Продукція > BSR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSRMPD (Memory Protection Devices)Description: 9V FASTENING RIVET FOR SNAP
на замовлення 37509000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR-2 0.030X12X12Laird Technologies EMIDescription: ECCOSORB BSR-2 12X12X0.030
товар відсутній
BSR-2 0.080X12X12Laird Technologies EMIDescription: ECCOSORB BSR-2 12X12X0.080
товар відсутній
BSR-44-BTBud IndustriesDescription: STACKRACK ASSEMBLY KIT (19" X12U
Packaging: Box
Color: Black
Material: Metal, Steel
Style: Open Rack, Double Frame
Type: Open Rack
Dimensions - Panel: 17.500" L x 17.850" W x 23.000" H (444.50mm x 453.39mm x 584.20mm)
Dimensions - Overall: 21.000" L x 19.000" W x 24.500" H (533.40mm x 482.60mm x 622.30mm)
Mounting Rails: Two Pair
Ventilation: Non-Vented
Part Status: Active
Number of Units: 10U
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16543.4 грн
5+ 13278.28 грн
BSR-44-BTBud IndustriesRacks & Rack Cabinets BUDSTACKRACK ASSEMBLY KIT (19"x12U OR 14U) & ACCESSORIES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18033.39 грн
5+ 15785.23 грн
BSR106WS-TPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323
на замовлення 8436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
15+ 23.08 грн
100+ 7.82 грн
1000+ 6.01 грн
3000+ 4.64 грн
9000+ 4.06 грн
24000+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR106WS-TPMicro Commercial ComponentsRectifier Diode Schottky 60V 1A 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
BSR106WS-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 1A; SOD323; reel,tape
Capacitance: 120pF
Mounting: SMD
Case: SOD323
Leakage current: 0.1mA
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 10A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.69 грн
90+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 75
BSR106WS-TPMicro Commercial ComponentsRectifier Diode Schottky 60V 1A 2-Pin SOD-323 T/R
товар відсутній
BSR106WS-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 37032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+ 15.02 грн
100+ 9.39 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSR106WS-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 1A; SOD323; reel,tape
Capacitance: 120pF
Mounting: SMD
Case: SOD323
Leakage current: 0.1mA
Max. off-state voltage: 60V
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 10A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.83 грн
55+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSR106WS-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+ 4.68 грн
9000+ 4.42 грн
15000+ 3.88 грн
21000+ 3.72 грн
30000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR10C122JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 1.2K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Ceramic AXL
товар відсутній
BSR10CN102JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 1K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Molded Pin
товар відсутній
BSR10CN103JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 10K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Molded Pin
товар відсутній
BSR10CN112JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 1.1K Ohm 5% 10W ±300ppm/C RDL Automotive
товар відсутній
BSR10CN133JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 13K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Pin Automotive
товар відсутній
BSR10CN153JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 15K Ohm 5% 10W ±300ppm/°C Molded Pin
товар відсутній
BSR10CN153JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 15K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Molded Pin
товар відсутній
BSR10CN153JKOA SpeerWirewound Resistors - Through Hole
товар відсутній
BSR10CN302JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 3K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Molded Pin
товар відсутній
BSR10CN822JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 8.2K Ohm 5% 10W ±300ppm/C Ceramic RDL Automotive
товар відсутній
BSR12PHILIPS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR12NXP SemiconductorsNXP Semiconductors PNP switching transistor
товар відсутній
BSR12PHILIPSSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR12,215NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 15V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
товар відсутній
BSR12,215NXP SemiconductorsTrans GP BJT PNP 15V 0.1A 250mW 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR12/B5PPHILIPS
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR1220JEWelwyn ComponentsRes Thick Film 2512 22 Ohm 5% 1W ±100ppm/C Pad SMD T/R
товар відсутній
BSR13ON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR13Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS NPN 30V 500MA SOT23-3
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR13ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR13/U7NATIONAL09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR13R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR13\U7NATIONALSOT-23
на замовлення 24100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR14ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+23.32 грн
37+ 16.76 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 5.43 грн
3000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 27
BSR14ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.26 грн
19+ 20.75 грн
25+ 15.85 грн
100+ 12.91 грн
134+ 6.57 грн
368+ 6.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
9000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14onsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
6000+ 6.16 грн
9000+ 5.83 грн
15000+ 5.13 грн
21000+ 4.93 грн
30000+ 4.74 грн
75000+ 4.23 грн
150000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.22 грн
500+ 7.7 грн
1500+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR14
Код товару: 104952		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
9000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 13510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
14+ 25.41 грн
100+ 13.77 грн
1000+ 7.25 грн
3000+ 6.45 грн
9000+ 5.58 грн
24000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR14ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.11 грн
11+ 25.86 грн
25+ 19.02 грн
100+ 15.49 грн
134+ 7.88 грн
368+ 7.43 грн
3000+ 7.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR14ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR14 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.98 грн
50+ 19.1 грн
100+ 11.22 грн
500+ 7.7 грн
1500+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 31
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR14onsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 188969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.13 грн
16+ 19.02 грн
100+ 12.06 грн
500+ 8.47 грн
1000+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR14ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 65
BSR14 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 51509		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
товар відсутній
BSR14(9335
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR14,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.11 грн
12+ 25.49 грн
25+ 19.29 грн
50+ 15.58 грн
100+ 12.5 грн
195+ 5.43 грн
535+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR14,215NexperiaTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 132793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
22+ 14.34 грн
100+ 7.26 грн
500+ 6.04 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSR14,215NEXPERIATrans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR14,215NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR14/SOT23/TO-236AB
на замовлення 8483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.58 грн
21+ 16.41 грн
100+ 6.38 грн
1000+ 5 грн
3000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSR14,215NexperiaTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
15000+ 6.9 грн
30000+ 6.41 грн
45000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14,215NEXPERIATrans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR14,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 99048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSR14,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.26 грн
19+ 20.45 грн
25+ 16.08 грн
50+ 12.98 грн
100+ 10.42 грн
195+ 4.53 грн
535+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSR14,215NexperiaTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR14.ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR14. - TRANSISTOR, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BSR14.215NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 800mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
товар відсутній
BSR14/U8
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR14DBussmann / EatonSwitch Actuators SELECTOR HANDLE-RED
товар відсутній
BSR14SOT23-U8P
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR14_D87ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BSR15onsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BSR15onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR15ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR15On Semiconductor/Fairchild
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSR15
Код товару: 200392		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BSR15onsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BSR15R
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR15_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR16ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
829+14.84 грн
1117+ 11 грн
1257+ 9.78 грн
1374+ 8.63 грн
3000+ 5.85 грн
6000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 829
BSR16onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 27861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+ 22.42 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR16CDILPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS, 60V 800mA BSR16 CDIL TBSR16 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSR16ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR16ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16
Код товару: 60930		FairchildТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 200 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 0,8 A
h21,max: 300
товар відсутній
BSR16onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.25 грн
6000+ 6.83 грн
9000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16ON-SemicoductorPNP 60V 600mA 250mW 200MHz BSR16-FAI BSR16 SOT23 TBSR16
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR16ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.79 грн
39+ 15.69 грн
45+ 13.78 грн
100+ 9.85 грн
500+ 8.11 грн
1000+ 7.12 грн
3000+ 5.22 грн
6000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSR16onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 110144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
18+ 19.08 грн
100+ 9.27 грн
1000+ 7.61 грн
3000+ 6.23 грн
9000+ 5.36 грн
24000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR16ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR16 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSR16ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 92950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+7.83 грн
3000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 78
BSR16ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.26 грн
19+ 20.08 грн
29+ 13.06 грн
100+ 8.6 грн
124+ 7.17 грн
250+ 7.09 грн
341+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSR16ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.11 грн
12+ 25.02 грн
25+ 15.67 грн
100+ 10.32 грн
124+ 8.6 грн
250+ 8.51 грн
341+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR16,215NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR16,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.33 грн
50+ 16.58 грн
100+ 9.75 грн
500+ 6.55 грн
1500+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSR16,215NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
9000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.86 грн
18+ 17.74 грн
100+ 8.94 грн
500+ 7.44 грн
1000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSR16,215NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR16/SOT23/TO-236AB
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.84 грн
16+ 21.16 грн
100+ 8.26 грн
1000+ 6.23 грн
3000+ 5.36 грн
9000+ 4.78 грн
24000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR16,215NXPTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BSR16,215 BSR16 NXP TBSR16 NXP
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSR16,215NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.37 грн
6000+ 6.73 грн
12000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR16,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSR16,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Pulsed collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+21.94 грн
24+ 16.08 грн
30+ 12.83 грн
50+ 10.42 грн
100+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSR16,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR16,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.55 грн
1500+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSR16,215NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
9000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+ 5.4 грн
9000+ 4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16,215NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Pulsed collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.33 грн
15+ 20.03 грн
25+ 15.4 грн
50+ 12.5 грн
100+ 10.14 грн
182+ 5.83 грн
499+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR16,215NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
9000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16,215NEXPERIATrans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR16..ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.54 грн
50+ 16.34 грн
100+ 11.14 грн
500+ 8.15 грн
1500+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 38
BSR16..ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR16.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60V, -800mA, 350mW, SOT-23, SMD
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.14 грн
500+ 8.15 грн
1500+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR16/DG/B3215NXPDescription: NXP - BSR16/DG/B3215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6410+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 6410
BSR16/DG/B3215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.3 грн
Мінімальне замовлення: 5323
BSR16/DG/B4,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR16/DG/B4,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSR16/DG/B4215NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSR16/DG/B4VLNexperia USA Inc.Description: BSR16 - PNP Small Signal Bipolar
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 4438
BSR16/DG/B4VLNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR16/DG/B4VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5342+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 5342
BSR16/LF1RNXP USA Inc.Description: TRANS PNP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BSR17
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR17AONSEMIDescription: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
BSR17AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BSR17AON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR17AON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR17AONSEMIDescription: ONSEMI - BSR17A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
BSR17AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BSR17Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR17A/U92NATIONAL09+
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR17A_D87ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
BSR17A_D87Zonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR17A_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT SOT23 HI-SPD SWITCH - MARK U92
товар відсутній
BSR17A_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR18/D76ON
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR18AonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
товар відсутній
BSR18AON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR18AFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
товар відсутній
BSR18Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR18AONSEMIDescription: ONSEMI - BSR18A - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR18AonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
товар відсутній
BSR18AON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR18A,215NXP SemiconductorsTrans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR18A/T92PHILIPS
на замовлення 38671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR18A_D87ZonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
товар відсутній
BSR18A_D87ZON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR18A_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR18BON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товар відсутній
BSR18B
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR18BON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23
товар відсутній
BSR18R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR19PHILIPS06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR19PHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR19PHILIPS09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR19A,215
Код товару: 158841		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BSR19A,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80
Collector current: 0.3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.22 грн
50+ 7.55 грн
100+ 6.79 грн
160+ 5.47 грн
440+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSR19A,215NexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR19A,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80
Collector current: 0.3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.46 грн
30+ 9.4 грн
100+ 8.15 грн
160+ 6.57 грн
440+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSR19A,215NexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+14.41 грн
49+ 12.61 грн
100+ 9.58 грн
1000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 43
BSR19A,215NEXPERIATrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR19A,215NexperiaТранз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,3A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfemin=80
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
42+6.98 грн
48+ 5.73 грн
100+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 42
BSR19A,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR19A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.81 грн
500+ 7.92 грн
1500+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR19A,215NexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+19.86 грн
41+ 15.06 грн
100+ 9.38 грн
1000+ 7.46 грн
3000+ 3.84 грн
9000+ 3.51 грн
24000+ 3.48 грн
45000+ 3.27 грн
Мінімальне замовлення: 31
BSR19A,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR19A,215NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR19A/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
15+ 22.83 грн
100+ 9.71 грн
1000+ 6.67 грн
3000+ 4.85 грн
9000+ 4.71 грн
24000+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR19A,215NexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.18 грн
9000+ 7.02 грн
24000+ 6.58 грн
45000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR19A,215NEXPERIATrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR19A,215NXP SemiconductorsNPN 160V 0.3A SOT-23
на замовлення 643 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSR19A,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR19A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.86 грн
55+ 14.87 грн
100+ 10.81 грн
500+ 7.92 грн
1500+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 44
BSR19A,215NexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
9000+ 6.46 грн
24000+ 6.06 грн
45000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR19A,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.13 грн
14+ 22.04 грн
100+ 11.11 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR19A-QRNEXPERIATrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR19A-QRNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80
Collector current: 0.3A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSR19A-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR19A-QRNexperia USA Inc.Description: BSR19A-Q/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSR19A-QRNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR19A-Q/SOT23/TO-236AB
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
14+ 25.58 грн
100+ 13.84 грн
1000+ 7.25 грн
3000+ 5.8 грн
9000+ 5.29 грн
45000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR19A-QRNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.3A; 250mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80
Collector current: 0.3A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товар відсутній
BSR19A-QRNexperiaTrans GP BJT NPN 160V 0.3A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSR1R27JEWelwyn ComponentsRes Thick Film 2512 0.27 Ohm 5% 1W ±100ppm/C Pad SMD T/R
товар відсутній
BSR20
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR202NINFINEONSOT-23
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR202N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 3.8A SOT-23-3
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.8 грн
10+ 38.41 грн
100+ 24.92 грн
500+ 19.63 грн
1000+ 15.14 грн
3000+ 13.84 грн
9000+ 12.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR202NL6327HTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR202NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.017 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.19 грн
31+ 26.74 грн
100+ 16.58 грн
500+ 12 грн
1000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSR202NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR202NL6327HTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
50+ 24.08 грн
61+ 14.64 грн
166+ 13.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR202NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR202NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V
на замовлення 13469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+ 24.45 грн
100+ 15.81 грн
500+ 11.34 грн
1000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR202NL6327HTSA1
Код товару: 142665		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSR202NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.8A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1147 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR202NL6327HTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.89 грн
50+ 30 грн
61+ 17.57 грн
166+ 16.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR202NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.8A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR20APHILIPSSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR20A транзистор
Код товару: 106410		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BSR20A,215NXP SemiconductorsTrans GP BJT PNP 150V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR2CN102JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 1K Ohm 5% 2W ±300ppm/°C Pin
товар відсутній
BSR2CN103JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 10K Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded Pin Automotive
товар відсутній
BSR2CN561JKOA Speer ElectronicsRes Metal Oxide 560 Ohm 5% 2W ±300ppm/C Molded Pin
товар відсутній
BSR30KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR30PHISOT-89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR30,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.6 грн
34+ 18.3 грн
100+ 17.36 грн
250+ 15.81 грн
500+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 33
BSR30,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.7 грн
12+ 30 грн
100+ 15.29 грн
1000+ 8.84 грн
2000+ 7.68 грн
10000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR30,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR30,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+ 36.08 грн
100+ 24.94 грн
500+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR30,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR30,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BSR30-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR
товар відсутній
BSR30-QFNEXPERIABSR30-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR30-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR30-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR30-QXNEXPERIABSR30-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR302KL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR302N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSR302N L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR302NL6327Infineon technologies
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR302NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товар відсутній
BSR302NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
товар відсутній
BSR302NL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR302NL6327HTSA1 - BSR302 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2858+8.7 грн
Мінімальне замовлення: 2858
BSR302NL6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 3.7A SOT-23-3
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSR302NL6327HTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR302NL6327HTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
товар відсутній
BSR302NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR30FNexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товар відсутній
BSR30FNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR30/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR30FNexperia USA Inc.Description: BSR30/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR30FNEXPERIATrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товар відсутній
BSR31NexperiaNXP Semiconductors
товар відсутній
BSR31 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR31 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
товар відсутній
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
838+14.67 грн
869+ 14.15 грн
885+ 13.89 грн
906+ 13.09 грн
1000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 838
BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+42.76 грн
375+ 32.77 грн
421+ 29.19 грн
500+ 24.66 грн
1000+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 288
BSR31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.06 грн
500+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+13.62 грн
100+ 13.14 грн
250+ 12.44 грн
500+ 11.26 грн
1000+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR31,115NEXPERIATrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.32 грн
10+ 34.49 грн
100+ 23.99 грн
500+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR31,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.44 грн
13+ 26.33 грн
100+ 12.46 грн
1000+ 10.14 грн
2000+ 8.91 грн
10000+ 8.04 грн
25000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.89 грн
16+ 40.11 грн
25+ 39.7 грн
100+ 29.34 грн
250+ 24.2 грн
500+ 20.36 грн
1000+ 14.4 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSR31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.79 грн
29+ 28.53 грн
100+ 14.06 грн
500+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR31,135NEXPERIATrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR31,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BSR31,135NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR31,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BSR31-QFNexperia USA Inc.Description: BSR31-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товар відсутній
BSR31-QFNexperiaBSR31-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR31-QFNEXPERIABSR31-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR31-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR31-QXNexperia USA Inc.Description: BSR31-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товар відсутній
BSR31-QXNexperiaBSR31-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR31-QXNEXPERIABSR31-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR31-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR315P H6327Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR315P L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR315PH6327Infineon technologies
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 15236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+33.43 грн
395+ 31.13 грн
397+ 31.03 грн
500+ 29.11 грн
1000+ 25.46 грн
3000+ 19.61 грн
6000+ 18.71 грн
12000+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 368
BSR315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.62 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.62 грн
500+ 13.89 грн
1500+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 20825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
11+ 30.41 грн
100+ 18.98 грн
500+ 14.64 грн
1000+ 13.26 грн
3000+ 11.16 грн
9000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
на замовлення 30603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+ 30.87 грн
100+ 21.49 грн
500+ 15.75 грн
1000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR315PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.62 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.24 грн
50+ 27.47 грн
100+ 21.62 грн
500+ 13.89 грн
1500+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR315PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+44.91 грн
365+ 33.73 грн
376+ 32.75 грн
500+ 25.2 грн
1000+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 274
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
6000+ 10.38 грн
9000+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR315PH6327XTSA1
Код товару: 165852		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.5 грн
15+ 41.84 грн
25+ 41.7 грн
100+ 30.2 грн
250+ 27.15 грн
500+ 20.8 грн
1000+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSR315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
товар відсутній
BSR316P H6327Infineon
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR316P L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
9000+ 11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.76 грн
50+ 24.08 грн
61+ 14.34 грн
167+ 13.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 6304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.05 грн
11+ 29.66 грн
100+ 20.6 грн
500+ 15.09 грн
1000+ 12.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
9000+ 10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.43 грн
38+ 16.37 грн
51+ 11.97 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSR316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.91 грн
500+ 13.89 грн
1500+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesP-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR316PH6327XTSA1
Код товару: 141413		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.13 грн
6000+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.03 грн
9000+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.8 грн
50+ 25.36 грн
100+ 19.91 грн
500+ 13.89 грн
1500+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 160356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
13+ 27.5 грн
100+ 17.32 грн
500+ 15 грн
1000+ 12.97 грн
3000+ 11.09 грн
9000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR316PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.91 грн
50+ 30 грн
61+ 17.21 грн
167+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.85 грн
9000+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
678+18.13 грн
682+ 18.02 грн
760+ 16.18 грн
1000+ 15.01 грн
2000+ 13.81 грн
3000+ 12.82 грн
6000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 678
BSR316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
товар відсутній
BSR316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR31TADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
товар відсутній
BSR32
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR33PHISOT89
на замовлення 52759 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR33NexperiaNXP Semiconductors
товар відсутній
BSR33PHILIPS07+
на замовлення 737 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR33PHISOT-89
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR33PHILIHPS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR33Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR33PHILIPS09+
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR33 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR33,115
Код товару: 114083		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BSR33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.43 грн
10+ 36.24 грн
100+ 19.06 грн
1000+ 10.14 грн
2000+ 7.9 грн
10000+ 7.68 грн
50000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.56 грн
2000+ 12.74 грн
5000+ 12.62 грн
10000+ 12.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.03 грн
22+ 28.79 грн
25+ 28.51 грн
100+ 23.45 грн
250+ 21.18 грн
500+ 17.35 грн
1000+ 12.5 грн
3000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSR33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.32 грн
10+ 35.55 грн
100+ 24.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.91 грн
200+ 16.3 грн
500+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR33,115NEXPERIATrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR33,115NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.35W
Collector current: 1A
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.89 грн
10+ 34.7 грн
50+ 26.35 грн
82+ 13.04 грн
224+ 12.32 грн
1000+ 12.23 грн
2000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+30.7 грн
470+ 26.19 грн
482+ 25.55 грн
564+ 21.02 грн
1000+ 14.02 грн
3000+ 13.33 грн
Мінімальне замовлення: 401
BSR33,115NEXPERIACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.35W
Collector current: 1A
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
14+ 27.85 грн
50+ 21.96 грн
82+ 10.87 грн
224+ 10.26 грн
1000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.92 грн
27+ 30.48 грн
50+ 19.91 грн
200+ 16.3 грн
500+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.02 грн
2000+ 11.83 грн
5000+ 11.72 грн
10000+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR33,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BSR33,135NEXPERIATrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR33,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
BSR33,135NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR33,135NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR33-QFNexperia USA Inc.Description: BSR33-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
товар відсутній
BSR33-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR33-QFNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товар відсутній
BSR33-QFNEXPERIATrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW
товар відсутній
BSR33-QXNEXPERIATrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW
товар відсутній
BSR33-QXNexperia USA Inc.Description: BSR33-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
товар відсутній
BSR33-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR33-QXNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товар відсутній
BSR33-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
BSR33-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Transistors
товар відсутній
BSR33QTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.55 грн
11+ 32.33 грн
100+ 20.94 грн
500+ 16.3 грн
1000+ 12.53 грн
2000+ 11.16 грн
10000+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+31.89 грн
522+ 23.58 грн
670+ 18.34 грн
1000+ 13.5 грн
2000+ 11.27 грн
5000+ 10.03 грн
10000+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 386
BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.85 грн
21+ 29.61 грн
100+ 21.89 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 11.61 грн
2000+ 10.04 грн
5000+ 9.31 грн
10000+ 8.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR33QTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.4 грн
10+ 31.47 грн
100+ 23.48 грн
500+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR33QTADiodes IncTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR33QTADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR33TADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+28.03 грн
638+ 19.28 грн
645+ 19.08 грн
Мінімальне замовлення: 439
BSR33TADIODES INCORPORATEDBSR33TA PNP SMD transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.41 грн
120+ 8.95 грн
325+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSR33TADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR33TADiodes IncTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR33TADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.16 грн
24+ 26.29 грн
25+ 26.03 грн
100+ 17.26 грн
250+ 15.82 грн
500+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSR33TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
13+ 26.91 грн
100+ 11.23 грн
1000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR33TADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
11+ 28.68 грн
100+ 19.52 грн
500+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR33TADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR34KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR39 BLACK 25M..PRO POWERDescription: PRO POWER - BSR39 BLACK 25M.. - Aderleitung, Litze, Schaltlitze, Silikonkautschuk, Schwarz, 0.5 mm², 82 ft, 25 m
tariffCode: 85444995
Länge auf Rolle (metrisch): 25m
Leitermaterial: Verzinntes Kupfer
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Drahtdurchmesser: -
Mantelmaterial: Silikonkautschuk
usEccn: EAR99
Länge auf Rolle (imperial): 82ft
Mantelfarbe: Schwarz
Leiterquerschnitt CSA: 0.5mm²
euEccn: NLR
Max. Anzahl d. Einzeldrähte x Einzeldrahtgröße: 16 x 0.2mm
Außendurchmesser: 2.6mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Nennspannung: 300V
Zulassungsspezifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.13 грн
BSR40PHI
на замовлення 854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR40PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR40(D1615)PHILIPS01+ SOT-89
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR41NexperiaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR41 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR41,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+15.3 грн
500+ 13.26 грн
1000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 497
BSR41,115NEXPERIATrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR41,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Pulsed collector current: 2A
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.84 грн
11+ 25.96 грн
25+ 22.46 грн
55+ 19.2 грн
150+ 18.2 грн
500+ 17.75 грн
1000+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR41,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Pulsed collector current: 2A
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.2 грн
19+ 20.83 грн
25+ 18.72 грн
55+ 16 грн
150+ 15.17 грн
500+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR41,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR41,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BSR41,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR41,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR41,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR41/SOT89/MPT3
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
13+ 27.25 грн
100+ 16.45 грн
500+ 13.77 грн
1000+ 12.82 грн
10000+ 11.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR41,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.6 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSR41,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41,115NexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
746+16.48 грн
861+ 14.28 грн
1000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 746
BSR41,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+ 24.53 грн
100+ 16.97 грн
500+ 13.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR41-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR41-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR41-QFNexperia USA Inc.Description: BSR41-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSR41-QFNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41-QFNEXPERIATrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41-QFNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR41-QFNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товар відсутній
BSR41-QXNexperia USA Inc.Description: BSR41-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSR41-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41-QXNEXPERIATrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR41-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товар відсутній
BSR41-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR41-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR41FNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR41/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR41FNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товар відсутній
BSR41FNexperiaTrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41FNEXPERIATrans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR41FNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR41F - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
BSR42PHI
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR42KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR42.
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR43PHILIPS
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR43Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR43KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR43NexperiaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR43ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR43 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BSR43,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.35 грн
25+ 19.09 грн
63+ 13.91 грн
172+ 13.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSR43,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR43,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.08 грн
200+ 18.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR43,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.6 грн
2000+ 8.47 грн
10000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR43,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+10.34 грн
2000+ 9.13 грн
10000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 1189
BSR43,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
товар відсутній
BSR43,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR43,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.87 грн
21+ 39.99 грн
50+ 20.08 грн
200+ 18.26 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSR43,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.81 грн
30+ 20.32 грн
31+ 20.15 грн
100+ 15.82 грн
250+ 14.5 грн
500+ 13.78 грн
1000+ 12.08 грн
3000+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 28
BSR43,115NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.82 грн
25+ 23.79 грн
63+ 16.69 грн
172+ 15.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR43,115NEXPERIATrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR43,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR43/SOT89/MPT3
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.91 грн
11+ 30.83 грн
100+ 16.08 грн
1000+ 10.43 грн
2000+ 9.2 грн
10000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR43,115
Код товару: 111388		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BSR43,115NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+21.7 грн
696+ 17.66 грн
703+ 17.49 грн
710+ 16.69 грн
1000+ 13.55 грн
3000+ 11.19 грн
Мінімальне замовлення: 567
BSR43,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+ 33.59 грн
100+ 23.21 грн
500+ 18.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR43-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR43-QXNEXPERIATrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR43-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BSR43-Q/SOT89/MPT3
товар відсутній
BSR43-QXNexperia USA Inc.Description: BSR43-Q/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSR43-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товар відсутній
BSR43-QXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR43-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
BSR43-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS
товар відсутній
BSR43QTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.7 грн
11+ 31.91 грн
100+ 20.72 грн
500+ 16.3 грн
1000+ 12.53 грн
2000+ 11.45 грн
10000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR43QTADiodes Zetex80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Automotive AEC-Q101
на замовлення 143000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1104+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 1104
BSR43QTADiodes IncorporatedDescription: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 143000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.98 грн
2000+ 11.17 грн
5000+ 10.6 грн
10000+ 9.24 грн
25000+ 9.03 грн
50000+ 8.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR43TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR43TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+28.35 грн
774+ 15.89 грн
781+ 15.74 грн
Мінімальне замовлення: 434
BSR43TADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.07 грн
30+ 14.26 грн
85+ 10.37 грн
235+ 9.8 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSR43TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.84 грн
2000+ 8.72 грн
5000+ 8.36 грн
10000+ 7.06 грн
25000+ 6.96 грн
50000+ 6.54 грн
100000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSR43TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.91 грн
23+ 26.59 грн
25+ 26.32 грн
100+ 14.23 грн
250+ 13.05 грн
500+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSR43TADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.48 грн
25+ 17.78 грн
85+ 12.44 грн
235+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSR43TADiodes IncTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSR43TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
BSR43TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 416803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.7 грн
13+ 25.13 грн
100+ 15.05 грн
500+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR43TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
12+ 28.25 грн
100+ 13.04 грн
1000+ 9.06 грн
2000+ 8.4 грн
10000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR50
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR50ON SemiconductorTrans Darlington NPN 45V 1.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
BSR50onsemiDescription: TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO92-3
товар відсутній
BSR50onsemi / FairchildDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
товар відсутній
BSR50-D74ZON SemiconductorTrans Darlington NPN 45V 1.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
BSR500IL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR50_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO92-3
товар відсутній
BSR50_J35ZonsemiDescription: TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO92-3
товар відсутній
BSR50_Qonsemi / FairchildDarlington Transistors NPN Transistor Darlington
товар відсутній
BSR52,126NXP SemiconductorsTrans Darlington NPN 80V 1A 830mW 3-Pin SPT Ammo
товар відсутній
BSR55
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR56PHILIPSSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR56ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR56onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
товар відсутній
BSR56NXP SemiconductorsJFET N-channel FETs
товар відсутній
BSR56onsemi / FairchildJFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise
товар відсутній
BSR56onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
товар відсутній
BSR56 T/RNXP SemiconductorsJFET TAPE7 FET-RFSS
товар відсутній
BSR56,215NXP USA Inc.Description: JFET N-CH 40V 20MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Current Drain (Id) - Max: 20 mA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
товар відсутній
BSR56,215NXP SemiconductorsJFET TAPE7 FET-RFSS
товар відсутній
BSR56,215NXP SemiconductorsTrans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR56,215-RP100*3902397NXP SemiconductorsTrans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR56_Qonsemi / FairchildJFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise
товар відсутній
BSR57onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.59 грн
6000+ 7.01 грн
9000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.92 грн
44+ 14.15 грн
100+ 7.97 грн
500+ 7.44 грн
1000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSR57ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20
Durchbruchspannung Vbr: 40
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+15.24 грн
1432+ 8.59 грн
1480+ 8.31 грн
2069+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 807
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.74 грн
28+ 21.91 грн
100+ 20.39 грн
250+ 18.2 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 16.17 грн
3000+ 15.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR57ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.8 грн
25+ 13.73 грн
100+ 11.68 грн
105+ 10.08 грн
290+ 9.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSR57ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
товар відсутній
BSR57onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 22821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
15+ 21.06 грн
100+ 12.61 грн
500+ 10.96 грн
1000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR57onsemi / FairchildJFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.84 грн
15+ 23.5 грн
100+ 11.3 грн
1000+ 7.68 грн
3000+ 6.59 грн
9000+ 6.09 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+23.6 грн
540+ 22.78 грн
560+ 21.96 грн
582+ 20.38 грн
1000+ 18.14 грн
3000+ 16.71 грн
Мінімальне замовлення: 521
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR57ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -40V
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
Type of transistor: N-JFET
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.02 грн
100+ 9.74 грн
105+ 8.4 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSR57ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR57 T/RNXP SemiconductorsJFET TAPE7 FET-RFSS
товар відсутній
BSR57,215NXP USA Inc.Description: JFET N-CH 40V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
товар відсутній
BSR57,215NXP SemiconductorsTrans JFET N-CH 40V 100mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR57,215NXP SemiconductorsJFET TAPE7 FET-RFSS
товар відсутній
BSR57_Qonsemi / FairchildJFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise
товар відсутній
BSR58ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.6 грн
9000+ 6.12 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR58
Код товару: 41067		Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 40 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 60 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSR58ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.58 грн
30+ 11 грн
100+ 9.42 грн
135+ 8 грн
360+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSR58onsemi / FairchildJFETs N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise
на замовлення 27940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.05 грн
17+ 20.58 грн
100+ 8.48 грн
1000+ 7.03 грн
3000+ 5.51 грн
9000+ 5.29 грн
24000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR58ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 80mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.82 грн
45+ 8.83 грн
100+ 7.85 грн
135+ 6.66 грн
360+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSR58ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.89 грн
500+ 7.47 грн
1500+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR58onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
на замовлення 149184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+ 18.49 грн
100+ 11.67 грн
500+ 8.18 грн
1000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR58ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR58ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
9000+ 6.64 грн
24000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR58ONSEMIDescription: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.93 грн
50+ 18.45 грн
100+ 10.89 грн
500+ 7.47 грн
1500+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSR58onsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.8 грн
6000+ 5.94 грн
9000+ 5.63 грн
15000+ 4.95 грн
21000+ 4.75 грн
30000+ 4.56 грн
75000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR58NXP SemiconductorsJFET N-channel FETs
товар відсутній
BSR58ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR58ON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR58 T/RNXP SemiconductorsJFET TAPE7 FET-RFSS
товар відсутній
BSR58,215NXP USA Inc.Description: JFET N-CH 40V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
товар відсутній
BSR58,215NXP SemiconductorsTrans JFET N-CH 40V 80mA Si 3-Pin TO-236AB T/R
товар відсутній
BSR58LT1onsemiJFET 40V 10mA
товар відсутній
BSR58LT1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSR58LT1GONSOT-23 08+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR58LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V
товар відсутній
BSR58LT1GonsemiJFET 40V 10mA
товар відсутній
BSR58LT1GON
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR58_Qonsemi / FairchildJFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise
товар відсутній
BSR59
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR606N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSR606NH6327Infineon technologies
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR606NH6327XTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR606NH6327XTSA1 - BSR606 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSR606NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3
товар відсутній
BSR606NH6327XTSA1 LIs.InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R BSR606NH6327XTSA1 TBSR606n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSR62PHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR62
Код товару: 960		NXPТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 1 A
h21,max: 2000
Примітка: Дарлінгтон
товар відсутній
BSR62,126NXP SemiconductorsTrans Darlington PNP 80V 1A 830mW 3-Pin SPT Ammo
товар відсутній
BSR62,412NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BSR62,412NXP SemiconductorsTrans Darlington PNP 80V 1A 830mW 3-Pin SPT Bulk
товар відсутній
BSR69
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR7CH103JKOA SpeerWirewound Resistors - Through Hole
товар відсутній
BSR7CN222JKOA Speer ElectronicsBSR7CN222J
товар відсутній
BSR7CN513JKOA SpeerWirewound Resistors - Through Hole
товар відсутній
BSR802NInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSR802N L6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
на замовлення 13496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.43 грн
10+ 35.99 грн
100+ 23.4 грн
500+ 18.4 грн
1000+ 14.64 грн
3000+ 12.39 грн
9000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR802N L6327InfineonN-MOSFET 20V 3.7A 23mΩ 500mW BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL INFINEON TBSR802nl
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSR802NL6327Infineon technologies
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR802NL6327HTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.6 грн
25+ 18.62 грн
69+ 15.49 грн
188+ 14.67 грн
1000+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+17.19 грн
39+ 15.83 грн
100+ 12.76 грн
250+ 11.74 грн
500+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSR802NL6327HTSA1
Код товару: 142666		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V
на замовлення 104126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+ 24.53 грн
100+ 15.9 грн
500+ 11.41 грн
1000+ 10.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR802NL6327HTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.017 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.13 грн
32+ 26.09 грн
100+ 16.82 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 10.17 грн
5000+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 27
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
723+17 грн
728+ 16.9 грн
817+ 15.06 грн
1000+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 723
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSR802NL6327HTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23 грн
26+ 14.94 грн
69+ 12.91 грн
188+ 12.23 грн
1000+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSR802NL6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
на замовлення 26419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.56 грн
15+ 23 грн
100+ 14.49 грн
500+ 11.52 грн
1000+ 10.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSR92PInfineon TechnologiesInfineon SMALL SIGNAL MOSFETS
товар відсутній
BSR92PINFINEONSC59 10+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR92P L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR92P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -250V 140mA SOT-23-3
товар відсутній
BSR92PH6327Infineon technologies
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+47 грн
Мінімальне замовлення: 262
BSR92PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.44 грн
50+ 28.77 грн
100+ 22.03 грн
500+ 12.6 грн
1500+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
6000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.7 грн
11+ 27.92 грн
100+ 19.42 грн
500+ 14.23 грн
1000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR92PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.7 грн
50+ 21.59 грн
79+ 11.09 грн
218+ 10.49 грн
2000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1019+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 1019
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 9118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.91 грн
10+ 34.5 грн
100+ 20.79 грн
500+ 16.23 грн
1000+ 13.19 грн
3000+ 11.01 грн
9000+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR92PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.03 грн
500+ 12.6 грн
1500+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 55
BSR92PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.04 грн
50+ 26.9 грн
79+ 13.31 грн
218+ 12.59 грн
2000+ 12.23 грн
3000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR92PH6327XTSA1
Код товару: 155406		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSR92PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.44 грн
6000+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR92PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V
товар відсутній
BSR92PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSR92PL6327HTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -250V 140mA SOT-23-3
товар відсутній
BSR92PL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSRBC500MOT90+
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSRBC500ZKHCMDIP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSRBC500ZKHCM90
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSRBC50ZKHMOTDIP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSRE160ETC220MF05DUnited Chemi-ConAluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 22UF 16V
товар відсутній
BSRR1SCHLEGELCategory: Panel Mount Accessories
Description: Description label; RONTRON-R-JUWEL
Manufacturer series: RONTRON-R-JUWEL
Type of switch accessories: description label
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSRR1SCHLEGELCategory: Panel Mount Accessories
Description: Description label; RONTRON-R-JUWEL
Manufacturer series: RONTRON-R-JUWEL
Type of switch accessories: description label
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSRRUSCHLEGELBSRRU Panel Mount Accessories
товар відсутній
BSRXUSCHLEGELBSRXU Panel Mount Accessories
товар відсутній