Продукція > ONSEMI > 2SD1060S-1E
2SD1060S-1E

2SD1060S-1E onsemi


en686-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.26 грн
50+79.79 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1060S-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції 2SD1060S-1E за ціною від 37.91 грн до 127.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : onsemi 2SD1060_D-3538092.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.84 грн
10+66.64 грн
100+47.12 грн
600+39.53 грн
1200+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : ON Semiconductor 276en686-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : ON Semiconductor 276en686-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності