Продукція > AOB

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

AOB-IBRS232

Amulet Technologies LLC

Description: BOARD INTERFACE ONBOARD RS232

товар відсутній

AOB003A

SRA Soldering Products

Description: REPLACEMENT SOLDERING IRON 968A+
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1747.93 грн

AOB003B

SRA Soldering Products

Description: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1771.5 грн

AOB012

SRA Soldering Products

Description: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 2702, 2702A+, 2703A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1398.2 грн

AOB016

SRA Soldering Products

Description: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 702A+, 866, 888A, 9378
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1747.93 грн

AOB028-P

SRA Soldering Products

Description: SPARE IRON FOR 9378 PRO
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: 9378 Pro Series
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Part Status: Active

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2052.06 грн

AOB033-P

SRA Soldering Products

Description: REPLACEMENT SOLDERING IRON WITH
Features: LED Indicator
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2126.57 грн

AOB034-P

SRA Soldering Products

Description: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR W
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: WQ Tips, 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2338.69 грн

AOB0408AA

FreeWave Technologies

Description: DIN RAIL MOUNT BRACKET ASSEMBLY
Packaging: Box

товар відсутній

AOB095A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	219.74 грн
1600+	181.18 грн
2400+	170.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB095A60L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB095A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.42 грн
10+	294.25 грн
100+	238.06 грн

AOB10B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB10B60D

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 600V 20A 163W TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W

товар відсутній

AOB10B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 10A TO263

товар відсутній

AOB10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB10B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 10A TO263

товар відсутній

AOB10N60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB10N60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB10T60PL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB10T60PL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB1100L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263

товар відсутній

AOB1100L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB1100L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263

товар відсутній

AOB1100L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB11C60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263

товар відсутній

AOB11N60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB11N60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB11N60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB11S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB11S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB11S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB11S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB11S65L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 198W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 771 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	170.31 грн
5+	145.07 грн
9+	121.24 грн
24+	114.21 грн
500+	109.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB11S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB11S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB11S65L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 198W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.92 грн
5+	116.41 грн
9+	101.04 грн
24+	95.18 грн
500+	91.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB11S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB125A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V

на замовлення 1269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	294.24 грн
10+	237.65 грн
100+	192.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB125A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB125A60L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB12N50L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB12N50L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB12N60FDL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB12N60FDL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB12N65L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.07 грн
10+	71.02 грн
13+	69.55 грн
34+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

AOB12N65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB12N65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB12N65L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 779 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	98.54 грн
10+	85.22 грн
13+	83.46 грн
34+	79.07 грн
800+	75.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB12N65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V

на замовлення 1041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.33 грн
10+	107.99 грн
100+	85.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB12T60PL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB1404L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V

товар відсутній

AOB1404L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V

товар відсутній

AOB14N50

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 263200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	79.19 грн
65600+	72.36 грн
131200+	67.33 грн
196800+	61.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB14N50

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB14N50

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB14N50

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB14N50

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 263200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	170.7 грн
4000+	155.34 грн
8000+	146.28 грн
12000+	132.48 грн
20000+	113.64 грн
24000+	100.52 грн
100000+	96.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB14N50

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

AOB14N50

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 149600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	29.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB14N50

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB14N50L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	38.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB14N50L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	170.7 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB14N50L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	79.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB15B60D

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 600V 30A 167W TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns
Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 25.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

AOB15B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W

товар відсутній

AOB15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W

товар відсутній

AOB15B65MQ1

Alpha & Omega Semiconductor

Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

товар відсутній

AOB15B65MQ1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W

товар відсутній

AOB15S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB15S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB15S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB15S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB15S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB15S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB1606L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB1606L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB1606L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 178A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB1608L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263

товар відсутній

AOB1608L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263

товар відсутній

AOB1608L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOB1608L SMD N channel transistors

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	105.02 грн
15+	72.92 грн
39+	68.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB160A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

на замовлення 755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.41 грн
10+	201.63 грн
100+	165.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB160A60L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB160A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB190A60CL

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB190A60CL

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 70A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

AOB190A60CL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

на замовлення 1724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.84 грн
10+	152.72 грн
100+	121.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB190A60CL

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 70A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB190A60CL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB190A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB190A60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 41 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	229.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB190A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB190A60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	191.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB20B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB20C60

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB20C60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB20C60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB20C60PL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB20C60PL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB20S60

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB20S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.21 грн
10+	176.23 грн
100+	142.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB20S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB20S60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 266W; TO263
Case: TO263
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

AOB20S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB20S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB20S60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 266W; TO263
Case: TO263
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB210L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB210L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V

товар відсутній

AOB210L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V

товар відсутній

AOB2140L

Alpha & Omega Semiconductor

40V N-Channel AlphaSGT TM

товар відсутній

AOB2140L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9985 pF @ 20 V

товар відсутній

AOB2144L

Alpha & Omega Semiconductor

N-Channel MOSFET

товар відсутній

AOB2144L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 20 V

товар відсутній

AOB2146L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.51 грн
8+	51.32 грн
10+	46.12 грн
20+	42.68 грн
55+	40.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

AOB2146L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 20 V

товар відсутній

AOB2146L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 101 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	85.82 грн
5+	63.96 грн
10+	55.35 грн
20+	51.22 грн
55+	48.41 грн
800+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB2146L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB240L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB240L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V

на замовлення 4539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.81 грн
10+	106.89 грн
100+	85.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB240L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB240L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.9 грн
5+	95.18 грн
12+	73.95 грн
33+	69.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB240L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	74.74 грн
1600+	61.07 грн
2400+	58.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB240L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB240L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 752 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	139.08 грн
5+	118.61 грн
12+	88.74 грн
33+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB2500L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	141.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB2500L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	155.62 грн
1600+	140.7 грн
2400+	134.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB2500L

Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 12,3mOhm; 152A; 375W; -55°C ~ 175°C; AOB2500L TAOB2500l
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	110.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

AOB2500L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.9 грн
5+	131.79 грн
8+	108.36 грн
22+	102.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB2500L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB2500L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 289 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	188.28 грн
5+	164.23 грн
8+	130.03 грн
22+	123 грн
500+	118.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB2500L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V

на замовлення 1555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.55 грн
10+	227.04 грн
100+	183.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB2500L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	168.57 грн
1600+	152.41 грн
2400+	145.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB2500L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	169.55 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB2502L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 106A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 75 V

товар відсутній

AOB2502L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB2502L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 111W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 67A
Power dissipation: 111W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	161.79 грн
5+	145.98 грн
20+	137.06 грн
25+	131.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB2502L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 111W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 67A
Power dissipation: 111W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.83 грн
5+	117.14 грн
20+	114.21 грн
25+	109.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB254L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB254L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V

товар відсутній

AOB254L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V

товар відсутній

AOB256L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13.5A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

AOB256L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13.5A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

AOB256L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB256L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V

товар відсутній

AOB25S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V

на замовлення 3694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.63 грн
10+	216.79 грн
100+	175.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB25S65L
Код товару: 173627

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

AOB25S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB25S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB25S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	265.44 грн

Мінімальне замовлення: 190

AOB25S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	161.87 грн
1600+	133.47 грн
2400+	125.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB25S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB2606L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB2606L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB2606L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB2606L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB2608L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB2608L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB2608L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB260L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB260L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.87 грн
3+	185.96 грн
6+	154.02 грн
16+	145.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB260L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB260L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB260L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB260L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	273.44 грн
3+	231.74 грн
6+	184.83 грн
16+	174.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB2618L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB2618L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB2618L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB262L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB262L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB264L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB264L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB264L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB266L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB266L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB266L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB266L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB270AL

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB270AL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 37.5 V

товар відсутній

AOB270AL

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 695 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	298.04 грн
5+	259.11 грн
6+	194.16 грн
15+	182.74 грн

AOB270AL

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.37 грн
5+	207.93 грн
6+	161.8 грн
15+	152.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB270AL

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB270L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V

товар відсутній

AOB270L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V

товар відсутній

AOB27S60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB27S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	162.77 грн
1600+	134.21 грн
2400+	126.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB27S60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

AOB27S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB27S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V

на замовлення 7597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.15 грн
10+	217.96 грн
100+	176.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB27S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	108.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB27S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB280A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB280A60L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB280A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB280L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V

товар відсутній

AOB280L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB280L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 610 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	264.92 грн
3+	226.27 грн
6+	190.65 грн
15+	180.11 грн
800+	173.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB280L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.77 грн
3+	181.57 грн
6+	158.88 грн
15+	150.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB280L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB282L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V

товар відсутній

AOB282L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB282L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB282L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

AOB282L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB284L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 125W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

AOB284L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB284L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5154 pF @ 40 V

товар відсутній

AOB284L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 125W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V

товар відсутній

AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB286L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 63nC
Case: TO263
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 440 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	141.92 грн
5+	122.26 грн
11+	100.3 грн
29+	94.83 грн
800+	91.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB286L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 63nC
Case: TO263
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	118.27 грн
5+	98.11 грн
11+	83.58 грн
29+	79.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB286L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB288L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB288L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 40 V

товар відсутній

AOB2904

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 601 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	156.12 грн
3+	135.94 грн
10+	109.82 грн
26+	103.67 грн
800+	100.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB2904

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263

на замовлення 601 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.09 грн
10+	91.52 грн
26+	86.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB2904

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

AOB2904

Alpha & Omega Semiconductor

100V N-Channel AlphaSGT TM

товар відсутній

AOB2906

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)

товар відсутній

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.94 грн
10+	205.22 грн
100+	166.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 202400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	183.3 грн
1600+	153.49 грн
2400+	144.49 грн
5600+	132.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	120.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 202400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	170.21 грн
1600+	142.52 грн
2400+	134.17 грн
5600+	123.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB290L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	250.73 грн
5+	213.49 грн
6+	180.99 грн
16+	171.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	153.28 грн
1600+	126.38 грн
2400+	119 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	168.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB290L
Код товару: 169925

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

AOB290L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.94 грн
5+	171.32 грн
6+	150.82 грн
16+	142.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB290L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	170.18 грн
1600+	142.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB2910L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB2910L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 25W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

AOB2910L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 25W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

AOB2910L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N CH 100V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB2918L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB2918L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB2918L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB292L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 82A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

AOB292L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB292L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB292L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB292L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB292L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 82A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

AOB296L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB296L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB298L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB298L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB298L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB29S50L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB29S50L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB29S50L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	211.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB29S50L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.81 грн
10+	291.61 грн
100+	238.93 грн

AOB360A70L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V

на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.4 грн
10+	82.73 грн
100+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB360A70L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB360A70L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB380A60CL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	77.63 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB380A60CL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.38 грн
10+	110.99 грн
100+	88.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB403

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB403

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB403

TO-252

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB403L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB403L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB405

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB405

TO-252

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB405

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB405L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB405L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 31.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	44.05 грн
1600+	35.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB409L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 1.3W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Power dissipation: 1.3W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 231 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	94.62 грн
5+	58.94 грн
22+	46.56 грн
61+	43.93 грн
500+	42.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB409L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 1.3W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Power dissipation: 1.3W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.7nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.85 грн
8+	47.3 грн
22+	38.8 грн
61+	36.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	47.14 грн
1600+	38.15 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB409L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB410L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB410L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB411L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263

товар відсутній

AOB411L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOB411L SMD P channel transistors

на замовлення 691 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	183.55 грн
10+	110.7 грн
26+	104.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB411L_001

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263

товар відсутній

AOB412

TO-263

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB412

07+ TO-263

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB412L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

товар відсутній

AOB414

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB414

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOB414 SMD N channel transistors

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	83.73 грн
21+	51.04 грн
56+	48.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB414

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.6 грн
10+	85.73 грн
100+	66.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB414L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB414_001

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

товар відсутній

AOB416

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB416

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK

на замовлення 2364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB416

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB416

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK

на замовлення 2364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB416

TO-263

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB416

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB416

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB416L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB418

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB418

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK

товар відсутній

AOB418

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB418

TO-263

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB418

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK

товар відсутній

AOB418

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB418

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK

товар відсутній

AOB4184

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOB4184 SMD N channel transistors

на замовлення 359 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	83.26 грн
26+	40.85 грн
69+	38.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB4184

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 12A TO263

товар відсутній

AOB418L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB420

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB420

TO-263

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB420

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB420

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB420L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB420L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB428

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB428

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB428

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB428L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB42S60

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB42S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB42S60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 417W; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 417W
Case: TO263
Polarisation: unipolar

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	361.12 грн
4+	257.71 грн
10+	243.8 грн
500+	233.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB42S60L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 417W; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 417W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 683 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	433.34 грн
4+	321.15 грн
10+	292.56 грн
500+	280.26 грн

AOB42S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

AOB42S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

AOB430

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430Y

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430Y

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430YL

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB430YL

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB432

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB432

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB432

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB432L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB432L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB434

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB434

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB434

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB434L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB434L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB436

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB436

TO-263

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB436

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB436L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB436L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB438

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB438

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB438L

SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB438L

07+ SOT-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOB440

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB440

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB440

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB442

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 21A TO263

товар відсутній

AOB462L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 7A TO263

товар відсутній

AOB470L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB480L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB480L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK

товар відсутній

AOB480L_001

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 800V TO-263

товар відсутній

AOB482L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.81 грн
10+	93.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB482L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V

товар відсутній

AOB482L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB4S60
Код товару: 170155

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

AOB4S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB4S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263

товар відсутній

AOB5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82400mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

AOB5B60D

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 600V 10A 82.4W TO263

товар відсутній

AOB5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.4 грн
10+	81.56 грн
100+	63.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W

товар відсутній

AOB600A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263

товар відсутній

AOB600A60L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB600A60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB600A70FL

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB600A70FL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB600A70FL

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB600A70L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	94.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB600A70L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Power Transistor

товар відсутній

AOB600A70L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOB66518L

Alpha & Omega Semiconductor

150V N-Channel MOSFET

товар відсутній

AOB66518L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V

товар відсутній

AOB66613L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.01 грн
1600+	107.2 грн
2400+	100.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66613L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.17 грн
10+	174.1 грн
100+	140.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB66613L

Alpha & Omega Semiconductor

60V N-Channel MOSFET

товар відсутній

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 41600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	107.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66616L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	76.64 грн
5+	64.78 грн
10+	57.11 грн
20+	53.24 грн
53+	50.34 грн
800+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB66616L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	63.87 грн
8+	51.98 грн
10+	47.59 грн
20+	44.37 грн
53+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 41600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	103.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66616L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.18 грн
10+	128.86 грн
100+	102.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB66620L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 30 V

товар відсутній

AOB66811L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V

на замовлення 712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.04 грн
10+	165.02 грн
100+	131.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB66811L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V

на замовлення 57600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.4 грн
1600+	94.29 грн
2400+	89.58 грн
5600+	80.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66914L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	299.49 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66914L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.22 грн
10+	400.04 грн
25+	381.42 грн
100+	310.81 грн
250+	296.84 грн

AOB66914L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Trench Power MOSFET

товар відсутній

AOB66916L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V

на замовлення 3176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.22 грн
10+	207.2 грн
100+	167.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

AOB66916L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35.5A
Power dissipation: 8.3W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB66916L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35.5A
Power dissipation: 8.3W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

AOB66916L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.75 грн
1600+	127.59 грн
2400+	120.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66916L

Alpha & Omega Semiconductor

N-Channel MOSFET

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	65.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

AOB66918L

Alpha & Omega Semiconductor

N Channel Trench Power MOSFET

товар відсутній

AOB66918L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB66919L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB66920L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 1317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.05 грн
10+	91.3 грн
100+	72.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

AOB66920L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB66920L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22.5A
Power dissipation: 8.3W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

AOB66920L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

товар відсутній

AOB66920L

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22.5A
Power dissipation: 8.3W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

AOB7S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263

товар відсутній

AOB7S60L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263

товар відсутній

AOB7S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB7S65L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V

товар відсутній

AOB9N70L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товар відсутній

AOB9N70L

Alpha & Omega Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 700V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

AOB9N70L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товар відсутній

AOBD2

VELLEMAN INSTRUMENTS

Description: VELLEMAN INSTRUMENTS - AOBD2 - Kfz-Diagnose OBD2, EOBD und JOBD Codeleser und Scanner
tariffCode: 90303100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4025.88 грн

AOBGA.SET

SRA Soldering Products

Description: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 1
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8439.35 грн

AOBGA.SET2

SRA Soldering Products

Description: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 2
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA

товар відсутній

AOBN15-15

ETA-USA 15W 15V 1A

товар відсутній

AOBN50-24

Description: AC/DC CONVERTER 24V 50W

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

AOBRX

06+

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOBRY

06+

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

AOBS30B65LN

Alpha & Omega Semiconductor

650V, 30A Alpha IGBT TM AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

AOBT*S717ZBA

BGA

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)