Продукція > 2SD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SD05920RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 1A TO92-B1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SD05920RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 1A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SD0592ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92-B1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SD0592ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SD0601A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601A0L/2SD601A-SPANASONICSOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0601AHLPANASONICSOT23
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0601AOLPANSONICSOT23
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0601AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601AR1CN/ZR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0601ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601ARLPANASONICSOT23
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0601ARL-TG
на замовлення 1284800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0601ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0601ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602ARBPANASONICSOT23
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0602ARB
Код товару: 170811
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
2SD0602ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0602ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.5A MINI3-G1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0814ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 185V 0.05A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 185 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD0814ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 185V 0.05A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 185 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD08740RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 1A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD08740RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 1A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD08740RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 1A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD0874A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD0874A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD0874ASLPANASONI10+ SOT23
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0874GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD0874GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD0874GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD08750RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD08750RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD08750SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD08750SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD08750SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD0875GSLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINIP-3
товару немає в наявності
2SD0875GSLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINIP-3
товару немає в наявності
2SD0875GSLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 0.5A MINIP-3
товару немає в наявності
2SD0946ARPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 50V 1A TO-126
товару немає в наявності
2SD0946BPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 80V 1A TO126B-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126B-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
2SD09650RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 5A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW
товару немає в наявності
2SD09660QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 5A TO-92L
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD09660RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 5A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD09680RLPAN02+ SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD0968A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD0968A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD0968ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD0968ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD0968ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A MINI-PWR
товару немає в наявності
2SD100TO-39
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD100
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000NECSOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000NEC07+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000(LL/51)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-D-T1 SOT89-LLNEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-D-T1/LLNECSOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-D-T1SOT89-LLNEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T1NEC
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T1NECSOT89
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T1NEC09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T2-AZNECSOT89
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T2-AZRENESASSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T2-LK
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000-T2/LL
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000/LKNEC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1000\LKNECSOT-89
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001NEC00+ SOT-89
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001-T1NECSOT-89
на замовлення 19834 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001-T1NECSOT-89
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001-T2NECSOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001-T2(EK)
на замовлення 32700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1001T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1002
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1003
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1004
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005NEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005KESENES09+
на замовлення 356008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005(0)-T1-AYRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005(0)-T1-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005(BV)
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005(BV/06)
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005(BV/51)
на замовлення 703236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-D-T1NECSOT89
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1NECSOT89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1(BU)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1(BV)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SD1005-T1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: 2SD1005 - SIGNAL DEVICE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SC-62
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1007+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 1007
2SD1005-T1-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-T1/BUNEC
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1/BVNEC
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1/BWHNEC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T1BNECSOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T2NEC00+ SOT-89
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T2NECSOT89
на замовлення 10640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T2-AZNECSOT89
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1005-T2-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-U-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-U-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-U-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-U-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
2SD1005-V-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-V-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-V-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-V-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
2SD1005-W-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-W-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1005-W-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
2SD1005-W-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1006KESENES09+
на замовлення 765819 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1006NECSOT-89
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1006NECSOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1006(HK/39)
на замовлення 214230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1006-T1NECSOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1006-T1(HM)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007ROHM09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007NEC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007ROHMSOT-89
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007(HQ)
на замовлення 26630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007(HQ/37)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007(HQ/39)
на замовлення 104855 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007-T1NECSOT-89
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007-T1NECSOT89
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007-T1/HP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007HRNEC
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1007T1
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1009
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD100ATO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD100A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD101TO-39
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD101
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1010
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1010
Код товару: 184915
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 1000
у наявності 14 шт:
14 шт - склад
1+13.50 грн
10+11.90 грн
2SD1010TO-92
на замовлення 3639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1011
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1012
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1012F
Код товару: 184728
Додати до обраних Обраний товар

SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SPA
fT: 250 MHz
Uceo,V: 15 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,7 A
h21: 320
Монтаж: THT
у наявності 49 шт:
49 шт - склад
2+5.50 грн
10+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SD1012F-SPAonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
2SD1012F-SPAonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
товару немає в наявності
2SD1012F-SPA-AConsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
товару немає в наявності
2SD1012F-SPA-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1012F-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2SD1012F-SPA-AConsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 2959
2SD1012F-SPA-AConsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
2SD1012G-SPAonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
2SD1012G-SPAonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
товару немає в наявності
2SD1012G-SPAonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 2959
2SD1012G-SPAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1012G-SPA - 2SD1012G-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SD1012G-SPA-AConsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
товару немає в наявності
2SD1012G-SPA-AConsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
2SD1012G-SPA-ACONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1012G-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SD1012G-SPA-ACON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 250mW 3-Pin SPA T/R
товару немає в наявності
2SD1012G-SPA-AConsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 2959
2SD1014
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1015
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1016TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1017
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1018
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD102
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1020
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1020TO-92S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1020-T-AJM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1020TO92SNEC
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1021
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1022ROHM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1023
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1024
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1025ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1025
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1025 T8L20ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1026ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1026SHI
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1027
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1027
Код товару: 101046
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: MTO-3P
Uceo,V: 200 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 15 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+72.00 грн
2SD1027ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1027 <T15L20>ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1027-4100ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1027-4112ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1027-7100ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1027-7112ShindengenDarlington Transistors
товару немає в наявності
2SD1029
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1029K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD103
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030-(ST)-TRBSOT23-1ZSPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030-SPANASONICSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030-SPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030-S(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030-S?TX?PANASONICSOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1030-T(TW)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD10300RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 0.05A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD10300RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 0.05A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD1031
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1032
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1032B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1033NECTO263
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1033-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: MP-3Z
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 346
2SD1033-T1
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1033-T2NECSOT252/2.5
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1033-Z-E1
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1034
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1034ATOSHIBA
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1035
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1036
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1037
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1038
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1039
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD104TO-39
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD104
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1040
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1040A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1041
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1042
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1043
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1044
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1044A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1045
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1046
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1047STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
товару немає в наявності
2SD1047STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.69 грн
Мінімальне замовлення: 94
2SD1047STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 140V 12A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.59 грн
30+210.64 грн
120+174.77 грн
510+139.33 грн
2SD1047STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
2SD1047STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 240
2SD1047STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - 2SD1047 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 12 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SD1047
Код товару: 82305
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 160 V
Ic,A: 12 A
товару немає в наявності
2SD1047STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
2SD1047; биполярный; NPN; 140V; 12A; 20Mhz; Корпус: TO-3PML; STM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+234.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1047C
Код товару: 150669
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1047EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
товару немає в наявності
2SD1047ESANYO09+
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1047P-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 12A 120000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 226
2SD1047P-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1047P-E - 2SD1047P-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SD1047P-EonsemiDescription: TRANS NPN 140V 12A TO-3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SD1048ROHM09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1048onsemi BIP NPN 0.7A 15V
товару немає в наявності
2SD1048-6-TB-EonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 10012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.09 грн
17+17.44 грн
100+10.97 грн
500+7.68 грн
1000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SD1048-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 218
2SD1048-6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1048-6-TB-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
2SD1048-6-TB-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.14 грн
21+15.15 грн
100+6.86 грн
1000+6.18 грн
3000+4.77 грн
9000+4.50 грн
24000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SD1048-6-TB-EonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
6000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1048-6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.02 грн
9000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1048-6-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
2SD1048-6-TB-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.7A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
2SD1048-6-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
9000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1048-7-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1048-7-TB-EonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.63 грн
14+21.08 грн
100+13.40 грн
500+9.45 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SD1048-7-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1048-7-TB-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
2SD1048-7-TB-EonsemiDescription: TRANS NPN 15V 0.7A 3-CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD1048-7-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
2SD1048-7-TB-EON Semiconductor
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1048-7-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1048-7-TB-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
на замовлення 5147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.61 грн
15+21.11 грн
100+10.22 грн
1000+6.99 грн
3000+6.05 грн
9000+5.85 грн
24000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SD1049FUJIMODULE
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD105TO-39
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD105
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1050
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1051
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1052
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1052A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1053
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1053-E1-AZNEC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1053-E1-AZNEC07/06P
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1054TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1055
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1056
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1059
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106
Код товару: 45535
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
2SD1060
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1060LUTC05+ TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1060R-1EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
2SD1060R-1EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
2SD1060R-1EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
2SD1060R-1EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1060R-1E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
2SD1060R-1EXON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
2SD1060R-1EXonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
2SD1060S-1EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.26 грн
50+79.79 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1060S-1EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
2SD1060S-1EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.84 грн
10+66.64 грн
100+47.12 грн
600+39.53 грн
1200+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1060S-1EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
2SD1060S-1EXON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SD1060S-1EXON SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 5A
товару немає в наявності
2SD1060S-JKH-1EON SemiconductorDescription: TRANS NPN 5A 50V
товару немає в наявності
2SD1061
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1061RONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1061R - 2SD1061R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 629
2SD1061RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 523
2SD1061SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1061S - 2SD1061S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 629
2SD1061SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 523
2SD1062SANYO09+
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1062RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 16203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 398
2SD1062RONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1062R - 2SD1062 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 479
2SD1063TOSHIBA01+ TO3P
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1063RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
товару немає в наявності
2SD1064SAY2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1065
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1065
Код товару: 184735
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
fT: 20 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 15 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.80 грн
2SD1065A2000 SMD
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1065RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 90 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 217
2SD1065RONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1065R - 2SD1065R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+95.02 грн
Мінімальне замовлення: 261
2SD1066FUJIMODULE
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1066FUJI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1067
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1068
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1069
Код товару: 184960
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 7 A
Монтаж: THT
у наявності 4 шт:
4 шт - склад
1+27.50 грн
2SD1069
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106A07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106A1-17INFINEONMODULE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106AICONCEPT08+ SMD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106AICONCEPT08+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106AIPower IntegrationsGate Drivers Dual-Ch SCALE -1 IGBT Driver
товару немає в наявності
2SD106AI
Код товару: 130349
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
2SD106AI-17Power IntegrationsPower Management Modules Dual-Ch SCALE -1 IGBT Driver
товару немає в наявності
2SD106AI-17
Код товару: 43897
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
2SD106AI-17INFINEONMODULE
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD106AI-17 UCPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 15V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7139.56 грн
10+5844.21 грн
40+5500.26 грн
2SD106AI-17 ULPower IntegrationsGate Drivers 2-Ch Scale-1 6A IGBT Driver 1700V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7464.86 грн
10+6254.25 грн
35+5118.49 грн
105+4658.00 грн
2SD106AI-17 ULPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 15V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6802.14 грн
10+5567.68 грн
2SD106AI17ULHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
2SD106ZRTO-220
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD107TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1070
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1071FUJIMODULE
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1071 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 25206
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1072FUJIMODULE
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1073FUJIMODULE
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1073FUJITSUTO-55
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1074
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1076
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1076LS
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2sd1077hit
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1078
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD108TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1080LS
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1081
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1081LS
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1083
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1083 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30153
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 160 V
Ic,A: 2 A
товару немає в наявності
2SD1083LS
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1084-X7-P
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1084X7-TBSANYO
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1085
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD10852000 SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1085K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1087
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1088TOS09+
на замовлення 6518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1089
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1090
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1091
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1092
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1093TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1094TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1094
Код товару: 184789
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 1000 V
Ic,A: 10 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+49.50 грн
2SD1095TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1096
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1097TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1098TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1099TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD10AI-17FUJIMODULE
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD11SHARP03+
на замовлення 6424 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD110TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1100
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1101HITACHI
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1101ACTLHITACHISOT23/SOT323
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1102TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1103TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1104TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1105TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1106
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1109
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1109A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1109C
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD111TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1110
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1110A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1111onsemiDescription: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 683
2SD1111SAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1111ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1111 - 2SD1111, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 822
2SD1111 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30769
Додати до обраних Обраний товар

SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,7 A
у наявності 3 шт:
3 шт - склад
1+18.00 грн
10+15.90 грн
2SD1111-AAFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SD1111-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1111-AA - 2SD1111-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1111-JDC-AAonsemionsemi
товару немає в наявності
2SD1113
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1114
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1115
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1115K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1117
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1117A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1118
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119-QKESENES09+
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119-RPANASONIC09+ SOT-89
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119-RKESENES09+
на замовлення 196556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119-RPANASONICSOT-89
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119-R(TX)Panasonic
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1119-R<TX>PANASONICSOT89
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD11190RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD11190RLPANSONIC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD11190RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1119GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F2
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1119GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 25V 3A MINIP3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F2
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1120
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1121SANYO02+ SOT-89
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1121ROHMSOT-89
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1122
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1123SONY05+ SOT-89
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1124
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1126
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1126K-ERenesas Electronics America IncDescription: NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1127ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1127K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1128
Код товару: 126035
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1128FUJIMODULE
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1129
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1129K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD113(M)TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1130
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1130K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1131
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1132
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1132T100QROHM03+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1133FSC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1133HITACHI
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1133HIT09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1133C
Код товару: 184977
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220C
fT: 7 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 4 A
h21: 200
Монтаж: THT
у наявності 18 шт:
18 шт - склад
1+24.50 грн
10+21.80 грн
2SD1133C-ERenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 7MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 258
2SD1134
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1134C-ERenesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1135
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1135C
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1136
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1137
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1137-ERenesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1138HIT09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1138-B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1138-B-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 150V 2A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
2SD1138-B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1138-B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1138-C-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1138-C-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 150V 2A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.8 W
товару немає в наявності
2SD1138-C-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1138-C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1138; биполярный; NPN; 150V; 2A; 30W; Корпус: TO-220
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+234.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1138C
Код товару: 184797
Додати до обраних Обраний товар

HITACHIТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 2 A
h21: 200
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+18.00 грн
10+15.90 грн
2SD1139
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD114
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD114(M)TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1140 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 35536
Додати до обраних Обраний товар

ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92L
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 4000
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності 21 шт:
21 шт - склад
1+13.50 грн
10+11.90 грн
2SD1141
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1141K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1142TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1143TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1145
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1145FONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1145F - 2SD1145F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1687
2SD1145FonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 26288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SD1145F-AEonsemiDescription: BIP NPN 5A 20V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SD1145F-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1145F-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SD1145GONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1145G - 2SD1145G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 120166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1687
2SD1145GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 120166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SD1145G-AEonsemiDescription: BIP NPN 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SD1145G-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1145G-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SD1146
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1147
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1148
Код товару: 184799
Додати до обраних Обраний товар

NSCТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 10 A
h21: 50
Монтаж: THT
у наявності 2 шт:
2 шт - склад
1+40.00 грн
2SD1148
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149PANASONIC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149-RPANASONIC09+
на замовлення 39018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149-R(TX)PANASONICSOT23
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149-R(TX)PANASONIC09+
на замовлення 39018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149-SPANASONICSOT23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149-S/1VSPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1149-S/1VSPANASONISOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD11490RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 100V 0.02A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD11490SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 100V 0.02A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD1150
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1151TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1152
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1153SanyoDescription: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 468
2SD1153ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1153 - 2SD1153, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 563
2SD1153
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1153
Код товару: 184784
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності 36 шт:
36 шт - склад
1+16.50 грн
10+14.90 грн
2SD1153-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1153-AE - 2SD1153-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1153-AEonsemiDescription: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SD1154TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1155
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1156
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1157FUJIMODULE
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1158
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1159
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD116TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1160
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1161
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1162
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1163
Код товару: 184944
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220C
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 7 A
h21: 25
Монтаж: THT
у наявності 22 шт:
22 шт - склад
1+24.50 грн
10+21.80 грн
2SD1163
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1163A-ERenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 239
2SD1164
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1164
Код товару: 76279
Додати до обраних Обраний товар

NECТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
у наявності 820 шт:
424 шт - склад
79 шт - РАДІОМАГ-Київ
123 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
99 шт - РАДІОМАГ-Одеса
52 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SD1164-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1164-Z-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1164-Z-E1-AZRenesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1164-Z-T1NEC2003
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1164Z
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1164ZT1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1166
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1166A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1168TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1169
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD117TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1170
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1171
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1172
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1173
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1174
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1175
Код товару: 185060
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3
Uceo,V: 1500 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 5 A
h21: 8
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+66.00 грн
2SD1175TOSHIBA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1176
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1176A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1177
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1178
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1179
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD118TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1180
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1181
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1182
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1183
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1184
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1185
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1186
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1187
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1189
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD119TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1190onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 833
2SD1190ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1190 - 2SD1190, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1190
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1191ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1191 - 2SD1191, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 802
2SD1191
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1191onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 7mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3.5A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 666
2SD1192SANYO09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1193onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 70 W
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+90.63 грн
Мінімальне замовлення: 222
2SD1193
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1193ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1193 - 2SD1193, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+103.31 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1194
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1195
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1196
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1198
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1198A
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1199
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD11990SPanasonicPanasonic
товару немає в наявності
2SD11990SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
товару немає в наявності
2SD12TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD120TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD120
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1200F
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1200F
Код товару: 124995
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1201
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1202
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1203
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1205
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1205A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1206
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1207
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1207SonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
2SD1207SonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1207SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP Bag
товару немає в наявності
2SD1207S-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
товару немає в наявності
2SD1207S-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 19551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1207S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1207S-AE - 2SD1207 - BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1207S-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1207S-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 88834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SD1207S-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1207S-AEonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
2SD1207S-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 66783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1207TonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1207TonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
2SD1207T
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1207T-AEonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
2SD1207T-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW Automotive 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1207T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SD1207T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1207T-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1207T-AE - 2SD1207T-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1207T-OMR-AEonsemionsemi
товару немає в наявності
2SD1207T-OMR-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
2SD1207T-OMR-AEXonsemionsemi
товару немає в наявності
2SD1207UonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1207UonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
2SD1208
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1209
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1209KTZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD120H
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD121TO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD121
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1210
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1211
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12110RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD12110SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A TO92L-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1212
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1212R
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1212RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1212S
на замовлення 15128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1213
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1213RSanyoDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1214
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1215
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1216
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1217
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1218
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1219
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD121H
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD121HTO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD122
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD122TO-39
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1221
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1221-GRTOS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1221-GR(T6L1,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1221-Y(6L1CN,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1221-Y(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
2SD1221-Y(Q)ToshibaBipolar Transistors - BJT PWMOLD PLS PLN-N,ACTIVE,DISCON(09-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04),
товару немає в наявності
2SD1221-Y(T6L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1221-Y(T6L1NDNQToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
2SD1221-Y(TE16L1,NToshibaBipolar Transistors - BJT PW-MOLD,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
2SD1221GR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1222
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1222ToshibaArray
товару немає в наявності
2SD1222QTOS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1223TOS06+
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1223TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1223TOS09+
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1223(Q)ToshibaTrans Darlington NPN 80V 4A 1000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold
товару немає в наявності
2SD1223(TE16L1,NQ)ToshibaTrans Darlington NPN 80V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+90.94 грн
278+44.35 грн
304+39.01 грн
500+29.36 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 136
2SD1223(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.45 грн
10+47.34 грн
100+32.86 грн
500+24.74 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SD1223(TE16L1,NQ)ToshibaTrans Darlington NPN 80V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
2SD1223(TE16L1,NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
4+89.41 грн
10+57.59 грн
100+34.08 грн
250+34.02 грн
500+27.02 грн
1000+24.67 грн
2000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SD1223(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1223(TE16L1,NQ)module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1223(TE16L1,NQ)ToshibaTrans Darlington NPN 80V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
2SD1223,L1XGQ(OToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN DARL PWMOLD
товару немає в наявності
2SD1225
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1225M
Код товару: 184930
Додати до обраних Обраний товар

ROHMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: ATR
fT: 150 MHz
Uceo,V: 32 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1 A
h21: 390
Монтаж: THT
у наявності 47 шт:
47 шт - склад
1+26.50 грн
10+23.80 грн
2SD1226
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1227
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1228
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1228M
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1229
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1229onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD122H
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD123TO-39
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD123
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1230onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 323
2SD1230
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1231
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1232TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1233TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1234TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1236
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1237
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1238SANY1999 TO-3P
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1238L
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1238RonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1239TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD123HTO-39
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD123H
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD124TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1240TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1240ROHM08+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1241
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1242
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1242A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1243
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1243A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1244
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1245
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1246
Код товару: 79746
Додати до обраних Обраний товар

SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 150 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 2 A
товару немає в наявності
1+10.00 грн
2SD1246TO-92
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1246
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1246S-AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1246S-AASanyoDescription: TRANS NPN 25V 2A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 34350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2SD1246S-AAON Semiconductor2SD1246S-AA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2507
2SD1246S-AAONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1246S-AA - 2SD1246S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SD1246S-AAON Semiconductor2SD1246S-AA
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2507
2SD1246S-AAON Semiconductor2SD1246S-AA
на замовлення 8332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2507
2SD1247
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1247SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1247S - 2SD1247S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1247SAptina ImagingTrans GP BJT NPN 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+38.94 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 790
2SD1247SonsemiDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 683
2SD1247S-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1247S-AESanyoDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SD1247S-AEAptina ImagingTrans GP BJT NPN 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1247S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1247S-AE - 2SD1247S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SD1247T-AEonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SD1247T-AEAptina Imaging2SD1247T-AE
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1247T-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1247T-AE - 2SD1247 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SD1247T-AEAptina Imaging2SD1247T-AE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 1916
2SD1249
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1249A
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD124A(AN)TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD125TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1250A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1251
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1251A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1252
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1253
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1253A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1254
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1255
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1256
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1257
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1257A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1258
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1258
Код товару: 163837
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
fT: 25 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 1 A
Монтаж: THT
у наявності 4 шт:
4 шт - склад
1+70.00 грн
2SD1259
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1259-P(DS)(TX)+PANASONICSOT263/2.5
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1259A
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD125A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD126TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1260
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1261
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1262
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1263
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12630PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 250V 0.75A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1263AQPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 300V 0.75A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1264MAT09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1264PANASONIC2003 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1264A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1264A TO-22008+
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1264APPanasonicPanasonic
товару немає в наявності
2SD1264APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 180V 2A TO220F-A1
товару немає в наявності
2SD1265
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1265A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1265A
Код товару: 79744
Додати до обраних Обраний товар

SavanticТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 4 A
товару немає в наявності
1+19.50 грн
2SD1266
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1266
Код товару: 79743
Додати до обраних Обраний товар

SavanticТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
fT: 30 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 3 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+24.50 грн
10+21.80 грн
2SD12660PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1266APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 3A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1267PANASONIC2004 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12670PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 4A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1267A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1267APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1268-P
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12680PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 3A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1269
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12690PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 4A TO-220F
товару немає в наявності
2SD127TO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD127
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1270
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12700PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1271MAT09+
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12710PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 7A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1271A
Код товару: 72209
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1271AROHM09+
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1271APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 100V 7A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1272
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1272
Код товару: 79747
Додати до обраних Обраний товар

PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
fT: 25 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 2,5 A
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+46.00 грн
10+42.00 грн
2SD12720PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 150V 2.5A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1273PANASONIC2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1273PANASONICTO220/3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1273-PFAIRCHILD03+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1274
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1274A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1274B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1275TOS09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12750PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 60V 2A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1275APANASONI05+ PLCC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1275APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 80V 2A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1275P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1276Nat97 TQ220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1276
Код товару: 79749
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220F
fT: 20 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 4 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
2SD1276A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1276APanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 4A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1276APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
2SD1277
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12770PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1277A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1277APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220F
товару немає в наявності
2SD1278TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1279
Код товару: 79748
Додати до обраних Обраний товар

ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3
fT: 3 MHz
Uceo,V: 600 V
Ucbo,V: 1400 V
Ic,A: 10 A
товару немає в наявності
1+62.50 грн
2SD1279TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD127A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD128TO-39
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD128
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1280
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1280-R(TW)PANASONICSOT89
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1280-S(TW)PANASONICSOT89
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD12800RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 1A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD12800RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 1A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD12800SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 1A MINI PWR
товару немає в наявності
2SD1281
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1282
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1283
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1284
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1286 транзистор
Код товару: 61134
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
2SD1286-Z-E1NEC03+
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1286-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MP-3Z
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 451
2SD1286-Z-E1-AZRenesasTrans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 3-Pin(2+Tab) MP-3Z T/R
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+61.61 грн
521+58.99 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 499
2SD1286-Z-T107+
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1286Z
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1286ZT1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1287
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1288
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1289
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD128A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD129
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1290
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1291
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1292; биполярный; NPN; 80V; 1A; 0,9W; 100Mhz; Корпус: TO-92
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+702.24 грн
2SD1293
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1293M
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1293M-R
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1294
Код товару: 79750
Додати до обраних Обраний товар

ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 5 А
Монтаж: THT
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+77.00 грн
2SD1295
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1295 транзистор
Код товару: 61133
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
2SD12950RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 1.5A U-G2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-G2
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
2SD12950RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 1.5A U-G2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-G2
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
2SD1296NEC09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1297
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1298
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1299
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD13
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD130
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD130 TO-66
Код товару: 107015
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1300TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1301TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1302
Код товару: 79761
Додати до обраних Обраний товар

PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 20 V
Ucbo,V: 25 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+4.00 грн
100+3.00 грн
2SD1302PanasonicTO-92
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD13020RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-B1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
2SD1302STPanasonic
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1303
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1304
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1305
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306HITACHI
на замовлення 52490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306NDTL/NDHITACHI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306NEHIT07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306NE05TLT
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306NE07TLRENESASSOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306NE07TL-ERENESAS04+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1306NETRHITACHI
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1307
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1308
Код товару: 79768
Додати до обраних Обраний товар

SavanticТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220C
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 5 А
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+31.00 грн
2SD1308
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1309
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD131
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1310
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1311
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1312
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1312(0)-T-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 650
2SD1312-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 21311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 650
2SD1313
Код товару: 168657
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1313
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1314
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1314
Код товару: 149153
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1314(F)TOS08+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1315
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1316
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1317
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1318
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1319
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD132
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1320
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1321
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1322
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1323
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1324
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1325
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1326
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1327
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328PANASONIC09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328panasonic03/04+ SOT23
на замовлення 185900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-(TX)PANASONICSOT23
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-(TX)PANASONIC09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-R(TX)PANASONIC06+ SOT-23
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-R(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
товару немає в наявності
2SD1328-SPanasonicSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-SPANSOT-23
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-S(TX)PANOSONICSOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-TT
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328-T(TX)
на замовлення 19995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD132800BPANASONICSOT23/SOT323
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD132800LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD132800LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280TLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280TLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 20V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
2SD13280TL/1DTPANASONICSOT-23 09+
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328RCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
товару немає в наявності
2SD1328RTRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
товару немає в наявності
2SD1328SPANASONIC07+ SOT-23
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328S/2SD1328-SPANASONICSOT-23 00+
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328T(TX)PANASONISOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1328TCTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
товару немає в наявності
2SD1329
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1329K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1330Panasonic09+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1331
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1332
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1333
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1334
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1335
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1336
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1336A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1337TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1338TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1339TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD134
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD134TO-39
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1340
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1341
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1342
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1343
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1344
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1345
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1346
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1347
Код товару: 79767
Додати до обраних Обраний товар

SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SC-51
fT: 150 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 3 A
товару немає в наявності
1+31.00 грн
2SD1347SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin Case MP
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+38.94 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 790
2SD1347SonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 683
2SD1347SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1347S - 2SD1347S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1347TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1347T-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1347T-AE - NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1347T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 3A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 683
2SD1347T-AEON Semiconductor2SD1347T-AE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+38.94 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 790
2SD1348
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1348SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
2SD1348SC-T-NDONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1348SC-T-ND - 2SD1348 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 4A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 1233
2SD1348SC-T-NDonsemiDescription: BIP NPN 4A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 27580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1025
2SD1348TON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 4A 1200mW 3-Pin TO-126
товару немає в наявності
2SD1348TonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1025
2SD1348TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1348T - 2SD1348T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 250
2SD1351
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1352
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1353
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1354
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1355
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1356
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1357
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1358
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1359
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD136
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1360
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1361
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1362
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1363
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1364
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1365
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1366
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1366AKESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1367
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1367BC
Код товару: 164323
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
2SD1367BCHITACHISOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CAHITACHISOP89
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CBHITACHI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CBTLRENESASSOT89-CB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CBTL SOT89-CBRENESAS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CBTL-ERENESASSOT89
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CBTL-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SD1368CBTLSOT89-CBRENESAS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CC90TR-ERENESASSOT89
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CC92TR
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CCTLRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UPAK
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 16917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 650
2SD1368CCTLHITACHI02+
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1368CCTL-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
2SD1369
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD137
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1370
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1371
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1372
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1373
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1374TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1375TOS01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1376
Код товару: 91642
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
2SD1376
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1376K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1376KVRochester Electronics, LLCDescription: BIPOLAR TRANSISTOR, 120V, 1.5A
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1377
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1377K
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1378
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1379
Код товару: 79765
Додати до обраних Обраний товар

HitachiТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 150 MHz
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 2 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.00 грн
2SD1379
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD138
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1380
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1381
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1381FROHM04+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1382
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1383
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1383KROHMSOT23/
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1383KROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)