн |
10+ | 292.29 грн |
25+ | 261.77 грн |
100+ | 227.45 грн |
250+ | 203.81 грн |
450+ | 177.43 грн |
900+ | 148.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH3632 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDH3632 за ціною від 147.77 грн до 341.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDH3632 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDH3632 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
на замовлення 31493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDH3632 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDH3632 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDH3632 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDH3632 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDH3632 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; 310W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 310W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |