2SD1012G-SPA ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1012G-SPA - 2SD1012G-SPA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD1012G-SPA ONSEMI
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-SPA, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SIP, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 3-SPA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції 2SD1012G-SPA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1012G-SPA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-SPA Packaging: Bulk Package / Case: 3-SIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-SPA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|
| 2SD1012G-SPA | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V |
товару немає в наявності |