1N5059TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 11.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5059TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5059TR за ціною від 11.36 грн до 40.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 6831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
1N5059TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers DIODE 2A 200V |
на замовлення 24841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N5059TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 42869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
1N5059-TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
1N5059TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| 1N5059TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 4µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 1N5059TR | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; reel,tape; Ifsm: 50A; SOD57; 4us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Capacitance: 40pF Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 0.1mA Reverse recovery time: 4µs |
товар відсутній |