Продукція > DXT

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.55 грн
5000+	10.26 грн
7500+	9.82 грн
12500+	8.75 грн
17500+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT13003DG-13

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.95 грн
500+	13.31 грн
1000+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 25329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.92 грн
12+	25.73 грн
100+	17.53 грн
500+	12.9 грн
1000+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT13003DG-13

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.03 грн
28+	29.22 грн
100+	18.95 грн
500+	13.31 грн
1000+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 23

DXT13003DG-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 2402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.93 грн
12+	27.67 грн
100+	16.75 грн
500+	13.41 грн
1000+	11.64 грн
2500+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT13003DG-7

Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

DXT13003DK-13

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

товару немає в наявності

DXT13003DK-13

Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.34 грн
10+	44.56 грн
100+	29.74 грн
500+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT13003DK-13

Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W

товару немає в наявності

DXT13003EK-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 6298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.48 грн
10+	46.77 грн
100+	30.38 грн
500+	23.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXT13003EK-13

Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W

товару немає в наявності

DXT13003EK-13

Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.04 грн
10000+	13.41 грн
25000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2010P5-13

Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.92 грн
500+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2010P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	36.24 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	15.26 грн
2500+	15.19 грн
5000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 132221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.89 грн
100+	24.15 грн
500+	18.93 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.05 грн
18+	46.02 грн
100+	33.92 грн
500+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

DXT2011P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

на замовлення 30200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	39.83 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	15.26 грн
2500+	15.19 грн
5000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 49931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.04 грн
10000+	13.41 грн
25000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 49953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.89 грн
100+	24.15 грн
500+	18.93 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2011P5-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT2011P5Q-13

на замовлення 28625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.6 грн
10+	39.85 грн
100+	27.6 грн
500+	21.64 грн
1000+	18.42 грн
2000+	16.4 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT2011P5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.91 грн
10000+	16 грн
15000+	15.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2011P5Q-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT2011P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor

товару немає в наявності

DXT2012P5-13

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT2012P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.42 грн
500+	21.51 грн
1000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 16134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.89 грн
100+	24.15 грн
500+	18.93 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2012P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A

на замовлення 3882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	39.83 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	15.26 грн
2500+	15.19 грн
5000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.04 грн
10000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2012P5-13

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.67 грн
19+	43.71 грн
100+	28.42 грн
500+	21.51 грн
1000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT2013P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 8050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.91 грн
18+	44.5 грн
100+	27.47 грн
500+	21.29 грн
1000+	15.15 грн
5000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 205818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.89 грн
100+	24.15 грн
500+	18.93 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2013P5-13

Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 205000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.04 грн
10000+	13.41 грн
25000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2013P5-13

на замовлення 8050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.47 грн
500+	21.29 грн
1000+	15.15 грн
5000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2013P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

на замовлення 5764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.2 грн
10+	40.4 грн
100+	23.99 грн
500+	20.01 грн
1000+	17.03 грн
2500+	15.47 грн
5000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.98 грн
10000+	14.25 грн
25000+	14.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2014P5-13

Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT2014P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A

на замовлення 4634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.52 грн
10+	42.36 грн
100+	25.48 грн
500+	21.22 грн
1000+	16.18 грн
5000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 269119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	37.04 грн
100+	25.65 грн
500+	20.12 грн
1000+	17.12 грн
2000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2222A

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT2222A

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.62 грн
500+	8.72 грн
1000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	5.98 грн
5000+	5.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

518+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 518

DXT2222A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 64956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.85 грн
19+	17.22 грн
100+	8.66 грн
1000+	7.1 грн
2500+	6.39 грн
10000+	6.1 грн

Мінімальне замовлення: 14

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.57 грн
35+	23.41 грн
100+	11.62 грн
500+	8.72 грн
1000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 27

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	21.84 грн
35+	17.66 грн
37+	16.37 грн
100+	10.07 грн
250+	9.24 грн
500+	8.22 грн
1000+	5.17 грн

Мінімальне замовлення: 28

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 176495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.87 грн
18+	17.23 грн
100+	11.64 грн
500+	8.47 грн
1000+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT2907A

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT2907A

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
13+	24.17 грн
100+	14.49 грн
500+	12.59 грн
1000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT2907A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo

на замовлення 2526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.18 грн
12+	27.67 грн
100+	13.34 грн
1000+	9.08 грн
2500+	7.88 грн
10000+	7.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT3150

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT3150

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товару немає в наявності

DXT3150-13

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товару немає в наявності

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	31.04 грн
24+	26.03 грн
27+	22.81 грн
50+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXT3150-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo

товару немає в наявності

DXT3904-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 2919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.18 грн
13+	26.44 грн
100+	12.7 грн
1000+	8.52 грн
2500+	8.02 грн
10000+	7.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.31 грн
500+	12.79 грн
1000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 91538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
12+	24.84 грн
100+	14.9 грн
500+	12.94 грн
1000+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT3904-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	33.04 грн
30+	26.91 грн
100+	18.31 грн
500+	12.79 грн
1000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 25

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.96 грн
5000+	8.27 грн
12500+	7.45 грн
25000+	6.88 грн
62500+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT3906-13

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 188537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
12+	24.84 грн
100+	14.9 грн
500+	12.94 грн
1000+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT3906-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo

на замовлення 15243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	30.06 грн
15+	23.02 грн
100+	8.37 грн
1000+	7.81 грн
2500+	6.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 177500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.96 грн
5000+	8.27 грн
12500+	7.45 грн
25000+	6.88 грн
62500+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 470000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA

на замовлення 4746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.76 грн
12+	29.63 грн
100+	19.09 грн
500+	14.83 грн
1000+	10.86 грн
5000+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.42 грн
500+	15.52 грн
1000+	10.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 425000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 474390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.92 грн
12+	25.51 грн
100+	17.35 грн
500+	12.77 грн
1000+	11.61 грн
2000+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT458P5-13

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	41.64 грн
25+	32.88 грн
100+	21.42 грн
500+	15.52 грн
1000+	10.44 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXT5401

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.78 грн
5000+	8.59 грн
7500+	8.17 грн
12500+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5401-13

Bipolar Transistors - BJT 1W -150V

на замовлення 4277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.55 грн
13+	26.28 грн
100+	16.25 грн
500+	12.7 грн
1000+	10.29 грн
2500+	8.09 грн
25000+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 102500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 102358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.17 грн
13+	24.1 грн
100+	16.75 грн
500+	12.28 грн
1000+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXT5551-13

Bipolar Transistors - BJT 1W 160V

на замовлення 5619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.44 грн
13+	25.87 грн
100+	12.85 грн
1000+	8.45 грн
2500+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 202653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
13+	24.03 грн
100+	14.38 грн
500+	12.5 грн
1000+	8.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

831+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 831

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

553+	13.62 грн
1000+	7.57 грн

Мінімальне замовлення: 553

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 197500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.74 грн
5000+	6.79 грн
7500+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 370000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	6.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	7.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5551P5-13

Description: DIODES INC. - DXT5551P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2.25 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.39 грн
50+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 24

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 505000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 724716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.03 грн
16+	19.22 грн
100+	13.39 грн
500+	9.81 грн
1000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 14

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT5551P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA

на замовлення 20701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	26.16 грн
15+	22.2 грн
100+	13.41 грн
500+	10.5 грн
1000+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 13

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT5551P5-13

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 720000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

на замовлення 6253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.65 грн
10+	40.65 грн
100+	23.14 грн
500+	18.1 грн
1000+	14.34 грн
5000+	12.42 грн
10000+	11.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 550128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	36.15 грн
100+	23.49 грн
500+	16.9 грн
1000+	15.24 грн
2000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXT5551P5Q-13

NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

на замовлення 560000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 550000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.93 грн
10000+	11.56 грн
25000+	11.3 грн
50000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT651

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.17 грн
5000+	10.07 грн
12500+	9.97 грн
25000+	9.52 грн
62500+	8.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651-13

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.01 грн
25+	33.12 грн
100+	22.29 грн
500+	16.49 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 21

DXT651-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN

на замовлення 6974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.69 грн
12+	28.48 грн
100+	17.39 грн
500+	14.62 грн
1000+	11.36 грн
2500+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.41 грн
212500+	12.25 грн
425000+	11.4 грн
637500+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 5699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	30.83 грн
100+	21.43 грн
500+	15.7 грн
1000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT651-13

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.29 грн
500+	16.49 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT651Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	32.81 грн
100+	18.45 грн
500+	14.12 грн
1000+	12.63 грн
2500+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 132500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.3 грн
5000+	9.06 грн
7500+	8.62 грн
12500+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 134818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.67 грн
10+	30.16 грн
100+	19.44 грн
500+	13.87 грн
1000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT690BP5

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT690BP5-13

Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.67 грн
19+	43.71 грн
100+	29.3 грн
500+	21.88 грн
1000+	15.15 грн
5000+	14.54 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT690BP5-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.89 грн
100+	24.15 грн
500+	18.93 грн
1000+	16.11 грн
2000+	14.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT690BP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A

на замовлення 13188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	39.83 грн
100+	24.06 грн
500+	20.08 грн
1000+	15.54 грн
2500+	15.33 грн
5000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT690BP5-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.3 грн
500+	21.88 грн
1000+	15.15 грн
5000+	14.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT690BP5Q-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT690BP5Q-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.32 грн
10000+	17.29 грн
15000+	16.62 грн
25000+	15.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT690BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM

товару немає в наявності

DXT696BK-13

Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товару немає в наявності

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

на замовлення 8715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	34.45 грн
100+	23.98 грн
500+	17.57 грн
1000+	14.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT696BK-13

Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.46 грн
10+	38.2 грн
100+	23.14 грн
500+	18.03 грн
1000+	14.62 грн
2500+	13.06 грн
5000+	12.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.13 грн
5000+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	30.83 грн
100+	21.43 грн
500+	15.7 грн
1000+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.17 грн
50000+	9.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751-13

Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.41 грн
500+	16.93 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.63 грн
5000+	11.54 грн
12500+	10.72 грн
25000+	9.82 грн
62500+	9.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.6 грн
250000+	10.6 грн
500000+	9.86 грн
750000+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

на замовлення 7422 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.82 грн
10+	34.36 грн
100+	20.79 грн
500+	16.25 грн
1000+	13.2 грн
2500+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT751-13

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.98 грн
22+	37.34 грн
100+	23.41 грн
500+	16.93 грн
1000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 18

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
12+	28.73 грн
100+	17.39 грн
500+	13.56 грн
1000+	11 грн
2500+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 59822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.71 грн
12+	25.73 грн
100+	17.86 грн
500+	13.09 грн
1000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товару немає в наявності

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT790AP5

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXT790AP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A

на замовлення 9406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.12 грн
12+	27.99 грн
100+	16.89 грн
500+	14.12 грн
1000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT790AP5-13

Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	36.78 грн
26+	30.81 грн
100+	19.11 грн
500+	15.89 грн
1000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 22

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 107885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.74 грн
10+	34.89 грн
100+	23.91 грн
500+	17.76 грн
1000+	16.22 грн
2000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT790AP5-13

на замовлення 4849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.11 грн
500+	15.89 грн
1000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	31.45 грн
30+	26.83 грн
100+	20.06 грн
500+	14.56 грн
1000+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 26

DXTA42-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

товару немає в наявності

DXTA42-13

DXTA42-13 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.06 грн
500+	14.56 грн
1000+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTA42-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	34.08 грн
29+	27.87 грн
100+	17.6 грн
500+	12.35 грн
1000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 24

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 151327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.78 грн
14+	21.88 грн
100+	14.82 грн
500+	10.86 грн
1000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTA92-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo

на замовлення 17463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.8 грн
13+	25.22 грн
100+	14.83 грн
500+	10.65 грн
1000+	8.52 грн
2500+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 147500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.74 грн
5000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTA92-13

на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.6 грн
500+	12.35 грн
1000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTA92-13

DXTA92-13 PNP SMD transistors

товару немає в наявності

DXTC3C100PD-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506

товару немає в наявності

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTC3C100PDQ-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.67 грн
10+	55.91 грн
100+	33.21 грн
500+	27.75 грн
1000+	24.27 грн
2500+	20.58 грн
5000+	19.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTC3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.49 грн
10+	53.67 грн
100+	37.14 грн
500+	29.13 грн
1000+	24.79 грн
2000+	22.08 грн
5000+	20.57 грн
10000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTN03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.84 грн
10+	43.01 грн
100+	27.89 грн
500+	22 грн
1000+	17.46 грн
2000+	14.76 грн
10000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN03100CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	27.71 грн
35+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 29

DXTN03100CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN03100CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5 A, 2.7 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

товару немає в наявності

DXTN07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.39 грн
10+	35.34 грн
100+	21.36 грн
500+	16.68 грн
1000+	13.63 грн
2000+	11.5 грн
10000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07025BFG-7

Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

товару немає в наявності

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

товару немає в наявності

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN07045DFG-7

DXTN07045DFG-7 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN07045DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	37.38 грн
100+	22.64 грн
500+	17.67 грн
1000+	14.41 грн
2000+	12.14 грн
10000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07060BFG-7

DXTN07060BFG-7 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTN07060BFG-7

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.14 грн
21+	38.85 грн
100+	28.98 грн
500+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 18

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

DXTN07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.38 грн
10+	37.71 грн
100+	24.41 грн
500+	19.23 грн
1000+	14.9 грн
2000+	13.48 грн
4000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.98 грн
500+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.39 грн
10+	35.34 грн
100+	21.36 грн
500+	16.68 грн
1000+	13.63 грн
2000+	11.14 грн
10000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 10668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.99 грн
11+	27.8 грн
100+	18.98 грн
500+	14.01 грн
1000+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.5 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.93 грн
4000+	11.48 грн
6000+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTN07100BFG-7

DXTN07100BFG-7 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTN07100BP5-13

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXTN07100BP5-13

DXTN07100BP5-13 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.06 грн
10+	38.59 грн
100+	26.74 грн
500+	20.97 грн
1000+	17.85 грн
2000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN07100BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

на замовлення 3833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.27 грн
10+	42.36 грн
100+	25.55 грн
500+	21.29 грн
1000+	16.18 грн
5000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

товару немає в наявності

DXTN07100BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товару немає в наявності

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	50.42 грн
100+	34.9 грн
500+	27.37 грн
1000+	23.29 грн
2000+	20.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTN07100BP5Q-13

DXTN07100BP5Q-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.75 грн
10000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.22 грн
6000+	8.51 грн
9000+	7.66 грн
30000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN10060DFJBQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	20.86 грн

Мінімальне замовлення: 39

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.55 грн
12+	25.51 грн
100+	15.31 грн
500+	13.31 грн
1000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN10060DFJBQ-7

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN10060DFJBQ-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

DXTN10060DFJBQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.78 грн
6000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN10060DFJBWQ-7

SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

товару немає в наявності

DXTN10060DFJBWQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.28 грн
12+	29.06 грн
100+	17.6 грн
500+	13.77 грн
1000+	11.21 грн
3000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.6 грн
500+	12.94 грн
1000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 11445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
11+	27.43 грн
100+	20.49 грн
500+	15.1 грн
1000+	11.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTN10060DFJBWQ-7

на замовлення 1955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	33.6 грн
29+	28.18 грн
100+	17.6 грн
500+	12.94 грн
1000+	8.33 грн

Мінімальне замовлення: 24

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

на замовлення 21980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.06 грн
10+	37.93 грн
100+	26.36 грн
500+	19.31 грн
1000+	15.7 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.53 грн
6000+	14.19 грн
10000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.97 грн
23+	34.63 грн
100+	26.91 грн
500+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	34.08 грн
100+	23.6 грн
500+	18.5 грн
1000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.52 грн
6000+	14.16 грн
10000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.91 грн
500+	19.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

товару немає в наявності

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W

товару немає в наявності

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.52 грн
6000+	14.16 грн
10000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.36 грн
40+	19.98 грн
100+	12.74 грн
500+	11.02 грн
1000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 33

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 198MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	34.08 грн
100+	23.6 грн
500+	18.5 грн
1000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN22040DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTN22040DFGQ-7

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.74 грн
500+	11.02 грн
1000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN26070CY

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

DXTN26070CY-13

Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	36.18 грн
12+	27.67 грн
100+	13.34 грн
1000+	9.08 грн
2500+	8.16 грн
10000+	7.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.66 грн
5000+	7.99 грн
12500+	7.19 грн
25000+	6.65 грн
62500+	6.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 63900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
13+	24.03 грн
100+	14.38 грн
500+	12.5 грн
1000+	8.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36.22 грн
100+	25.09 грн
500+	19.68 грн
1000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

DXTN3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.81 грн
10+	47.39 грн
100+	32.82 грн
500+	25.74 грн
1000+	21.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.79 грн
5000+	13.51 грн
12500+	12.55 грн
25000+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTN3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	40.16 грн
100+	26.05 грн
500+	20.51 грн
1000+	15.83 грн
2500+	13.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ-13 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTN3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

товару немає в наявності

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 17408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.88 грн
10+	50.35 грн
100+	34.83 грн
500+	27.31 грн
1000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.38 грн
5000+	20.81 грн
7500+	19.94 грн
12500+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 NPN SMD transistors

товару немає в наявності

DXTN3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 7569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	40.16 грн
100+	24.41 грн
500+	18.74 грн
1000+	15.83 грн
2500+	12.99 грн
10000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.39 грн
10+	31.05 грн
100+	21.59 грн
500+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.2 грн
6000+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5820DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.85 грн
10+	29.79 грн
100+	20.71 грн
500+	15.18 грн
1000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

DXTN5840CFDB-7

Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.62 грн
500+	8.43 грн
1000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN5840CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.2 грн
6000+	11.15 грн
9000+	10.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5840CFDB-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	22.61 грн
44+	18.31 грн
100+	11.62 грн
500+	8.43 грн
1000+	7.03 грн

Мінімальне замовлення: 36

DXTN5840CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 17990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.85 грн
10+	29.79 грн
100+	20.71 грн
500+	15.18 грн
1000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN5840CFDB-7

NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 8998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.04 грн
10+	33.49 грн
100+	21.63 грн
500+	15.51 грн
1000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.28 грн
6000+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товару немає в наявності

DXTN5860DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товару немає в наявності

DXTP03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTP03060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.25 грн
500+	11.68 грн
1000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	34.08 грн
100+	23.58 грн
500+	18.49 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03060BFG-7

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	27.23 грн
40+	20.06 грн
100+	14.25 грн
500+	11.68 грн
1000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 30

DXTP03060BFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V

товару немає в наявності

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.38 грн
4000+	15.35 грн
6000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03060BFG-7

товару немає в наявності

DXTP03060CFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V

товару немає в наявності

DXTP03060CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.43 грн
500+	17.37 грн
1000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.22 грн
10+	35.34 грн
100+	24.49 грн
500+	19.2 грн
1000+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03060CFG-7

товару немає в наявності

DXTP03060CFG-7

на замовлення 1922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.24 грн
20+	41.64 грн
100+	26.43 грн
500+	17.37 грн
1000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.1 грн
6000+	14.69 грн
10000+	13.6 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.51 грн
6000+	14.15 грн
10000+	13.1 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03100BFG-7

DXTP03100BFG-7 PNP SMD transistors

товару немає в наявності

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	34.08 грн
100+	23.58 грн
500+	18.49 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist

товару немає в наявності

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.94 грн
6000+	14.55 грн
10000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03100CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.46 грн
10+	35.04 грн
100+	24.24 грн
500+	19.01 грн
1000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03140BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTP03140BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 7980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	31.35 грн
100+	21.79 грн
500+	15.97 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTP03140BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.84 грн
6000+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03200BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.68 грн
500+	26.1 грн
1000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP03200BP5-13

Trans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 87622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.51 грн
10+	45.39 грн
100+	31.46 грн
500+	24.67 грн
1000+	20.99 грн
2000+	18.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP03200BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W

на замовлення 6893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.54 грн
10+	49.79 грн
100+	30.02 грн
500+	25.05 грн
1000+	19.02 грн
5000+	17.96 грн
10000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.6 грн
10000+	17.48 грн
25000+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP03200BP5-13

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.41 грн
15+	53.26 грн
100+	33.68 грн
500+	26.1 грн
1000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 13

DXTP03200BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

товару немає в наявності

DXTP03200BP5Q-13

PNP High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DXTP03200BP5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.74 грн
10000+	14.93 грн
25000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.71 грн
13+	23.14 грн
100+	13.87 грн
500+	12.05 грн
1000+	8.2 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

товару немає в наявності

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.35 грн
6000+	7.71 грн
10000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07025BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07025BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

DXTP07025BFG-7

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTP07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товару немає в наявності

DXTP07025BFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP07025BFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 3 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.28 грн
40+	19.98 грн

Мінімальне замовлення: 33

DXTP07025BFGQ-7

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.39 грн
10+	35.42 грн
100+	23.07 грн
500+	18.1 грн
1000+	13.98 грн
2000+	11.5 грн
10000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товару немає в наявності

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.95 грн
10+	39.58 грн
100+	25.76 грн
500+	20.3 грн
1000+	15.61 грн
2000+	12.77 грн
10000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.67 грн
6000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTP07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 7990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.38 грн
10+	37.71 грн
100+	24.41 грн
500+	19.23 грн
1000+	14.9 грн
2000+	13.48 грн
4000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.46 грн
10+	34.16 грн
100+	25.52 грн
500+	18.82 грн
1000+	14.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.5 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07060BFGQ-7

60V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

DXTP07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.39 грн
10+	35.34 грн
100+	21.36 грн
500+	16.68 грн
1000+	13.63 грн
2000+	10.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.89 грн
6000+	11.78 грн
10000+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07100BFG-7

Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.39 грн
10+	31.49 грн
100+	21.88 грн
500+	16.03 грн
1000+	13.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.92 грн
10+	33.27 грн
100+	23.04 грн
500+	18.06 грн
1000+	15.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 59120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.69 грн
10+	33.19 грн
100+	23.07 грн
500+	16.9 грн
1000+	13.74 грн
2000+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.9 грн
10000+	11.53 грн
25000+	11.27 грн
50000+	10.3 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP19020DP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.63 грн
10+	37.3 грн
100+	22.5 грн
500+	17.53 грн
1000+	12.77 грн
5000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	24.28 грн
40+	19.98 грн

Мінімальне замовлення: 33

DXTP22040CFGQ-7

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTP22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

DXTP22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36.37 грн
100+	25.2 грн
500+	19.76 грн
1000+	16.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

DXTP22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.57 грн
6000+	15.12 грн
10000+	14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.4 грн
10+	42.8 грн
100+	27.98 грн
500+	20.26 грн
1000+	18.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

DXTP3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.35 грн
10+	49.01 грн
100+	33.93 грн
500+	26.6 грн
1000+	22.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.78 грн
10+	40.16 грн
100+	24.27 грн
500+	18.95 грн
1000+	15.47 грн
2500+	13.2 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTP3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.78 грн
19+	43.55 грн
100+	27.39 грн
500+	16.86 грн
1000+	11.46 грн
2000+	11.4 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 64770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.76 грн
10+	36.08 грн
100+	25.09 грн
500+	18.39 грн
1000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP3C100PSQ-13

DXTP3C100PSQ-13 PNP SMD transistors

товару немає в наявності

DXTP3C100PSQ-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.39 грн
500+	16.86 грн
1000+	11.46 грн
2000+	11.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.79 грн
5000+	13.51 грн
12500+	12.55 грн
25000+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTP3C100PSQ-13

Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

DXTP3C60PS-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.24 грн
500+	19.59 грн
1000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP3C60PS-13

DXTP3C60PS-13 PNP SMD transistors

товару немає в наявності

DXTP3C60PS-13

на замовлення 1130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.33 грн
20+	40.44 грн
100+	25.24 грн
500+	19.59 грн
1000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 17

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 9265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.68 грн
10+	42.85 грн
100+	28.6 грн
500+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTP3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.63 грн
19+	43.39 грн
100+	27.23 грн
500+	19.74 грн
1000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXTP3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 35220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.78 грн
10+	40.16 грн
100+	24.27 грн
500+	18.95 грн
1000+	15.47 грн
2500+	13.06 грн
10000+	12.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTP3C60PSQ-13

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.23 грн
500+	19.74 грн
1000+	16.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP3C60PSQ-13

DXTP3C60PSQ-13 PNP SMD transistors

товару немає в наявності

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.9 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP560BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.14 грн
21+	38.22 грн
100+	23.8 грн
500+	18.41 грн
1000+	15.9 грн

Мінімальне замовлення: 18

DXTP560BP5-13

Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товару немає в наявності

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 189843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
10+	31.86 грн
100+	22.02 грн
500+	17.27 грн
1000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTP560BP5-13

Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

на замовлення 18838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.82 грн
10+	35.1 грн
100+	21.15 грн
500+	17.6 грн
1000+	17.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTP560BP5-13

на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.8 грн
500+	18.41 грн
1000+	15.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.01 грн
11+	27.13 грн
100+	20.26 грн
500+	14.94 грн
1000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

DXTP58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.37 грн
12+	27.26 грн
100+	16.54 грн
500+	12.85 грн
1000+	10.5 грн
3000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXTP5820CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 13837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.37 грн
13+	26.28 грн
100+	15.54 грн
500+	12.14 грн
1000+	10.43 грн
3000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.24 грн
12+	26.54 грн
100+	18.45 грн
500+	13.51 грн
1000+	10.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTP5820CFDB-7

DXTP5820CFDB-7 PNP SMD transistors

товару немає в наявності

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

товару немає в наявності

DXTP5840CFDB-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP5840CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

товару немає в наявності

DXTP5840CFDB-7