Продукція > DIODES INCORPORATED > DXT5551P5Q-13
DXT5551P5Q-13

DXT5551P5Q-13 Diodes Incorporated

DXT5551P5Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.26 грн
10000+ 11.86 грн
25000+ 11.58 грн
50000+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT5551P5Q-13 Diodes Incorporated

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 2.25 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DXT5551P5Q-13 за ціною від 11.46 грн до 45.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DXT5551P5Q-13 DXT5551P5Q-13 Виробник : Diodes Zetex dxt5551p5q.pdf NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 560000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DXT5551P5Q-13 DXT5551P5Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DXT5551P5Q.pdf Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 570390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 34.12 грн
100+ 23.71 грн
500+ 17.38 грн
1000+ 14.12 грн
2000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT5551P5Q-13 DXT5551P5Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956460_1-2543851.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.02 грн
10+ 37.99 грн
100+ 22.91 грн
500+ 17.92 грн
1000+ 13 грн
5000+ 12.3 грн
10000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXT5551P5Q-13 DXT5551P5Q-13 Виробник : Diodes Zetex dxt5551p5q.pdf NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DXT5551P5Q-13 DXT5551P5Q-13 Виробник : Diodes Inc dxt5551p5q.pdf NPN High Voltage Transistor Automotive AEC-Q101
товар відсутній