DXTN10060DFJBWQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.93 грн |
| 6000+ | 10.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXTN10060DFJBWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: WDFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DXTN10060DFJBWQ-7 за ціною від 8.44 грн до 34.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DXTN10060DFJBWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: WDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DXTN10060DFJBWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W |
на замовлення 11445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DXTN10060DFJBWQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: WDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DXTN10060DFJBWQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|