Продукція > ONSEMI > 2SD1060S-1E
2SD1060S-1E

2SD1060S-1E onsemi


en686-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.05 грн
50+ 82.71 грн
100+ 65.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1060S-1E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції 2SD1060S-1E за ціною від 38.54 грн до 114.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : onsemi EN686_D-2311187.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.64 грн
10+ 90.56 грн
100+ 53.17 грн
600+ 43.28 грн
1200+ 40.77 грн
3000+ 38.82 грн
5400+ 38.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : ON Semiconductor 276en686-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E Виробник : ON Semiconductor 276en686-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній