Продукція > 1N5
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5000 | Microchip Technology | Diode Switching 400V 3A 2-Pin TOP HAT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5001 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 3A 2-Pin TOP HAT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5001 | Microchip / Microsemi | Rectifiers Standard Rectifier (trr more than 500ns) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5003 | Microchip / Microsemi | Rectifiers Standard Rectifier (trr more than 500ns) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-15, 200V, 2A | на замовлення 10019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 Код товару: 184719 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5059 | DIOTEC | 2A; 200V; THT; packaging: ammo; 1N5059 DIOTEC DP 1N5059 DIOTEC кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 | Central Semiconductor | Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin GPR-1A Box | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Kind of package: Ammo Pack Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 50A Type of diode: rectifying Mounting: THT Case: DO41 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 | NTE Electronics, Inc. | Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Kind of package: Ammo Pack Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 50A Type of diode: rectifying Mounting: THT Case: DO41 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 200V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 BK PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 200V 200Vr 40A 5.0uA 15pF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 BK PBFREE | Central Semiconductor | Glass Passivated Silicon Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 200V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059 BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifier Diode 200V 1A 2-Pin GPR-1A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059-TR | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 27790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | на замовлення 10843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059GP-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TAP | Vishay | Diode Switching 200V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers DIODE 2A 200V | на замовлення 23541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5059TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5059TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 42811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Mounting: THT Case: DO41 Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 50A Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Mounting: THT Case: DO41 Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 10A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 50A Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying | на замовлення 6365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Harris Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A SOD57 Packaging: Bulk Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 12363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 6375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-15, 400V, 2A | на замовлення 10175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 400V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 | DIOTEC | 2A; 400V; THT; packaging: ammo; 1N5060 DIOTEC DP 1N5060 DIOTEC кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 BK | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GENERAL PURPOSE TH Packaging: Bulk Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 BK PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 400Vrrm 400Vr 280Vrms 1.0A 40Ifsm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 400Vrrm 400Vr 280Vrms 1.0A 40Ifsm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 400V | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 TR PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 400Vrrm 400Vr 280Vrms 1.0A 40Ifsm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 400Vrrm 400Vr 280Vrms 1.0A 40Ifsm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt | на замовлення 13517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/54. | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5060GP-E3/54. - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AC Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5060 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/73 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated | на замовлення 6755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060GP-E373 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GPHE3/54 | Vishay | Diode Switching 400V 1A Automotive 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 29011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 24496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Mounting: THT Case: SOD57 Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Mounting: THT Case: SOD57 Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TAP | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Mounting: THT Case: SOD57 Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 18834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 14264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Mounting: THT Case: SOD57 Capacitance: 40pF Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4µs Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V | на замовлення 21352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5060TR | Vishay | Diode Switching 400V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 18834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-15, 600V, 2A | на замовлення 9241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Reverse recovery time: 1.5µs Max. load current: 10A Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | DIOTEC | 2A; 600V; THT; packaging: ammo; 1N5061 DIOTEC DP 1N5061 DIOTEC кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 3647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 3515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Reverse recovery time: 1.5µs Max. load current: 10A Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1435 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 600V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 BK PBFREE | Central Semiconductor | Glass Passivated Silicon Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 BK PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 600V | на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061 BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers Through-Hole Rectifier-General Purpose Single | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 TR PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 400V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 600Vrrm 600Vr 420Vr 1.0A 40A Ifsm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Glass Passivated Silicon Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | на замовлення 11611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TAP | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 19124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 19124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5061TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 33889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TR | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.6kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5061TR | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5061TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 33889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V | на замовлення 23263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay | Diode Switching 600V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 9349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5061TR Код товару: 175651 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
1N5061TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 20377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 42575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Reverse recovery time: 1.5µs Max. load current: 10A Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A | на замовлення 42575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Reverse recovery time: 1.5µs Max. load current: 10A Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 42575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 | Harris Corporation | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A SOD57 Packaging: Bulk Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 5060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Rectifiers Diode, DO-15, 800V, 2A | на замовлення 15061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | DIOTEC | 2A; 800V; packaging: ammo; equivalent: 1N4006 1N5062 diode rectifying DP 1N5062 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2195 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 Ammo | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 | Diotec Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 BK | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GENERAL PURPOSE TH Packaging: Bulk Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 BK PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 800V 800Vr 40A 5.0uA 15pF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE GENERAL PURPOSE TH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062 TR PBFREE | Central Semiconductor | Rectifiers 1.0A 800V | на замовлення 1762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Rectifiers 800Vrrm 800Vr 650Vr 1.0A 40A Ifsm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062(диод SOD-57) Код товару: 78164 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
1N5062-TR Код товару: 78158 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
1N5062/133 | на замовлення 127500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 4027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5062GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.2 V, 2 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AC Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1N5062 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 22496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/73 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt Glass Passivated | на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062GP-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GP-E373 | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-15 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GPHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062GPHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 23811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF | на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 17692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 17096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 23811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | VISHAY | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Case: SOD57 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Reverse recovery time: 4µs Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 1.15V Load current: 2A Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.1mA Capacitance: 40pF кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 14434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TAP діод Код товару: 199045 | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 37016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 21584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay Semiconductors | Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM | на замовлення 11776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1N5062 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 61618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 21584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1N5062 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 61618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5062TR | Vishay | Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 T/R | на замовлення 20980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5063 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5063SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5064 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5064 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5065 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5066 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5066SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5067 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5069 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5070 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 10.6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5070 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5070SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5070SM | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: A, SQ-MELF Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10.6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5071 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5072 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5073 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5073SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5074 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5075 | NS | n/a | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5075 | Microchip Technology | Zener Diode Single 24V 5% 10Ohm 3000mW 2-Pin Case A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5075 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5076 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5077 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5077SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5078 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5079 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5081 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5081 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 40 V Impedance (Max) (Zzt): 27 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30.4 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5081SM | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 40 V Impedance (Max) (Zzt): 27 Ohms Supplier Device Package: A, SQ-MELF Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30.4 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5081SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5083 | Microchip Technology | Zener Diode Single 45V 5% 37Ohm 3000mW 2-Pin Case A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5083 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5083 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 45 V Impedance (Max) (Zzt): 37 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 34.2 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5084 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5084 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5085 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5085 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 50 V Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 38 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5087 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5087 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 56 V Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 42.6 V | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5087 | Microchip Technology | Zener Diode Single 56V 5% 70Ohm 3000mW 2-Pin Case A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5088 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 45.7 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5088 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5088SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5088SM | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 60 V Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms Supplier Device Package: A, SQ-MELF Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 45.7 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5091 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5092 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5096 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5097 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5098 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5099 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5099SM | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5100 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V Impedance (Max) (Zzt): 700 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 122 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5100 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5104 | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5104 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V Impedance (Max) (Zzt): 950 Ohms Supplier Device Package: Axial Power - Max: 3 W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 152 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5119 | Microsemi | Diode Zener 40V 5% 5000mW 2-Pin Case E | на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5119 | Microchip Technology | Description: 1N5119 | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5119 | Microchip Technology | Microchip Technology Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5119 | Microchip Technology | Zener Diode Single 40V 5% 14Ohm 5000mW 2-Pin Case E | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5119/TR | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5131 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5131 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: E, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 320 V Impedance (Max) (Zzt): 1100 Ohms Supplier Device Package: E, Axial Power - Max: 5 W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5131E3 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5131E3 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: E, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 320 V Impedance (Max) (Zzt): 1100 Ohms Supplier Device Package: E, Axial Power - Max: 5 W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5134 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5134 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5181 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 4KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5181 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 4KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5181 | Microchip Technology | Description: DIODE GP 4KV 100MA S AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5181 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 4KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5182 | MICROSEMI | S/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED HIGH VOLTAGE RECTIFIER 1N5182 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5182 | Microchip Technology | Description: DIODE GP 5KV 100MA S AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 5000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5182 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5182 | Microsemi | Rectifier Diode Switching 5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5183 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5183 | MICROSEMI | S/VOIDLESS HERMETICALLY DEALED HIGH VOLTAGE RECTIFIER 1N5183 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183 | Microchip Technology | Description: DIODE GP 7.5KV 100MA S AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183E3 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183E3 | Microchip Technology | Description: DIODE GP 7.5KV 100MA S AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183E3 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5183E3 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 7.5KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5184 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 10KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5184 | Microchip Technology | Description: DIODE GP 10KV 100MA S AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: S, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: S, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10000 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5184 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 10KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5184 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 10KV 0.1A 2-Pin Case S Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186 | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186/TR | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186JANTX | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186US | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186US/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: E-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186US/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: E-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5186US/TR | Microchip Technology | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5187 | Microchip Technology | Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187 | Microchip Technology | Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187 | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 200V 3A 200ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187/TR | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187JANTX | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 200V 3A 200ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187JANTXV | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187US | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187US/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: E-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187US/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: E-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5187US/TR | Microchip Technology | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188 | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 3A 250ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 3A 250ns 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188 BK | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE FAST RECOVERY TH Packaging: Bulk Package / Case: R-4, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GPR-4AM Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188 TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE FAST RECOVERY TH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-4, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GPR-4AM Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188/TR | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188JANTX | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 3A 250ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188US | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188US/TR | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5188US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5189 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 500V 3A 300ns 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189 BK | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE FAST RECOVERY TH Packaging: Bulk Package / Case: R-4, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GPR-4AM Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189 TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE FAST RECOVERY TH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-4, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GPR-4AM Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 500V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189/TR | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189US | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 500V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189US/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: E-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189US/TR | Microchip Technology | Rectifiers | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5189US/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: E-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190 | Microchip Technology | Rectifiers UFR,FRR | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5190 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190 | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 3A 400ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 3A 400ns 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190 | Microchip Technology | Diode Switching 600V 3A 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190 TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE FAST RECOVERY TH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-4, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GPR-4AM Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190/TR | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 600V 3A 400ns 2-Pin Case E Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190/TR | Microchip Technology | Rectifiers UFR,FRR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5190JANTX | Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 600V 3A 400ns 2-Pin Case 303 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194 | Microchip Technology | Diode Switching 70V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194 | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194UR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194UR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194UR/TR | Microchip Technology | Description: SIGNAL OR COMPUTER DIODE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Diode Configuration: 1 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V Current - Average Rectified (Io): 200mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194UR/TR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5194UR/TR | Microchip Technology | Description: SIGNAL OR COMPUTER DIODE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Diode Configuration: 1 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V Current - Average Rectified (Io): 200mA | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5195 | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195 | Microchip Technology | Diode Switching 180V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195/TR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195UR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195UR | Microchip Technology | Description: DIODE GP 180V 200MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195UR/TR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5195UR/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GP 180V 200MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196 | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196UR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196UR | Microchip Technology | Diode Switching 225V 0.2A 2-Pin DO-213AA Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196UR | Microchip Technology | Description: DIODE GP 225V 200MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196UR/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GP 225V 200MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5196UR/TR | Microchip Technology | Small Signal Switching Diodes Signal or Computer Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N52 | onsemi | Zener Diodes 2.4V 5% 500MV ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221 | ST | 10+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221 | Microchip Technology | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221A | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221A | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221A | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.4V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | на замовлення 60081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 1N5221B - ZENER DIODE, 500mW, 2.4V, DO-35 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 0 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 24643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 2.4V 0.5W Zener | на замовлення 6152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5221B - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 2.4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B | ON Semiconductor | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 24643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B (DO-35) | MICROSEMI | DO35/500 mW ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE 1N5221 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B BK | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B BK PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.4V 2.280 to 2.520V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.4V 2.280 to 2.520V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2v4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes DO-35, 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B R0G | Taiwan Semiconductor | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | на замовлення 9903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.4V 2.280 to 2.520V | на замовлення 16831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | на замовлення 9630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-B | Rectron | Zener Diodes 500mW 2.4V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-T | Rectron | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-T | Diodes Inc | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-T | Rectron | Zener Diodes DO-35 500mW Zener 2 .4V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-T50R | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 7625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.4 Volt 0.5W 5% | на замовлення 47720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 8965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 8965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 31299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 2.4V 1200 Ohm 100 uA 1Vr | на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 27223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | на замовлення 23197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.4 Volt 0.5 Watt | на замовлення 50877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.4V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 27223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5221B/TR | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B/TR | Microchip Technology | Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BDO35 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BDO35E3 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BDO35E3 | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3/TR | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BE3/TR | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BRL | ON | 00+ | на замовлення 28601 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5221BTA | ON Semiconductor | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BTA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.4V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-213AA Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221BUR-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B_T50R | ON Semiconductor | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221B_T50R | ON Semiconductor | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221C-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 2.4V 2% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 0.5W ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5221C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222 | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222/TR | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222A | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.5V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222A | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222A | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.5V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B | onsemi / Fairchild | Zener Diodes Zener Diode | на замовлення 14114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B | ON Semiconductor | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | на замовлення 65813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B | Taiwan Semiconductor | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B BK PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes 2.5 Vz 30 Ohm 100 uA 1 Vr 500mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes 2.5 Vz 30 Ohm 100 uA 1 Vr 500mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2v5 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 | на замовлення 28853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5222B TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5222B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | на замовлення 8707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.5V 2.375 to 2.625V | на замовлення 9804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B TR PBFREE | Central Semiconductor | 1N5222B TR PBFREE | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-1 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-1 | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 1250 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.5 Volt 0.5W 5% | на замовлення 42909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 2.5V 1250 Ohm 100 uA 1Vr | на замовлення 4766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5222B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TR | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5222B-TR - ZENER DIODE, 500mW, 2.5V, DO-35 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 0 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.5 Volt 0.5W 5% | на замовлення 46487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222B-TR | Vishay | Zener Diode Single 2.5V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5222BTA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 2.V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222BUR-1/TR | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B_T50A | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222B_T50R | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222C-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 78-1N5222B-TAP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 0.5W ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222C-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 2.5V 2% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.5 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5222C-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 78-1N5222B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223/TR | Microchip Technology | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223A | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.7V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223A | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223A | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.7V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223A (DO-35)TR | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223A/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator _ DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223A/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 13526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 48111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 48368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5223B - Zener-Diode, 2.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 2.7V 500mW ZENER 5% | на замовлення 5369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 42602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 39523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 48111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | Rectron | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 48368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B A0G | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B BK | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B BK | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.7V 2.565 to 2.835V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B BK PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.7V 2.565 to 2.835V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.7V 2.565 to 2.835V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2v7 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B TR | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.7V 2.565 to 2.835V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5223B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.7V 2.565 to 2.835V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.7V 2.565 to 2.835V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-B | Rectron | Zener Diodes 0.5W 2.7V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 1300 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-T | Rectron | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-T | Rectron | Zener Diodes DO-35 500mW Zener 2 .7V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-T50R | ON Semiconductor | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.7 Volt 0.5W 5% | на замовлення 27521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 2.7V 1300 Ohm 75 uA 1 Vr | на замовлення 7389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5223B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B-TR | Vishay | Zener Diode Single 2.7V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.7 Volt 0.5W 5% | на замовлення 39613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 42748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.7V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BE3 | Microchip Technology | Description: 2.7V 30? VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AA, DO-7, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-7 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BRL | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.7V 0.5W 5% UNI Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223BRL | SYNSEMI | 1N5223BRL | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223BRL | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5223BRL - ZENER ARRAY DIODES tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223BRL | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
1N5223BT/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5223BTA | SMC Diode Solutions LLC | Description: DIODE ZENER 2 7V 500MW DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BUR-1/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B_T50A | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223B_T50R | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223C-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.7V 2% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223C-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 78-1N5223B-TAP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223C-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 78-1N5223B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5223C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224 | Microchip Technology / Atmel | Zener Diodes 500mW Zener 2.8Vz 30Ohm 75uA 1.0Vr | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224A | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224A | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.8V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224A | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.8V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 3496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.8V 10% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5224B - 1N5224B, ZENER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 99920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE ZENER 2.8V 0.5W 5% UNIDIR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 99920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B | Microchip Technology | Zener Diode Single 2.8V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 2.8V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B BK | Central Semiconductor | Zener Diodes 500mW Zener 2.8Vz 30Ohm 75uA 1.0Vr | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2v8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 2.8V 5% 30Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B R0G | Taiwan Semiconductor | Diode Zener Single 2.8V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B TR | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.8V 2.660 to 2.940V | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5224B TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B TR | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | на замовлення 9837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5224B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 8804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 2.8V 2.660 to 2.940V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-1 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 2.8V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.8 Volt 0.5W 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 2.8V 1400 Ohm 75 uA 1 Vr | на замовлення 9150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5224B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TP | Micro Commercial Components | Стабілітрон вивідний; Uz, В = 2,8; Zzt, Ом = 30; Ptot, Вт = 0,5; If, мА = 200; Irl, мкА @ Ur, В = 75 @ 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °C = -55...+150; Точн., % = 5; DO-35 | на замовлення 100 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 2.8 Volt 0.5W 5% | на замовлення 40065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B-TR | Vishay | Zener Diode Single 2.8V 5% 30Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.8V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B-TR | Vishay | Diode Zener Single 2.8V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224BRL | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
1N5224BTA | SMC Diode Solutions LLC | Description: DIODE ZENER 2 8V 500MW DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224BUR-1 | Microsemi | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.8 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5224B_T50A | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224B_T50R | onsemi | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224C-TAP | Vishay | Diode Zener Single 2.8V 2% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5224C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 2.8V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225 | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225 | EIC | Diode Zener Single 3V 10% 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 10% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 10% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 10% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 3V 10% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A (DO-35)TR | Microsemi Commercial Components Group | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | на замовлення 4852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5225A(DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 4793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225A/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225A/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5225B - Zener-Diode, 3 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | CDIL | Category: THT Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode; 50uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3V Kind of package: Ammo Pack Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | onsemi | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 54664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 48656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | EIC | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 16435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 3.0V .5W 5% ZENER BULK | на замовлення 7124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 48656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | CDIL | Category: THT Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode; 50uA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3V Kind of package: Ammo Pack Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes DO-35, 500mW, 5%, Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 16435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B A0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes DO-35, 500mW, 5%, Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B BK PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.0V 2.850 to 3.150V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.0V 2.850 to 3.150V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3v0 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | на замовлення 9701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B R0G | Taiwan Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.0V 2.850 to 3.150V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 8804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.0V 2.850 to 3.150V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-AY-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-B0-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-R2-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-T | Diodes Inc | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 1600 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-T50A | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 10038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | VISHAY | Category: THT Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3V Kind of package: Ammo Pack Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 3.0 Volt 0.5W 5% | на замовлення 22407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 10038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5225B-TAP - ZENER DIODE, 500mW, 3V, DO-35 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 0 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - | на замовлення 21171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TAP | VISHAY | Category: THT Zener diodes Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; Ammo Pack; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 3V Kind of package: Ammo Pack Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 3.0V 1600 Ohm 50 uA 1 Vr | на замовлення 16378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5225B-TR | Vishay | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TR | Vishay | Diode Zener Single 3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 13397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 3.0 Volt 0.5W 5% | на замовлення 58709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225B/TR | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Bag Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225BRL | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5225BRL - 1N5225BRL, ZENER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225BRL | onsemi | Description: DIODE ZENER 3V SILICON UNIDIREC Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225BRL | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
1N5225BT | onsemi | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BTA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diode Single 3V 5% 29Ohm 500mW 2-Pin DO-213AA Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5225BUR-1/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B_T50A | onsemi | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225B_T50R | onsemi | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3V 2% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 1N5225B-TAP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 0.5W ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 3V 2% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 1N5225B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5225TA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226 | EIC | Diode Zener Single 3.3V 10% 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1n5226 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1n5226 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
1n5226 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1n5226 | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226 | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 20% 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 10% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 3.3V 10% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 5446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226A/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226A/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1n5226B | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 411893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1n5226B | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B | Rectron | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B Код товару: 45552 | YJ | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони Корпус: DO-35 Напруга стабілізації, Vz: 3,3 V Струм стабілізації, Izt: - Потужність, Pd: 0,5 W Монтаж: THT Температурний коефіцієнт: -0.07%/°C | у наявності 7309 шт: 6662 шт - склад270 шт - РАДІОМАГ-Київ 107 шт - РАДІОМАГ-Львів 139 шт - РАДІОМАГ-Харків 77 шт - РАДІОМАГ-Одеса 54 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
1n5226B | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes DO-35, 500mW, 5%, Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1n5226B | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 3.3V 0.5W Zener | на замовлення 7594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B | EIC | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 1N5226B - ZENER DIODE, 500mW, 3.3V, DO-35 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 0 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 8124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B BK PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B BK PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.3V 3.135 to 3.465V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.3V 3.135 to 3.465V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3v3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B R0G | Taiwan Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.3V 3.135 to 3.465V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 5696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.3V 3.135 to 3.465V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-AY-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-B | Rectron | Zener Diodes 0.5W 3.3V 5% | на замовлення 44251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-B0-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-G | Comchip Technology | Zener Diodes VR=3.3V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-G | Comchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-G | Comchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-T | Rectron | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 1600 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-T | Diodes Zetex | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5226B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-T | Rectron | Zener Diodes DO-35 500mW Zener 3 .3V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-T | Diodes Zetex | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 3.3 Volt 0.5W 5% | на замовлення 7635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 57598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | на замовлення 57598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 3.3V 1600 Ohm 25 uA 1 Vr | на замовлення 4681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5226B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TR | Vishay | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TR | Vishay | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5226B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 70615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 3.3 Volt 0.5 Watt | на замовлення 59828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B-TR | Vishay | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226B.TA | Fairchild Semiconductor | Description: ZENER DIODE, 3.3V, 5%, 0.5W, UNI Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B/TR | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bag Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BE3 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Bag Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BE3 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BTA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5226BTR | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5226BTR - ZENER ARRAY DIODES tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | на замовлення 4980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 3.3V 0.5W Zener | на замовлення 18738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5226BTR - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 99262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Zener Diode Single 3.3V 5% 28Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.3V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BTR | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BUR-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5226BUR-1/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B_Q | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 3.3V 0.5W Zener | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B_S00Z | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226B_T50R | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226C-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226C-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 1N5226B-TAP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 0.5W ZENER | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226C-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 3.3V 2% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226C-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 28 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226C-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes RECOMMENDED ALT 1N5226B | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226D | Motorola | Description: 1N52ZENDIOD3.V(Z10.5SILICOUNIDIR Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5226TA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227 | EIC | Diode Zener Single 3.6V 10% 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227 | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227A | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227A | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.6V 10% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227A | Microsemi | Zener Diode Single 3.6V 10% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±10% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 12007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227A (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227A (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 3.6V 10% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227A/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227A/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±10% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 950 mV | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 1N5227B - ZENER DIODE, 500mW, 3.6V, DO-35 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Zener-Spannung, nom.: 0 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 4729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | EIC | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B | ON Semiconductor | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 16521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | ONSEMI | Description: ONSEMI - 1N5227B - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 23362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 40582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B Код товару: 29664 | Fujitsu Takamisawa | Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони Корпус: DO-35 Напруга стабілізації, Vz: 3,6 V Монтаж: THT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 3.6V 0.5W Zener | на замовлення 17861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 40582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B | Microchip Technology | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B (DO-35) | Microsemi Corporation | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B (DO-35) | Microsemi | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 100°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B BK PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes 500mW Zener 3.6Vz 24Ohm 15uA 1.0Vr | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B BK TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes 500mW Zener 3.6Vz 24Ohm 15uA 1.0Vr | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B R0 | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3v6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B R0G | Taiwan Semiconductor | Zener Diodes 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B R0G | Taiwan Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 9277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B TR PBFREE | Central Semiconductor | Zener Diodes Zener 500mW 3.6V 3.420 to 3.780V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Zener Diodes 500mW Zener 3.6Vz 24Ohm 15uA 1.0Vr | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-1 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-1 | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-AY-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-B | Rectron | Zener Diodes 0.5W 3.6V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-B0-10001 | Panjit | Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-G | Comchip Technology | Description: DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 3266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-T | Rectron | Zener Diodes DO-35 500mW Zener 3 .6V 5% | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 5647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-T | Diodes Inc | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-T | Diodes Incorporated | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-T | Rectron | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-T50A | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 3.6 Volt 0.5W 5% | на замовлення 15704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | Vishay | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | VISHAY | Description: VISHAY - 1N5227B-TAP - ZENER DIODE, 500mW, 3.6V, DO-35 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 0 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 0 Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR Bauform - Diode: DO-35 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Through Hole Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TAP | Vishay | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Zener Diodes 500mW 3.6V 1700 Ohm 15 uA 1 Vr | на замовлення 6701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
1N5227B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Obsolete Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TP | Micro Commercial Components | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TR | Vishay Semiconductors | Zener Diodes 3.6 Volt 0.5 Watt | на замовлення 31035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-TR | Vishay | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-TR | Vishay | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW Automotive 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227B-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227B-TR | Vishay | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3 | Microchip Technology | 500 mW Glass Axial-Lead Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3 | Microsemi | Zener Diode Single 3.6V 5% 24Ohm 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3 | Microchip Technology | 500 mW Glass Axial-Lead Zener Diodes | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3 | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3/TR | Microchip Technology | Zener Diodes Voltage Regulator | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BE3/TR | Microchip Technology | Description: VOLTAGE REGULATOR Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BRL | SYNSEMI | 1N5227BRL | на замовлення 9417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227BTA | SMC Diode Solutions | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BTR | onsemi / Fairchild | Zener Diodes 3.6V 0.5W Zener | на замовлення 18801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
1N5227BTR | ON Semiconductor | Diode Zener Single 3.6V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
1N5227BTR | onsemi | Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V | на замовлення 24596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|