![AOB66616L AOB66616L](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/2/12/11/59/4/150977/aos_/manual/to-263.jpg)
AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 35.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOB66616L Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AOB66616L за ціною від 40.35 грн до 155.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOB66616L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263 Mounting: SMD Case: TO263 Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 42.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AOB66616L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V |
товар відсутній |