![AOB42S60L AOB42S60L](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/82/FC/00/00/1/53032_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=c8062f37b7a85af3240469ff81f8399c8a2cc901)
AOB42S60L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
![AOT42S60L.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 417W; TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 417W
Case: TO263
Polarisation: unipolar
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 347.32 грн |
4+ | 247.87 грн |
10+ | 234.49 грн |
500+ | 224.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOB42S60L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V.
Інші пропозиції AOB42S60L за ціною від 269.56 грн до 416.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOB42S60L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 417W; TO263 Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 23A Drain-source voltage: 600V Power dissipation: 417W Case: TO263 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AOB42S60L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
AOB42S60L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
AOB42S60L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V |
товар відсутній |